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EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

分類: 新聞稿
EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數位信號控制器(DSC)與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的結合,可實現最佳功率密度(730 W/in3),從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。

EPC公司宣佈推出1/16磚式、300 W DC/DC穩压器(EPC9143)。 EPC9143功率模組把Microchip dsPIC33CK數位信號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,實現25 A、48 V/12 V和96%效率的功率轉換。

500 kHz 開關頻率在非常小的1/16磚式轉換器實現300 W功率,其尺寸僅為33 毫米 X 22.9 毫米(1.3 x 0.9英寸)。

可擴展的兩相設計可以增加相數,從而進一步提高功率。由於Microchip數位控制器具有高靈活性,因此允許在8 V至72 V範圍內調節輸入電壓,而輸出電壓在3.3 V至25 V範圍內。

磚式DC/DC轉換器廣泛用於資料中心、電信和汽車應用,可將48 V標稱電壓轉換為12 V配電匯流排輸出電壓。鑒於給定的外形尺寸,業界的主要趨勢是朝著需要更高的功率密度方向發展。其中一個主要應用,是高密度48 V/12 V負載點(POL)轉換器,需要12 V輸出的穩壓功率,例如用於通用PCIe卡和存儲。

eGaN®FET和積體電路具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢,能够以少元件數量和低成本滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。

EPC首席執行官Alex Lidow表示:「先進的計算應用對功率轉換器的要求越來越高,但矽基功率轉換器在性能方面未能滿足這些要求。我們很高興與這個領域的全球領先供應商Microchip公司合作,為客戶提供靈活的解決方案,從而為48 V轉換提高效率、增加功率密度和降低系統總成本。」

Microchip MCU16業務部副總裁Joe Thomsen表示:「Microchip的dsPIC® DSC可以進行程式設計以充分發揮氮化鎵場效應電晶體的性能。我們很榮幸與EPC公司合作,為我們的客戶提供這種基於氮化鎵元件的參考設計。 EPC的氮化鎵技術與我們的dsPIC33CK控制器相結合,使工程師能夠顯著提高功率密度,從而滿足各種先進運算和電信應用的苛刻要求。」

價格和供貨情況

EPC9143演示板的單價為378美元,可通過Digi-Key公司立即購買,網址為http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路,其目標應用包括直流- 直流轉換器無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器雷射雷達(LiDAR) D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址為www.epc-co.com.tw

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

聯絡人

宜普電源轉換公司(EPC): Winnie Wong ([email protected])