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Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

It’s okay to start using gallium-nitride (GaN) devices in your new designs. GaN transistors have become extremely popular in recent years. These wide-bandgap devices have been replacing LDMOS transistors in many power applications. For example, GaN devices are broadly being adopted for new RF power amplifiers used in cellular base stations, radar, satellites, and other high-frequency applications. In general, their ability to endure higher voltages and operate at frequencies well into the millimeter-wave (mmWave) range have them replacing traditional RF power transistors in most amplifier configurations.

Electronic Design
November, 2019
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分類: 技術文章

基於氮化鎵(eGaN)技術的汽車應用即將到來

基於氮化鎵(eGaN)技術的汽車應用即將到來

宜普電源轉換公司(EPC)的兩個車用氮化鎵電晶體成功通過了國際汽車電子協會所制定的AEC Q101離散元件可靠度驗證測試

宜普電源轉換公司宣佈其兩個車用氮化鎵(eGaN®)元件成功通過AEC Q101測試認證,可在車用及其他嚴峻環境實現多種全新應用。EPC2202EPC2203是採用晶圓級晶片尺寸封裝、80 VDS 的離散電晶體。面向嚴峻的車用環境的多個離散電晶體及積體電路也將在不久的未來推出。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化8倍的 40 V氮化鎵功率電晶體

宜普公司為功率系統設計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2049),應用於負載點(POL)轉換器、雷射雷達(LiDAR)及具低電感的馬達驅動器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2049功率電晶體,應用於負載點(POL)轉換器雷射雷達(LiDAR)波峰追蹤電源D類音頻放大器及具低電感的馬達驅動器。 EPC2049電晶體的額定電壓為40 V、最大導通阻抗為5 mΩ及脈衝輸出電流為175 A。

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分類: 新聞稿

GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers

GaN FETs Drive Fidelity and Efficiency in Class-D Audio Amplifiers

With the current maturity of Class-D audio amplifier architectures, amplifier fidelity and efficiency limitations are primarily at the device level. Silicon MOSFETs have been evolving for almost forty years, and their progress towards a perfect switch has slowed dramatically. There are some fundamental characteristics of MOSFETs that degrade sound quality and efficiency. In 2010, the enhancement mode Gallium nitride (GaN) power FET was introduced by Efficient Power Conversion (EPC), providing a large step towards the perfect switch.

Audio Engineering Society
May 11, 2017
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分類: 技術文章

EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

宜普電源轉換公司(EPC)與工程師分享經過專業製作的6個影片,展示出在最終用戶端的應用,例如無線充電桌面、高性能雷射雷達、48 V–1.8 V DC/DC單級轉換,以及利用氮化鎵電晶體及積體電路實現準確控制的馬達驅動器等應用。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw)製作了6個精簡影片,展示出在最終用戶端採用eGaN® FET及積體電路的應用。這些影片描述氮化鎵技術正在改變我們的生活方式,並挑戰功率系統設計工程師如何在他們新一代的功率系統設計中,發揮高效氮化鎵場效應電晶體及積體電路的優勢。

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分類: 新聞稿

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),對比前一代的產品,這些電晶體的尺寸減半,而且性能顯著提升。

全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的EPC2045 (7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點(POL)轉換器、USB-C及 雷射雷達(LiDAR)等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器

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分類: 新聞稿

為什麼我們的音樂生活將會是D類功放的天下?

為什麼我們的音樂生活將會是D類功放的天下?

數十年以來,音響愛好者一直認為A類功放是黃金標準。可是,目前剛剛開始的大趨勢是D類功放廣受音響發燒友青睞。為什麼呢?這是因為全新D類放大器發展快速,其性能接近A類放大器,而A類並沒有具備D類的優勢。一種全新的電晶體技術 -- 氮化鎵(GaN)技術 -- 正在改變世界高質音響領域。基於氮化鎵元件的D類放大器比傳統、基於MOSFET的D類放大器的功效更高,而且前者的性能改進可達數個數量級之多。

Audiophile Review
2016年9月19日
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分類: 技術文章

窒化ガリウムは、D級オーディオに優れた音質をもたらします

窒化ガリウムは、D級オーディオに優れた音質をもたらします
最近まで、D級オーディオに利用できるトランジスタは、パワーMOSFETだけでした。MOSFETのスイッチング特性は、D級アンプの直線性を非常に劣化させます。さらに、全高調波歪みや雑音を低減するために、フィードバック・ループの利得を高くしなければなりません。このフィードバックによって古い音が存在し続けることになり、豊かさと微妙な音色が失われる原因になります。加えて、過大な電力消費は、MOSFETベースのD級アンプのスイッチング周波数を制限します。窒化ガリウムのD級アンプは、直線性が優れているので非常にきれいな波形であり、小さなフィードバックと豊かなサウンドを実現できます。窒化ガリウム・トランジスタは、MOSFETに比べて、はるかに消費電力が小さいのでスイッチング周波数を高くすることができ、より高い分解能、より小型化が実現でき、より安価なフィルタ部品を利用できます。 窒化ガリウム・ベースのD級オーディオ・アンプは、より小型なシステムで、より豊かなサウンドを提供します。 閱讀全文
分類: 技術文章

Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驅動器亮相

Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驅動器亮相

基於氮化鎵材料的場效應電晶體正在顛覆功率轉換市場和替代矽基MOSFET。 與MOSFET相比,更快速的氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)可以在最細小的體積內實現更高的開關速度。 氮化鎵元件的承諾是可以大大縮減電源供應器的體積及重量。為了實現最高的潛在性能, 這些具備高性能的氮化鎵電晶體需要最優化的閘極驅動器。

Peregrine Semiconductor
2016年7月12日
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想元件 -- 小尺寸、具備超快速開關性能並工作在2 MHz以上頻率的單片半橋式氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想元件 -- 小尺寸、具備超快速開關性能並工作在2 MHz以上頻率的單片半橋式氮化鎵功率電晶體

氮化鎵功率電晶體 -- EPC2106爲功率系統設計師提供的解决方案可以在2 MHz以上頻率開關,從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本,因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。

宜普電源轉換公司宣佈推出單片半橋式增强型氮化鎵電晶體 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲一個集成電路可以去除互感及PCB板上元件之間所需的間隙空間,從而提高效率(尤其是在更高頻時)及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

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分類: 新聞稿

實現專業高音質及96%功率效率 -- 宜普公司的演示板採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),實現具備卓越音頻性能並節省占位空間的設計

實現專業高音質及96%功率效率 -- 宜普公司的演示板採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),實現具備卓越音頻性能並節省占位空間的設計

採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的EPC9106 D類音頻放大器參考設計展示出可以提升效率、縮减尺寸及省去散熱器之同時可以實現針對專業級消費者所要求的高音質。

宜普電源轉換公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計(EPC9106)採用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計,包含四個接地的半橋輸出功率級電路,使得設計可以升級及擴展。

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分類: 新聞稿

Panasonic breathes new life into Technics – features GaN for high speed switching

Technics is back. Panasonic has unveiled the first new hi-fi products from the highly-regarded brand in 6 years. The new Reference Class system is made up of three components – a stereo power amp, a network audio control player and a speaker system. The amp uses a JENO Digital Engine to eliminate jitter and nip noise in the bud, and Load Adaptive Phase Calibration (LAPC) for flat amplitude-phase frequency delivery. It features GaN for high speed switching while keeping signal loss low, a proprietary digital link input, analog XLR input, analog RCA input, bi-wiring speaker terminals, and a silent linear power supply.

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分類: 技術文章

How To GaN: eGaN® FETS in High Performance Class-D Audio Amplifiers

The quality of sound reproduced by an audio amplifier, measured by critical performance parameters such as THD (Total Harmonic Distortion), damping factor (DF), and T-IMD (Inter-modulation Distortion), is influenced by the characteristics of the switching transistors used. Class-D audio amplifiers typically use power MOSFETs, however, lower conduction losses, faster switching speed, and zero reverse recovery losses provided by enhancement-mode GaN (eGaN) FETs enable a significant increase in the sonic quality, and higher efficiency that can eliminate heatsinks. The result is a system with better sound quality in a smaller form factor that can be built at a lower cost.

EEWeb
By: Alex Lidow
February, 2014

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分類: 技術文章

GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time

Enhancement-mode gallium nitride transistors have been commercially available for over four years and have infiltrated many applications previously monopolized by the aging silicon power MOSFET. There are many benefits derived from the latest generation eGaN® FETs in new emerging applications such as highly resonant wireless power transfer, RF envelope tracking, and class-D audio. This article will examine the rapidly evolving trend of conversion from power MOSFETs to gallium nitride transistors in these new applications.

Power Pulse
By: Alex Lidow
February, 2014

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分類: 技術文章

專業高音質並可實現96%效率 – 宜普公司推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)演示板,實現具備高質音訊性能並可以節省空間的設計

EPC9106 D類音頻放大器參考設計使用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體,展示在提升效率、縮小產品尺寸及不需散熱器之同時可實現具專業消費類水準的高質音響效果。

宜普電源轉換公司推出150 W、8 Ω D類音頻放大器的參考設計(EPC9106)。該演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計,配置四個具接地連接的半橋輸出級電路,為可升級及可拓展的設計。在這個基於氮化鎵場效應電晶體的系統中,我們把所有可影響D類音頻系統音質的元素減至最少或完全去除。

EPC9106演示板含EPC2016氮化鎵場效應電晶體及德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器(LM5113)。該板展示了使用具備高頻開關性能的氮化鎵場效應電晶體並配備專有驅動器LM5113,可以實現小尺寸、高音質的理想效果。EPC9106演示板的設計由於高效,因此可以完全不用散熱器,因此也可以減低發生EMI/EMC發射的機會。

EPC9106開發板的超小型電源模組(11 mm x 11 mm)包含氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)、驅動器、電感器及輸出/輸入電容。尺寸雖小,EPC9106參考設計在150 W、8 Ω可實現96%效率,並在250 W、4 Ω實現92%效率。

客戶如果對我們的D類音頻放大器中的氮化鎵場效應電晶體及以上的演示板有興趣,我們可以安排FAE工程師與您會面。請聯繫:

氮化鎵場效應電晶體器件的設計資訊及技術支援:

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])[email protected])

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