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GaN Transistor for Space Missions

GaN Transistor for Space Missions

GaN power transistors are an ideal choice for power and RF applications to support extreme space missions. Through its new eGaN® solutions, EPC Space guarantees radiation hardness performance and SEE (single-event effects) immunity, with devices that are specifically designed for critical applications in commercial satellite space. These devices have exceptionally high electron mobility and a low-temperature coefficient with very low RDS(on) values.

EETimes
July, 2020
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分類: 技術文章

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

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分類: 新聞稿

EPC和VPT宣佈成立合資公司EPC Space 針對關鍵任務應用的抗輻射功率電子市場

EPC和VPT宣佈成立合資公司EPC Space 針對關鍵任務應用的抗輻射功率電子市場

針對關鍵航太應用及其他高可靠性應用環境,合資公司EPC Space為客戶提供先進、高可靠性的氮化鎵功率轉換解決方案,從而確保更可靠的操作和任務成功。

宜普電源轉換公司(EPC)與VPT公司(海科航空公司旗下公司、NYSE交易代號為HEI.A及HEI)宣佈成立合資公司EPC Space LLC,針對衛星及高可靠性應用,從事設計和製造抗輻射、採用封裝、通過測試和經認證合格的矽基氮化鎵電晶體和積體電路。

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分類: 新聞稿

矽片已死……離散功率元件快將消失

矽片已死……離散功率元件快將消失

在超過四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新,可滿足不斷增長的電力需求,因此改善了電源管理的效率和成本。 然而,在這新世紀的發展,隨著矽功率MOSFET元件已經接近其理論極限,其改進速度已大為減慢。 與此同時,一種全新材料 - 氮化鎵(GaN)- 正朝著新的理論性能領域的方向,穩步發展,其性能是老化的MOSFET元件的6,000倍,以及是目前市場的最優越GaN元件的300倍。

EETimes
2020年6月
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分類: 技術文章

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Over the past decade computers, displays, smart phones and other consumer electronics systems have become thinner while also becoming more powerful. As a result, the market continues to increase its demand for thinner power supply solutions with greater power density. This article examines the feasibility of adopting various non-isolated dc-dc stepdown topologies for an ultra-thin 48-V to 20-V, 250-W power solution.

How2Power
May, 2020
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分類: 技術文章

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Brushless DC (BLDC) motors are a popular choice and are finding increasing application in robotics, drones, electric bicycles, and electric scooters. All these applications are particularly sensitive to size, weight, cost, and efficiency. A monolithically integrated GaN power stage is demonstrated powering a 400 W capable BLDC motor with low switching losses and significant savings in size and weight.

Power Electronics Europe
May, 2020
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分類: 技術文章

GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion

GaN Integrated Power Stage –  Redefining Power Conversion

Beyond just performance and cost improvement, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from its intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. GaN technology, as opposed to standard silicon IC technology, allows designers to implement monolithic power systems on a single chip in a more straightforward and cost-effective way.

Bodo’s Power Systems
May, 2020
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分類: 技術文章

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Starting on page 13 of this story, EPC discusses with David Morrison the latest GaN developments meant for APEC. Alex Lidow, CEO and co-founder of EPC, discussed his company’s new power stage ICs, their development of GaN-based reference designs using a multi-level topology and various demos that were originally bound for APEC.

How2Power Today
April, 2020
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分類: 技術文章

學習利用氮化鎵(GaN)技術設計最先進的人工智慧、機械人、無人機、 自動駕駛車輛及高音質音訊系統

學習利用氮化鎵(GaN)技術設計最先進的人工智慧、機械人、無人機、 自動駕駛車輛及高音質音訊系統

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列,上載了6個影片,針對元件可靠性及基於氮化鎵場效應電晶體及積體電路的各種先進應用,包括面向人工智慧的高功率密度運算應用,面向機械人、無人機及車載應用的雷射雷達系統,以及D類放音訊放大器。

宜普電源轉換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的影片播客系列。剛剛上載的六個影片主要分享實用範例,目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智慧伺服器及超薄筆記型電腦的先進DC/DC轉換器、面向機械人、無人機及自動駕駛車輛的雷射雷達系統,以及實現有可能是具有最高音質的音訊系統

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分類: 新聞稿

氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

中壓氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的成本在三年前已經比等效額定功率MOSFET器件的成本更低。當時,EPC公司決心利用氮化鎵場效應電晶體的性能及成本效益優勢,積極研發及支持48 V輸入或輸出的應用。車用及電腦應用的48 V 轉換逐漸成為全新的架構,也成為了功率系統的全新標準。

Power Systems Design
2020年3月31日
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)發佈第十一階段可靠性測試報告 - 從失效性測試看到氮化鎵器件的穩定性比矽功率MOSFET器件更具優勢

宜普電源轉換公司(EPC)發佈第十一階段可靠性測試報告 -  從失效性測試看到氮化鎵器件的穩定性比矽功率MOSFET器件更具優勢

第一至第十階段可靠性測試報告後,EPC公司的第十一階段可靠性測試報告進一步豐富知識庫。此報告對受測元件進行超過1230億元件-小時應力測試,並且展示氮化鎵元件的穩定性是矽功率元件所不能實現的。

EPC公司發佈第十一階段可靠性測試報告,與工程師分享受測元件如何實現優越的現場可靠性的策略 - 在廣闊測試條件下,採用失效性測試元件(test-to-fail)的反覆測試方法,從而知道如何構建更穩固的產品以達到應用所需,例如面向全自動駕駛車輛的雷射雷達LTE通信基站、汽車的車頭燈及衛星等應用。

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分類: 新聞稿

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的 氮化鎵(GaN)功率電晶體及積體電路的播客系列

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的 氮化鎵(GaN)功率電晶體及積體電路的播客系列

宜普電源轉換公司(EPC)依據《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的增訂內容,更新了首7個、合共14個教程的視頻播客,與工程師分享採用氮化鎵場效應電晶體及積體電路的理論、設計基礎及應用,例如雷射雷達(光達)、DC/DC轉換及無線電源等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》.第三版教科書的內容製作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,從而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。

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分類: 新聞稿

Gallium Nitride Integration: Breaking Down Technical Barriers Quickly

Gallium Nitride Integration: Breaking Down Technical Barriers Quickly

An integrated circuit made using GaN-on-Si substrates has been in production for over five years. The ultimate goal is to achieve a single component IC that merely requires a simple digital input from a microcontroller and produces a power output that drives a load efficiently, reliably under all conditions, in the smallest space possible, and economically. Discrete power transistors, whether silicon-based or GaN-on-Si, are entering their final chapter. Integrated GaN-on-Si can offer higher performance in a smaller footprint with significantly reduced engineering required.

IEEE Power Electronics Magazine
March 2020
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分類: 技術文章

面向多種功率應用的氮化鎵電晶體

面向多種功率應用的氮化鎵電晶體

矽功率MOSFE追不上目前功率電子業界的演進步伐 -- 業界需要具備高效、高功率密度及細小的外型尺寸的元件。業界看到矽MOSFET已經達到它的理論極限,從而需要找出全新元件。氮化鎵(GaN)是一種HEMT元件,具備附加增值的優勢,被證明為可以支持全新應用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新積體電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出80 V、12.5 A的功率級積體電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

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分類: 新聞稿

測試氮化鎵元件在何時開始失效

測試氮化鎵元件在何時開始失效

從2010年3月起,氮化鎵(GaN)功率元件已經實現高可靠性並進行量產。本章詳細闡析如何測試出元件在何時開始失效,從而瞭解數據手冊給出的元件工作條件,距離其工作極限值還有多少餘量。而最重要的是,找出元件固有的失效機理,瞭解其失效的根本原因、恒常操作情況、溫度、電氣應力或機械應力等,從而知道產品在一般工作條件下,它的安全使用壽命。

Power Systems Design
2020年3月
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分類: 技術文章
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