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增強型氮化鎵功率元件的耐輻射性能

分類: 技術文章
增強型氮化鎵功率元件的耐輻射性能

增強型氮化鎵(eGaN®)技術使能新一代功率轉換器,讓轉換器能夠在更高的頻率、更高的效率和前所未有的高功率密度下工作。 與矽MOSFET元件相比,eGaN元件還具有更優越的耐輻射性能。

Bodo’s Power Systems
2020年7月
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