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氮化鎵(GaN)積體電路重新定義功率轉換

氮化鎵(GaN)積體電路重新定義功率轉換

氮化鎵技術發展迅速,在開發出多代全新離散元件後,具備更高效、更小尺寸和成本更低等優勢的新世代積體電路繼續崛起。氮化鎵積體電路讓產品可以更小型化、開關更快、更高效且更易於設計。

Power Systems Design
2021年3月 (第36-39頁)
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分類: 技術文章

EPC’s ePower Stage EPC2152 Integrated Circuit Named Finalist in Prestigious Elektra Awards

EPC’s ePower Stage EPC2152 Integrated Circuit Named Finalist in Prestigious Elektra Awards

EPC’s ePower™ Stage EPC2152 Integrated Circuit has been selected as a finalist in the Semiconductor Product of the Year – Analogue category, in this year’s Elektra Awards.  These prestigious annual awards have been running for over 19 years to reward and recognize companies and individuals for their excellent performance, innovation and contribution to the global electronics industry.

Companies are invited to enter individual categories and must demonstrate how innovative their product is, how it addresses its intended application better than incumbent products and what additional applications or markets could be opened-up.  Judging is carried out by an independently and unbiased, diverse, and knowledgeable panel of industry experts.  Due to the current COVID restrictions the Elektra Awards ceremony this year will be held virtually on 25th March and the winners announced during the event.

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司的單片式eGaN半橋電晶體系列 榮獲《Electronic Products》雜誌頒發 2014年「年度産品大獎」

宜普電源轉換公司的單片式eGaN半橋電晶體系列 榮獲《Electronic Products》雜誌頒發 2014年「年度産品大獎」

單晶片半橋式氮化鎵功率電晶體EPC2100獲得著名電子雜誌頒發「年度産品大獎」,在競爭激烈的分離式半導體産品類別中被評選爲極具創新性的産品。

宜普電源轉換公司(EPC)的單片半橋式矽基氮化鎵(eGaN®)功率電晶體榮獲《Electronic Products》雜誌頒發2014年「年度産品大獎」。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司推出專為大電流及具高降壓比轉換器應用而設的開發板

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計,可提高電流能力達67%,其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板,專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側(控制)場效應電晶體相比,我們並聯了兩個低側(同步整流器)場效應電晶體使得傳導時間更長。

與矽MOSFET器件相比,氮化鎵場效應電晶體具備超卓的電流共用功能,為理想的可並聯工作的電晶體。這塊開發板在最優版圖 上進一步發揮採用超低電感封裝的氮化鎵場效應電晶體的性能。這種最優版圖技術提高了效率並同時降低電壓過沖及EMI。

EPC9016 開發板的最高電壓為40 V、最大輸出電流為25 A,使用半橋配置、配以EPC2015 氮化鎵電晶體及板載柵極驅動器(LM5113)。該半橋配置含單一頂部器件及兩個並聯的底部器件,建議用於具有高降壓比例的降壓轉換器應用包括負載點轉換器及給非隔離型通信基建使用的降壓轉換器應用。

EPC9016 開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件及配以最優版圖以實現最優開關性能。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形及計算效率。

隨EPC9016開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的 速查指南,內載有詳細資料。

EPC9016開發板的單價為130美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上直接購買,網址為 http://www.digikey.com/suppliers/us/efficient-power-conversion.page?&lang=en

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普电源转换公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

客户可以在我们的网页注册( http://bit.ly/EPCupdates ),定期收取EPC公司的最新产品资讯。

商标

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ( [email protected])

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分類: 新聞稿

How To GaN: Paralleling High Speed eGaN FETS for High Current Applications

This column evaluated the ability to parallel eGaN® FETs for higher output current applications by addressing the challenges facing paralleling high speed, low parasitic devices, and demonstrated an improved paralleling technique. For experimental verification of this design method, four parallel half bridges in an optimized layout were operated as a 48 V to 12 V, 480 W, 300 kHz, 40 A buck converter, and achieved efficiencies above 96.5%, from 35% to 100% load. The design method achieved superior electrical and thermal performance compared to conventional paralleling methods and demonstrated that high speed GaN devices can be effectively paralleled for higher current operation.

EEWeb
By: Alex Lidow
April, 2014

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分類: 技術文章
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