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宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

分類: 新聞稿
宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

新一代200 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器,以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款200 V eGaN FET(EPC2215EPC2207 ),性能更高而同時成本更低,目前已有供貨。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。

EPC2215 (8 mΩ, 162 Apulsed)和EPC2207 (22 mΩ, 54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN元件大約縮小50%,而性能卻倍增。 與基準矽元件相比,這兩款氮化鎵元件的性能更高。 EPC2215的導通阻抗降低了33%,但尺寸卻縮小了15倍。 其閘極電荷(QG)較基準矽MOSFET元件小十倍,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真,以及實現更高效的同步整流器和馬達控制器。

Performance comparison of benchmark silicon 200 V FET vs. 200 V eGaN FETs

EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示:「最新一代的eGaN FET在具備更高效散熱的更小型尺寸內,實現更高的性能,而且其成本與傳統MOSFET元件相若。氮化鎵元件必然可替代逐漸老化的功率MOSFET元件的趨勢日益明顯。」

EPC公司與德克薩斯大學奧斯丁分校的半導體功率電子中心(SPEC)合作開發了的400 V、2.5 kW、基於eGaN FET、四電平飛跨電容(FCML)圖騰柱無橋整流器,適用於資料中心,它使用了全新的200 V 氮化鎵場效應電晶體(EPC2215)。 德克薩斯大學奧斯丁分校的Alex Huang教授說 :「氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的優越特性使得轉換器能夠實現高功率密度、超高效率和低諧波失真。」

產品價格和供貨

下表列出了產品及相關開發板和參考設計板的價格。所有產品及開發板可通過Digi-Key公司立即購買,網址為http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

Part Number 2.5K Reel
Price/Unit
Half-Bridge
Development Board
Price per
board
EPC2215 $2.84 EPC9099 $118.75
EPC2207 $1.49 EPC90124 $118.75

宜普電源轉換公司簡介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤汽車應用領域功率逆變器三維成像與雷射雷達(Lidar)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ([email protected])