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氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

分類: 技術文章
氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

中壓氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的成本在三年前已經比等效額定功率MOSFET器件的成本更低。當時,EPC公司決心利用氮化鎵場效應電晶體的性能及成本效益優勢,積極研發及支持48 V輸入或輸出的應用。車用及電腦應用的48 V 轉換逐漸成為全新的架構,也成為了功率系統的全新標準。

Power Systems Design
2020年3月31日
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