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氮化鎵和碳化矽将是功率轉換的下一個前沿科技

分類: 訪問文稿
氮化鎵和碳化矽将是功率轉換的下一個前沿科技

寬能隙(WBG)半導體例如碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)是功率轉換的前沿科技。它們為設計工程師帶來具有全新的頻譜、功率密度和外型尺寸的元件。

EDN Editorial Advisory Board
2020年12月
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