新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

矽片已死……離散功率元件快將消失

分類: 技術文章
矽片已死……離散功率元件快將消失

在超過四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新,可滿足不斷增長的電力需求,因此改善了電源管理的效率和成本。 然而,在這新世紀的發展,隨著矽功率MOSFET元件已經接近其理論極限,其改進速度已大為減慢。 與此同時,一種全新材料 - 氮化鎵(GaN)- 正朝著新的理論性能領域的方向,穩步發展,其性能是老化的MOSFET元件的6,000倍,以及是目前市場的最優越GaN元件的300倍。

EETimes
2020年6月
閱讀全文