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宜普電源轉換公司榮獲2020全球電子成就獎--年度傑出貢獻人物獎

宜普電源轉換公司榮獲2020全球電子成就獎--年度傑出貢獻人物獎

宜普電源轉換公司(EPC)是增強型矽基氮化鎵(eGaN®)功率場效應電晶體和積體電路的全球行業領先供應商,其首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士於2020全球電子成就獎(WEAA)評選中,榮獲年度傑出貢獻人物獎。

全球電子成就獎旨在評選並表彰對推動全球電子產業創新做出傑出貢獻的企業和管理者,以及在業界處於領先地位的產品。由ASPENCORE全球資深產業分析師組成的評審委員會以及各地區(亞洲、美國、歐洲)網站用戶群進行綜合評定共同評選出得獎者。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出具有最優越的同步整流性能和極具成本效益的170 V eGaN FET,搶佔高端伺服器和消費類電源應用市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出具有最優越的同步整流性能和極具成本效益的170 V eGaN FET,搶佔高端伺服器和消費類電源應用市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出170 V、6.8毫歐的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET),相比目前用於高性能48 V同步整流的元件,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。

宜普電源轉換公司是增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領先供應商,旨在提高產品性能而同時降低可發貨的氮化鎵電晶體的成本,推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應電晶體,是100 V ~ 200 V解決方案系列的最新產品,該系列適用於廣闊的功率級並備有不同價格的元件可供選擇,滿足市場對48 V ~ 56 V伺服器和數據中心產品,以及一系列用於高端運算的消費類電源應用(包括遊戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。

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分類: 新聞稿

Efficient Power Conversion (EPC) Strengthens European Sales Team

Efficient Power Conversion (EPC) Strengthens European Sales Team

Stefan Werkstetter appointed as New Director of Sales for EMEA to focus on assisting customers in the adoption of eGaN® FETs and Integrated Circuits for applications including DC-DC, lidar, motor control, and other leading-edge power conversion systems

EL SEGUNDO, Calif. — November 2020 — To support the continued adoption of gallium nitride (GaN) FETs and Integrated Circuits in the European market, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is pleased to announce the appointment of Stefan Werkstetter as Director, Sales EMEA.

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分類: 新聞稿

採用氮化鎵技術的功率轉換應用

採用氮化鎵技術的功率轉換應用

氮化鎵(GaN)技術已實現重大改進,而且它極具成本效益,可以替代MOSFET元件。 從2017年開始,採用氮化鎵元件的48 V DC/D轉換器開始成為市場上重要的應用。 各種拓撲諸如多相和多級降壓轉換器,實現具備更高效率的全新解決方案,可以滿足IT和汽車市場的能源需求。

Power Electronics News
2020年11月
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分類: 技術文章

GaN ePower™ Ultrafast Switch with Integrated Gate Driver for Indirect Time-of-Flight Laser Drivers

GaN ePower™ Ultrafast Switch with Integrated Gate Driver for Indirect Time-of-Flight Laser Drivers

Gallium nitride FETs have continued to gain traction in many power electronic applications, but GaN technology is still in the early part of its life cycle. While there is much room to improve basic FET performance figures of merit an even more promising avenue is the development of GaN power ICs.

Bodo’s Power Systems
November, 2020
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分類: 技術文章

25 Autonomous Vehicles Influencers to Follow by 2020

25 Autonomous Vehicles Influencers to Follow by 2020

The ultimate aim of Artificial Intelligence is to provide machines the ability to operate autonomously. One such area which is projected to grow exponentially over the next decade is Autonomous Vehicles. With Artificial Intelligence coupled with the rapid advances in electronics and computer technology, the word driverless will soon take over the roads.

AI Time Journal
October, 2020
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分類: 技術文章

Digi-Key Electronics Partners with Efficient Power Conversion (EPC) to Host eGaN Motor Drive Webinar

Digi-Key Electronics Partners with Efficient Power Conversion (EPC) to Host eGaN Motor Drive Webinar

THIEF RIVER FALLS, Minnesota, USA – Digi-Key Electronics, the leading global electronic components distributor, announced that it has partnered with Efficient Power Conversion Corporation (EPC) to host a webinar on how to harness the power of eGaN FETS and ICs for motor drives. The webinar will take place on October 28 at 8 a.m. PST.

Register for the Harness the Power of GaN for Smaller, Lighter, More Precise Motor Drives webinar at EPC’s webinar page

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分類: 新聞稿

eGaN FET實現具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解決方案, 用於超薄且高密度的計算應用

 eGaN FET實現具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解決方案, 用於超薄且高密度的計算應用

基於宜普電源轉換公司(EPC)超高效eGaN® FET的兩種高功率密度DC/DC轉換器,推動超薄筆記型電腦、顯示器、高端遊戲系統和其他纖薄型消費電子產品實現高效解決方案

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出用於48 V DC/DC轉換的EPC9148EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模組,採用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,其元件的最大厚度為6.5 毫米。 EPC9148使用多電平拓撲結構,元件的最大厚度小於4 毫米,峰值效率為98%。

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分類: 新聞稿

氮化鎵的崛起:矽基氮化鎵積體電路重新定義功率轉換

氮化鎵的崛起:矽基氮化鎵積體電路重新定義功率轉換

離散式功率電晶體,無論它是矽基還是矽基氮化鎵,都進入了最後發展階段。 矽基氮化鎵積體電路可以在較小的佔板面積內實現更高的性能,並且顯著降低成本和減少所需的元件工程。 本文詳細闡析氮化鎵元件的崛起和矽基氮化鎵積體電路如何重新定義功率轉換。

Bodo’s Power Systems
2020年10月
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分類: 技術文章

與矽MOSFET相比,宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET產品系列 為業界樹立了全新的性能基準

與矽MOSFET相比,宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET產品系列 為業界樹立了全新的性能基準

新一代100 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂及雷射雷達系統的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218EPC2204),性能更高並且成本更低,可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣闊,包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統

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分類: 新聞稿

Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress

Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress

Standard qualification testing for semiconductors typically involves stressing devices at-or-near the limits specified in their data sheets for a prolonged period of time, or for a certain number of cycles, with the goal of demonstrating zero failures. By testing parts to the point of failure, an understanding of the amount of margin beyond the data sheet limits can be developed, but more importantly, an understanding of the intrinsic failure mechanisms of the semiconductor can be found.

Bodo’s Power Systems
September, 2020
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分類: 技術文章

面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT,它的性能優於MOSFET

面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT,它的性能優於MOSFET

矽功率MOSFET未能跟上電力電子行業的發展變化,而效率、功率密度和更小的外型尺寸等因素是行業的主要需求。 矽MOSFET元件的性能已達到其理論極限,並且由於電路板的空間非常寶貴,因此功率系統設計人員必需找出替代方案。 氮化鎵(GaN)元件是一種高電子遷移率電晶體(HEMT),這種半導體正為新興應用不斷增值。

EETimes
2020年8月
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

新一代200 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器,以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款200 V eGaN FET(EPC2215EPC2207 ),性能更高而同時成本更低,目前已有供貨。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。

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分類: 新聞稿

Podcast: Yes, We GaN: Gallium Nitride and Its Role in Power ICs

Podcast: Yes, We GaN: Gallium Nitride and Its Role in Power ICs

In this inaugural episode, guests are Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion Corp., and Dinesh Ramanathan, co-CEO of NexGen Power Systems. EPC and NexGen both have expertise with gallium nitride technology and GaN power devices. EETimes speaks with both about the technology and about the market for GaN power devices.

EETimes
August, 2020
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分類: 技術文章

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

Gallium nitride (GaN) power devices have been in volume production since March 2010 and have established a remarkable field-reliability record. An automotive application using GaN power devices in high volume is lidar (light detection and ranging) for autonomous vehicles. Lidar technology provides information about a vehicle’s surroundings, thus requiring high accuracy and reliability to ensure safety and performance. This article will discuss a novel testing mechanism developed by Efficient Power Conversion (EPC) to test eGaN devices beyond the qualification requirements of the Automotive Electronics Council (AEC) for the specific use case of lidar.

eeNews Europe
July 30, 2020
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分類: 技術文章

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

就像生活要面對現實一樣,老年人離開舞臺而讓位給年輕人,矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及,正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展,電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是,在業界發展的新時代,隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限,其演進速度下降了很多。 同時,新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展,其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍,並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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分類: 技術文章

EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數位信號控制器(DSC)與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的結合,可實現最佳功率密度(730 W/in3),從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。

EPC公司宣佈推出1/16磚式、300 W DC/DC穩压器(EPC9143)。 EPC9143功率模組把Microchip dsPIC33CK數位信號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,實現25 A、48 V/12 V和96%效率的功率轉換。

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分類: 新聞稿

虛擬圓桌會議 : 用於D類音訊放大器的氮化鎵元件與矽元件的比較(第2部份,共2部份)

虛擬圓桌會議 : 用於D類音訊放大器的氮化鎵元件與矽元件的比較(第2部份,共2部份)

在EEWorld “虛擬圓桌會議” 關於D類音訊的討論的第二部份中,我們的小組成員深入探討了新興氮化鎵元件(GaN)對D類設計的影響:矽元件在哪方面仍然佔主導地位? 在D類放大器中使用GaN的性能優勢是什麼? D類放大器中GaN與矽的未來預期趨勢如何?

參加這個虛擬圓桌會議包括Analog Devices公司音訊系統架構師Joshua LeMaire(JL)、 宜普電源轉換公司(EPC)戰略技術銷售副總裁Steve Colino(SC)和 英飛淩(Infineon )D類音訊應用工程主管Jens Tybo Jensen(JTJ)。

EEWorld Online
2020年7月
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分類: 技術文章

面向宇航應用的氮化鎵電晶體

面向宇航應用的氮化鎵電晶體

氮化鎵功率電晶體是面向嚴苛航太任務的功率和射頻應用的理想元件。 通過全新基於eGaN®元件的解決方案,EPC Space公司提供專門為商業衛星關鍵應用而設計的氮化鎵元件,可確保元件的耐輻射性能和對單粒子效應的免疫能力。 這些元件具有極高的電子遷移率、低溫度系數和非常低的導通阻抗。

EETimes
2020年7月
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