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市場對增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET) 優勢的認同 - IIC 2012 專訪

分類: 訪問文稿

Alex Lidow是HEXFET功率MOSFET的共同發明者之一,現職宜普電源轉換公司首席執行長。他在2012年2月23日在中國深圳IIC綠色能源技術會議上演講及接受獨家訪問。Alex 分析市場對增強型氮化鎵場效應電晶體的認受性是由於該器件比矽功率MOSFET體積更小及具更卓越的性能。Alex也分享了eGaN對功率半導體市場的衝擊以及應用前景。他特別強調EPC即將推出的高壓eGaN功率器件在高壓AC/DC轉換器以及大功率馬達控制應用的優勢。