氮化鎵和碳化矽将是功率轉換的下一個前沿科技 Posted 2020年12月2日 分類: 訪問文稿 寬能隙（WBG）半導體例如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率轉換的前沿科技。它們為設計工程師帶來具有全新的頻譜、功率密度和外型尺寸的元件。 EDN Editorial Advisory Board 2020年12月 收聽訪問內容 標籤: 氮化鎵場效應電晶體Alex Lidow氮化鎵GaN積體電路 相關的熱門文章全新矽器件：宜普公司首席執行長談論為何氮化鎵器件將成為未來的電源管理器件宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current ApplicationsEPC8000 Family Highlighted as “Green Product of the Month” in Bodo’s Power Systems宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出面向高頻應用的 300 V氮化鎵功率電晶體