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宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新積體電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出80 V、12.5 A的功率級積體電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

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分類: 新聞稿

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

It’s okay to start using gallium-nitride (GaN) devices in your new designs. GaN transistors have become extremely popular in recent years. These wide-bandgap devices have been replacing LDMOS transistors in many power applications. For example, GaN devices are broadly being adopted for new RF power amplifiers used in cellular base stations, radar, satellites, and other high-frequency applications. In general, their ability to endure higher voltages and operate at frequencies well into the millimeter-wave (mmWave) range have them replacing traditional RF power transistors in most amplifier configurations.

Electronic Design
November, 2019
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司提供氮化鎵(eGaN)功率元件的晶圓

宜普電源轉換公司提供氮化鎵(eGaN)功率元件的晶圓

為了使得客戶易於集成功率系統,宜普電源轉換公司(EPC)為客戶提供領導業界的氮化鎵功率元件的晶圓。

EPC公司宣佈推出領導業界的增強型氮化鎵元件的晶圓,使得客戶易於集成功率系統。EPC公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路一直以來都是以單個並包含錫條或錫球的晶片級元件出售。

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分類: 新聞稿

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向48 V DC/DC電源轉換、馬達控制及雷射雷達應用的100 V氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向48 V DC/DC電源轉換、馬達控制及雷射雷達應用的100 V氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2052功率電晶體是一種100 V、13.5 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現74 A脈衝輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器,這些新一代氮化鎵場效應電晶體工作在500 kHz頻率下,可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時,則實現超過96%的效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應電晶體,其占板面積只是2.25平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為13.5 mΩ及脈衝輸出電流高達74 A 以支援高效功率轉換。

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分類: 新聞稿

於無刷式直流伺服馬達,採用矽器件與採用氮化鎵場效應電晶體的功率逆變器的比較

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )對改善感測器及功率電子的興趣很大,我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司(EPC)的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 :Bodo’s Power Systems
作者:德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月

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分類: 技術文章
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