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與矽MOSFET相比,宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET產品系列 為業界樹立了全新的性能基準

分類: 新聞稿
與矽MOSFET相比,宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET產品系列 為業界樹立了全新的性能基準

新一代100 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂及雷射雷達系統的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218EPC2204),性能更高並且成本更低,可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣闊,包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統

EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的導通電阻降低了接近20%及提高了額定直流功率。與基準矽件相比,這兩款氮化鎵元件的性能更高。.

EPC2204的導通電阻降低了25%,但尺寸卻縮小了3倍。 與基準矽MOSFET元件相比,其閘極電荷(QG)小超過50%,並且與所有eGaN FET一樣,沒有反向恢復電荷(QRR),從而使得D類音訊放大器可以實現更低的失真和更高效的同步整流器和馬達控制器

100 V基準矽場效應電晶體與100 V 氮化鎵場效應電晶體的性能比較

EPC首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow表示:「大家預計最新一代、非常優越的100 V eGaN FET的價格更高昂。但這些最先進的100 V電晶體的價格跟等效老化元件相近。我們為設計工程師提供的氮化鎵元件的優勢是性能更高、尺寸更小、散熱效率更高並且成本相近。氮化鎵元件正在加速替代功率MOSFET元件。」

產品價格和供貨

下表列出了產品及相關開發板和參考設計板的價格。所有產品及開發板可通過Digi-Key公司立即購買,網址為http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

產品型號 整卷2500個
的元件單價(美元)
半橋開發板 開發板的單價(美元)
EPC2218 $2.09 EPC90123 $118.75
EPC2204 $0.99 EPC9097 $118.75

宜普電源轉換公司簡介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤汽車應用領域功率逆變器三維成像與雷射雷達(Lidar)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong (winnie.[email protected])