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宜普電源轉換公司(EPC)推出具有最優越的同步整流性能和極具成本效益的170 V eGaN FET,搶佔高端伺服器和消費類電源應用市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出具有最優越的同步整流性能和極具成本效益的170 V eGaN FET,搶佔高端伺服器和消費類電源應用市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出170 V、6.8毫歐的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET),相比目前用於高性能48 V同步整流的元件,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。

宜普電源轉換公司是增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領先供應商,旨在提高產品性能而同時降低可發貨的氮化鎵電晶體的成本,推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應電晶體,是100 V ~ 200 V解決方案系列的最新產品,該系列適用於廣闊的功率級並備有不同價格的元件可供選擇,滿足市場對48 V ~ 56 V伺服器和數據中心產品,以及一系列用於高端運算的消費類電源應用(包括遊戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。

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分類: 新聞稿

eGaN FET實現具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解決方案, 用於超薄且高密度的計算應用

 eGaN FET實現具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解決方案, 用於超薄且高密度的計算應用

基於宜普電源轉換公司(EPC)超高效eGaN® FET的兩種高功率密度DC/DC轉換器,推動超薄筆記型電腦、顯示器、高端遊戲系統和其他纖薄型消費電子產品實現高效解決方案

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出用於48 V DC/DC轉換的EPC9148EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模組,採用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,其元件的最大厚度為6.5 毫米。 EPC9148使用多電平拓撲結構,元件的最大厚度小於4 毫米,峰值效率為98%。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新積體電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出80 V、12.5 A的功率級積體電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可支援大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大電流脈衝 – 電流可高達28 A、脈寬则可低至1.2納秒,從而使得飛行時間及flash雷射雷達系統更準確、更精確及更快速。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出15 V、28 A大電流脈衝雷射二極體驅動電路板(EPC9144)。

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車規級氮化鎵場效應電晶體(15 V 的EPC2216)使得ToF雷射雷達系統“看得”更清晰

車規級氮化鎵場效應電晶體(15 V 的EPC2216)使得ToF雷射雷達系統“看得”更清晰

宜普電源轉換公司(EPC)的車規級並通過AEC Q101認證的氮化鎵電晶體系列增添全新成員 -- 經過優化的15 V EPC2216,實現不昂貴的高性能雷射雷達系統。

宜普公司宣佈15 V的EPC2216成功通過AEC Q101認證,專為需要高準確性的雷射雷達應用而設計,例如全自動駕駛汽車,以及其他的飛行時間(ToF)應用,包括人面識別、自動化倉庫、無人機及地圖製作。

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EPC Launches 3rd Edition of Gallium Nitride (GaN) Textbook with Power Conversion Applications Focus

EPC Launches 3rd Edition of Gallium Nitride (GaN) Textbook with Power Conversion Applications Focus

GaN theory and applications, such as lidar, DC-DC conversion, and wireless power using gallium nitride FETs and ICs, form the focus of this third edition of “GaN Transistors for Efficient Power Conversion”

EL SEGUNDO, CA – October 2019 – Efficient Power Conversion Corporation (EPC) announce the publication of the third edition of “GaN Transistors for Efficient Power Conversion,” a textbook written by power conversion industry experts and published by John Wiley and Sons. 

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宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2051功率電晶體是一種100 V、25 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現37 A脈衝輸出電流。EPC2051是多種應用的理想元件,包括48 V功率轉換器、雷射雷達及LED照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體,其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A 以支援高效功率轉換。

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Simultaneously Power (or Charge) Cell Phones to Laptops Wirelessly with EPC’s Complete Class 4 Transmitter Paired with A Regulated Category 5 AirFuel Alliance Compatible Wireless Power Demo Kit

Simultaneously Power (or Charge) Cell Phones to Laptops Wirelessly with EPC’s Complete Class 4 Transmitter Paired with A Regulated Category 5 AirFuel Alliance Compatible Wireless Power Demo Kit

Superior characteristics of eGaN® FETs and integrated circuits, such as low output capacitance, low input capacitance, low parasitic inductances, and small size make them ideal for increasing efficiency in highly resonant, AirFuel™ wireless power transfer systems.

EL SEGUNDO, Calif.— May 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of a complete class 4 wireless power kit, the EPC9129. The system can transmit up to 33 W while operating at 6.78 MHz (the lowest ISM band). The kit comes complete with two receivers, each with a regulated output − one capable of 5 W capable and a second capable of delivering 27 W at 19 V.

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基於氮化鎵(eGaN)技術的汽車應用即將到來

基於氮化鎵(eGaN)技術的汽車應用即將到來

宜普電源轉換公司(EPC)的兩個車用氮化鎵電晶體成功通過了國際汽車電子協會所制定的AEC Q101離散元件可靠度驗證測試

宜普電源轉換公司宣佈其兩個車用氮化鎵(eGaN®)元件成功通過AEC Q101測試認證,可在車用及其他嚴峻環境實現多種全新應用。EPC2202EPC2203是採用晶圓級晶片尺寸封裝、80 VDS 的離散電晶體。面向嚴峻的車用環境的多個離散電晶體及積體電路也將在不久的未來推出。

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EPC Introduces Two eGaN ICs Combining Gate Drivers with High Frequency GaN FETs for Improved Efficiency, Reduced Size and Lower Cost

EPC Introduces Two eGaN ICs Combining Gate Drivers with High Frequency GaN FETs for Improved Efficiency, Reduced Size and Lower Cost

EPC2112 and EPC2115 GaN-based monolithic integrated solutions offer power systems designers the ability to increase efficiency in an extremely small size.

EL SEGUNDO, Calif. — March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) announces the EPC2112 and EPC2115 enhancement-mode monolithic GaN power transistor with integrated driver products. The EPC2112 is a 200 V, 40-mΩ eGaN® FET plus integrated gate driver. In comparison, the EPC2115 is an integrated circuit with dual 150 V, 70-mΩ eGaN FETs plus gate drivers. Both products are capable of operating up to 7 MHz and are available in low inductance, extremely small, 2.9 mm x 1.1 mm BGA surface-mount passivated die.

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GaN Power Modules Deliver Over 1400 W/in3 for 48 V – 12 V DC-DC and Up to 10 MHz for Point-of-Load Power Conversion

GaN Power Modules Deliver Over 1400 W/in3 for 48 V – 12 V DC-DC and Up to 10 MHz for Point-of-Load Power Conversion

Efficient Power Conversion’s EPC9204 and EPC9205 power modules demonstrate the efficiency enhancements and significant size reduction achieved in DC-DC power conversion using high frequency switching eGaN® power transistors and integrated circuits.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces two new GaN power modules for DC-DC conversion, increasing efficiency across the 48 V to point-of-load power architecture. The EPC9205 is a high-power density PCB-based power module for 48 V – 12 V conversions while the EPC9204 address the 20 V – point-of-load conversion with an ultra-thin profile PCB-based power module.

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基於氮化鎵元件的48 V - 12 V非隔離穩壓式轉換器開發板,其功率密度每立方英吋超過1250W及效率可高於96%

基於氮化鎵元件的48 V - 12 V非隔離穩壓式轉換器開發板,其功率密度每立方英吋超過1250W及效率可高於96%

宜普公司的EPC9130五相開發板展示出採用高頻開關eGaN®功率電晶體、極小型化及增強了效率的電源轉換方案。

宜普電源轉換公司(EPC)的EPC9130開發板是一款48 V轉換至12 V的非隔離穩壓式開發板、具用五個相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培,開發板的輸出功率可以超過700 W。該板具超高功率密度(每立方英寸大於1250 W),其效率高於96%。

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宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2049),應用於負載點(POL)轉換器、雷射雷達(LiDAR)及具低電感的馬達驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2049功率電晶體,應用於負載點(POL)轉換器雷射雷達(LiDAR)波峰追蹤電源D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。

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面向雷射雷達應用並採用EPC氮化鎵(eGaN)技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈衝電流

面向雷射雷達應用並採用EPC氮化鎵(eGaN)技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈衝電流

EPC9126HC開發板採用具備超快速功率轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),由於可以驅動高達150 A及可低至5 ns脈寬的脈衝大電流,因此可以提高雷射雷達(LiDAR)系統所偵測的資料的質素,包括資料的準確性、精確度及製作速度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的100 V、150 A大電流脈衝雷射二極體的驅動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應用的雷射雷達系統需要製作三維地圖,因此,偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到,與等效MOSFET相比,具備快速轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)所提供的脈衝功率可以快十倍的速度驅動雷射二極體,從而提升雷射雷達系統的整體性能。

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EPC Announces Development Board Operating Up To 10 MHz for High Efficiency at High Frequency Point-of-Load DC-DC Conversion

EPC Announces Development Board Operating Up To 10 MHz for High Efficiency at High Frequency Point-of-Load DC-DC Conversion

The EPC9086 high efficiency half-bridge development board can operate up to 10 MHz featuring a 30 V EPC2111 eGaN® half bridge in combination with the recently introduced high speed Peregrine Semiconductor PE29102 gate driver.

EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of The EPC9086 development board, a high efficiency half-bridge development board that can operate up to 10 MHz.  The EPC9086 board measures 2” x 2” and contains a 30 V, 15 A EPC2111 enhancement-mode gallium nitride half bridge in combination with the recently introduced PE29102 gate driver from Peregrine Semiconductor.

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EPC Announces a Full Range of Wireless Power Demonstration Kits That Can Be Used to Design Systems That Power Anything from Lamps to Laptops

EPC Announces a Full Range of Wireless Power Demonstration Kits That Can Be Used to Design Systems That Power Anything from Lamps to Laptops

Superior characteristics of eGaN® FETs and ICs, such as low output capacitance, low input capacitance, low parasitic inductances, and small size used in these demonstration kits show that GaN FETs and ICs are ideal for increasing efficiency in highly resonant, AirFuel™ Alliance compatible wireless power transfer systems.

EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of two new demonstration kits -- the EPC9127, a complete wireless power kit including a 10 W, class 2 amplifier, category 3 receiver device and the EPC9128, consisting of a 16 W, class 3 amplifier and two receiver devices (categories 3 and 4). These systems, coupled with previously announced EPC9120, 33 W class 4 and the EPC9121 multi-mode kit capable of operating to either an AirFuel Class 2 standard with a category 3 device or a Qi (A6)/PMA standard with a compatible receiving device provide a full range of wireless power demonstration kits to allow for complete, wide-spread implementation.

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EPC公司推出全新開發板EPC9083 - 面向無線充電及雷射雷達應用、採用200 V eGaN FET、60 W E類放大器拓撲,可以在高達15 MHz頻率下高效地工作

EPC公司推出全新開發板EPC9083 - 面向無線充電及雷射雷達應用、採用200 V eGaN FET、60 W E類放大器拓撲,可以在高達15 MHz頻率下高效地工作

宜普電源轉換公司(EPC)的全新EPC9083開發板可以幫助功率系統設計師容易並且快速地對E類放大器內、可在高達15 MHz頻率工作的200 V氮化鎵電晶體進行評估,應用包括無線充電、雷射雷達、電流模式D類放大器及推挽式轉換器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出高效、靈活及採用氮化鎵電晶體的差分模式開發板(EPC9083),可以在高達15 MHz頻率工作,包括無線充電應用的6.78 MHz頻率。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師以簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估,使得他們的產品可以快速量產。

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同時對手機及筆記型電腦進行無線充電 – EPC公司推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電演示套件,可對應用提供高達33 W功率

同時對手機及筆記型電腦進行無線充電 – EPC公司推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電演示套件,可對應用提供高達33 W功率

具備卓越性能的氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小型化,成為高度共振式並與AirFuel標準相容的無線充電系統的理想元件,可提高效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電套件(EPC9120)。該系統可對應用提供高達33 W功率而同時工作在6.78 MHz頻率(最低ISM頻段),旨在於高效無線充電應用中,簡化對所採用的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)進行評估。EPC9120採用具備高頻開關性能的EPC氮化鎵電晶體,使得無線充電系統可以在不同的工作條件下,實現80%至90%的效率。

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Rompower Announces The AC/DC Laptop Power Adaptor Technology Capable of 94% Efficiency, 20 W/in3 Power Density in an Incredibly Small Package

Rompower Announces The AC/DC Laptop Power Adaptor Technology Capable of 94% Efficiency, 20 W/in3 Power Density in an Incredibly Small Package

Taking advantage of the high performance of eGaN® FETs, Rompower Energy Systems has announced a reference design for a tiny, 65 W, 94% efficient AC/DC power adaptor for laptops and other mobile devices.

TUCSON, Az. – June 2017 – Rompower Energy Systems, an internationally recognized research and development company in the field of power conversion, announces the availability of technology for an extremely small, highly efficient AC/DC power adapter. In the quest for higher power density, the efficiency of the adapter is critical in order to decrease the heat dissipation. The reference design is measuring just 3.19 cubic inches in size, this adapter provides 65 W of power at greater than 94% efficiency over the entire input voltage range (90 Vac – 264 Vac).  The adapter has a power density of 20 W/in3. This high efficiency means that the device runs cooler than standard AC/DC adapters.

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宜普電源轉換公司(EPC)推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體,推動 12 V轉至1.8 V系統在5 MHz、14 A輸出電流下實現超過85%效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體,推動 12 V轉至1.8 V系統在5 MHz、14 A輸出電流下實現超過85%效率

EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用,在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率,及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體EPC2111)。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體形成單個元件,可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度,而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

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