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Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors

Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors

The increase in switching speed offered by GaN transistors requires good measurement technology, as well as good techniques to capture important details of high-speed waveforms. This article focuses on how to leverage the measurement equipment for the user’s requirement and measurement techniques to accurately evaluate high performance GaN transistors. The article also evaluates high bandwidth differential probes for use with non-ground-referenced waveforms.

EDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
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分類: 技術文章

窒化ガリウムは、D級オーディオに優れた音質をもたらします

窒化ガリウムは、D級オーディオに優れた音質をもたらします
最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。 閱讀全文
分類: 技術文章

eGaN vs. Silicon - Comparing Dead-time Losses for eGaN FETs and Silicon MOSFETs in Synchronous Rectifiers

eGaN vs. Silicon - Comparing Dead-time Losses for eGaN FETs and Silicon MOSFETs in Synchronous Rectifiers

There have been several comparisons of eGaN FETs with silicon MOSFETs in a variety of applications, including hard-switched, soft-switched, and high-frequency power conversion. These studies have shown that eGaN FETs have large efficiency and power density advantages over silicon MOSFETs. Here we’ll focus on the use of eGaN FETs in synchronous rectifier (SR) applications and the importance of dead-time management. We show that eGaN FETs can dramatically reduce loss due to dead-time in synchronous rectifiers above and beyond the benefits of low RDS(on)and charge.

Power Systems Design
By: Dr. John Glaser & Dr. David Reusch, Efficient Power Conversion
June 13, 2016
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分類: 技術文章

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 450 V增强型氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 450 V增强型氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備4奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體(EPC2027),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。

EPC2027元件具備450 V額定電壓、400 mΩ最高導通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。元件使用含焊條的鈍化晶片,從而可以實現高效散熱及易於組裝。EPC2027元件的尺寸是1.95 毫米 x 1.95 毫米以提高功率密度。

「由於離綫式適配器及逆變器愈來愈需要更小型、更輕型及具有更高的功率密度的設計,因此對具備更高壓及更快速開關特性的器件的需求與日俱增。採用450 V 的EPC2027電晶體的功率設計工程師可以提高他們的離綫式功率轉換系統的開關頻率,從而實現更高效及更小型的系統。」宜普電源轉換公司的共同創始人及首席執行長Alex Lidow說道。

開發板

EPC9044開發板包含採用半橋配置的EPC2027電晶體並含板載閘極驅動器、閘極驅動電源及旁路電容。這塊2英寸乘1.5 英寸的開發板使用了可實現最佳開關性能的佈局並包含所有重要元件,使得工程師容易對EPC2027氮化鎵場效應電晶體進行評估。

産品價格及即時供貨詳情

EPC2027氮化鎵場效應電晶體在批量爲一千片時的單價爲5.81美元,而EPC9044 開發板的單價爲137.75美元,可以立即透過Digi-Key公司訂購,網址爲 http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

關於氮化鎵場效應電晶體的設計信息及技術支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])

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分類: 新聞稿

IEEE Power Electronics Society (PELS) Webinar, “Using Gallium Nitride (GaN) FETs for Envelope Tracking Buck Converters”

On September 3rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

Discrete GaN power devices offer superior hard-switching performance over MOSFETs and are crucial for the development of switching converters for envelope tracking. In this seminar, the latest family of high frequency enhancement-mode gallium nitride power transistors on silicon (eGaN® FETs) will be presented in a few multi-megahertz buck converters. The different system-level parasitics will be discussed and their impact evaluated based upon the experimental results.

The presenter will be Johan Strydom, EPC Vice President of Applications Engineering. Dr. Strydom is widely published in the industry, including being co-author of GaN Transistors for Efficient Power Conversion, the first textbook on the design and applications of gallium nitride transistors.

Webinar Registration Information:

Title: Using Gallium Nitride (GaN) FETs for Envelope Tracking Buck Converters
Date: Wednesday, September 3, 2014
Time: 11:00 AM – 12:00 AM (EDT)
Registration:http://www.ieee-pels.org/products/pels-upcoming-webinars/2483-ieee-pels-webinar-series-using-egan-fets-for-envelope-tracking-buck-converters-by-johan-strydom
Fee: Free of Charge

About IEEE Power Electronics Society (PELS)

The Power Electronics Society is one of the fastest growing technical societies of the Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE). For over 20 years, PELS has facilitated and guided the development and innovation in power electronics technology. This technology encompasses the effective use of electronic components, the application of circuit theory and design techniques, and the development of analytical tools toward efficient conversion, control and condition of electric power.

About EPC

EPC is the leader in enhancement mode gallium nitride based power management devices. EPC was the first to introduce enhancement-mode gallium-nitride-on-silicon (eGaN) FETs as power MOSFET replacements in applications such as DC-DC converters, wireless power transfer, envelope tracking, RF transmission, power inverters, remote sensing technology (LiDAR), and Class-D audio amplifiers with device performance many times greater than the best silicon power MOSFETs.

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分類: 新聞稿

WiGaN: 利用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)支持在高頻工作的硬開關轉換器應用

本章展示在10 MHz频率開關、採用氮化鎵場效應電晶體的硬開關降壓轉換器的結果及提供轉換器功耗的細數。此外,我們將展示採用氮化鎵場效應電晶體的轉換器目前所取得無可匹敵的高頻性能及如果要推動器件工作在更高頻率時所面對的限制。

EEWeb
作者:Alex Lidow
2014年8月

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分類: 技術文章

於無刷式直流伺服馬達,採用矽器件與採用氮化鎵場效應電晶體的功率逆變器的比較

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )對改善感測器及功率電子的興趣很大,我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司(EPC)的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 :Bodo’s Power Systems
作者:德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月

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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司將在2014年APEC®研討會分享支持高頻諧振轉換器及波峰追蹤供電的氮化鎵(GaN)技術

於2014年IEEE的APEC功率電力電子業界研討會中,宜普電源轉換公司的應用技術專家將分享氮化鎵場效應電晶體技術如何于應用中比矽功率MOSFET器件優勝。

矽基增強型功率氮化鎵場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於2014年APEC技術研討會以應用為主題進行三場技術演講,與參與者分享高頻諧振轉換器及高頻、硬開關功率轉換器設計。研討會將於3月16日至20日在德克薩斯州的Fort Worth舉行。

首屈一指的APEC研討會以功率電子業務的實用及應用方面為主題,深受功率電子業界專業人員愛戴,討論的範圍涵蓋使用、設計、製造及推廣所有種類的功率電子元件及設備,詳情請訪問 http://www.apec-conf.org/

宜普電源轉換公司共同創辦人及首席執行長Alex Lidow博士稱「我們非常榮幸得到APEC2014年技術覆核委員會選出EPC專家的技術文章,於APEC的年度研討會發表,這是支持我們相信功率系統工程師對高性能氮化鎵技術感到興趣並獲得他們的贊同。」

EPC專家以GaN FET技術為題的演講:

與會的工程師如果想與我們的應用專家會面,請發要求會面的郵件至 [email protected]與我們聯繫。

宜普電源轉換公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括 直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器 等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請流覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

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分類: 新聞稿

如何使用氮化镓器件:在高频無線電源傳送應用使用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)

本章展示氮化鎵場效應電晶體如何推動具高度諧振、鬆散耦合性、工作在6.78 MHz ISM頻帶的無線電源傳送技術,實現高效無線能源傳送,並與工程師分享使用電壓模式D類及E類方法的範例。

EEWeb
作者:Alex Lidow
日期:2014年1月

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分類: 技術文章

專業高音質並可實現96%效率 – 宜普公司推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)演示板,實現具備高質音訊性能並可以節省空間的設計

EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體,展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。

宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計(EPC9106)。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計,配置四個具接地連接的半橋輸出級電路,為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中,我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。

EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器(LM5113)。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113,可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效,因此可以完全不用散熱器,因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。

EPC9106開發板的超小型電源模組(11 mm x 11 mm)包含氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)、驅動器、電感器及輸出/輸入電容。尺寸雖小,EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率,並在250 W、4 Ω實現92%效率。

客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣,我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫:

氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援:

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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Winnie Wong ([email protected])[email protected])

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分類: 新聞稿

高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素

在開關頻率10 MHz或以上,電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件,由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)提供無可匹敵的器件性能及封裝,因此可以在高頻時提高電源轉換效率。

Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月

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分類: 技術文章
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