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與矽MOSFET相比,宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET產品系列 為業界樹立了全新的性能基準

與矽MOSFET相比,宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的100 V eGaN FET產品系列 為業界樹立了全新的性能基準

新一代100 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂及雷射雷達系統的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款100 V eGaN FET(EPC2218EPC2204),性能更高並且成本更低,可立即供貨。採用這些先進氮化鎵元件的應用非常廣闊,包括同步整流器、D類音訊放大器、汽車資訊娛樂系統、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式)和面向全自動駕駛車輛、機械人及無人機的雷射雷達系統

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分類: 新聞稿

面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT,它的性能優於MOSFET

面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT,它的性能優於MOSFET

矽功率MOSFET未能跟上電力電子行業的發展變化,而效率、功率密度和更小的外型尺寸等因素是行業的主要需求。 矽MOSFET元件的性能已達到其理論極限,並且由於電路板的空間非常寶貴,因此功率系統設計人員必需找出替代方案。 氮化鎵(GaN)元件是一種高電子遷移率電晶體(HEMT),這種半導體正為新興應用不斷增值。

EETimes
2020年8月
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分類: 技術文章

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

就像生活要面對現實一樣,老年人離開舞臺而讓位給年輕人,矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及,正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展,電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是,在業界發展的新時代,隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限,其演進速度下降了很多。 同時,新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展,其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍,並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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分類: 技術文章

虛擬圓桌會議 : 用於D類音訊放大器的氮化鎵元件與矽元件的比較(第2部份,共2部份)

虛擬圓桌會議 : 用於D類音訊放大器的氮化鎵元件與矽元件的比較(第2部份,共2部份)

在EEWorld “虛擬圓桌會議” 關於D類音訊的討論的第二部份中,我們的小組成員深入探討了新興氮化鎵元件(GaN)對D類設計的影響:矽元件在哪方面仍然佔主導地位? 在D類放大器中使用GaN的性能優勢是什麼? D類放大器中GaN與矽的未來預期趨勢如何?

參加這個虛擬圓桌會議包括Analog Devices公司音訊系統架構師Joshua LeMaire(JL)、 宜普電源轉換公司(EPC)戰略技術銷售副總裁Steve Colino(SC)和 英飛淩(Infineon )D類音訊應用工程主管Jens Tybo Jensen(JTJ)。

EEWorld Online
2020年7月
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分類: 技術文章

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

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分類: 新聞稿

氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

中壓氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的成本在三年前已經比等效額定功率MOSFET器件的成本更低。當時,EPC公司決心利用氮化鎵場效應電晶體的性能及成本效益優勢,積極研發及支持48 V輸入或輸出的應用。車用及電腦應用的48 V 轉換逐漸成為全新的架構,也成為了功率系統的全新標準。

Power Systems Design
2020年3月31日
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分類: 技術文章

面向多種功率應用的氮化鎵電晶體

面向多種功率應用的氮化鎵電晶體

矽功率MOSFE追不上目前功率電子業界的演進步伐 -- 業界需要具備高效、高功率密度及細小的外型尺寸的元件。業界看到矽MOSFET已經達到它的理論極限,從而需要找出全新元件。氮化鎵(GaN)是一種HEMT元件,具備附加增值的優勢,被證明為可以支持全新應用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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分類: 技術文章

採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器積體電路可以提升低壓負載點轉換器的性能

採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器積體電路可以提升低壓負載點轉換器的性能

本文闡析面向12 V輸入電壓轉到1 V輸出電壓的負載點轉換器,如果採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器,可以顯著提升性能。從文章中展示的uPI1966D設計範例可以看到,EPC公司的不對稱氮化鎵半橋場效應電晶體EPC2100與uPI半導體公司的雙通道同步驅動器積體電路是非常匹配的。

How2Power Today
2019年12月
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分類: 技術文章

Go-ahead for GaN

Go-ahead for GaN

It’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs, says Alex Lidow. There are many reasons to use GaN-on-Si power transistors such as eGaN FETs, in telecoms, vehicles, healthcare and computing. Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Si devices have spent a decade gaining the confidence and trust of designers across the spectrum of power conversion applications.

Electronic Specifier
November 20, 2019
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分類: 技術文章

EPC Partners with Solace Power to Incorporate Highly Efficient, Low Cost eGaN FETs for Its Upcoming 250-Watt Wireless Power Platforms

EPC Partners with Solace Power to Incorporate Highly Efficient, Low Cost eGaN FETs for Its Upcoming 250-Watt Wireless Power Platforms

Efficient Power Conversion (EPC) provides gallium nitride-based power devices for Solace Power’s 250 W wireless power platforms to enable higher power solutions and faster design cycle times.

EL SEGUNDO, Calif.— September 2019 — EPC announces collaboration with Solace Power, a leading wireless power, sense and data company, to enable 250-watt wireless power solutions designed for 5G, aerospace, automotive, medical, and industrial applications. Solace Power’s intelligent wireless platform use EPC’s 200 V enhancement-mode gallium nitride (eGaN®) power transistors. This modular platform shares the same Equus™ architecture and enables up to 250 Watts of transmitted power with superior six degrees of spatial freedom.

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分類: 新聞稿

DC-DC Conversion for 48 V – 12 V Automotive Applications

DC-DC Conversion for 48 V – 12 V Automotive Applications

GaN transistors, with favorable figures of merit (FOM) for 48 V applications, can provide a reduction in size, weight, and bill of material costs. This article presents a five-phase, fully regulated, bidirectional 48 V to 12 V DC-DC converter. An advancedthermalmanagement solution suitable for use with eGaN FETs results in a system that can provide 3kW of power at an efficiency exceeding 97.5% into a 14.5 V battery.

Power Systems Design
July, 2019
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分類: 技術文章

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向48 V DC/DC電源轉換、馬達控制及雷射雷達應用的100 V氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向48 V DC/DC電源轉換、馬達控制及雷射雷達應用的100 V氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2052功率電晶體是一種100 V、13.5 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現74 A脈衝輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器,這些新一代氮化鎵場效應電晶體工作在500 kHz頻率下,可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時,則實現超過96%的效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應電晶體,其占板面積只是2.25平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為13.5 mΩ及脈衝輸出電流高達74 A 以支援高效功率轉換。

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分類: 新聞稿

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

When the issue invariably turns to the packaging of the power semiconductor – transistor, diode, or integrated circuit – the requests for improvement fall into six categories:

1. Can you make the package smaller?
2. Can you reduce the package inductance?
3. Can you make the product with lower conduction losses?
4. Can you make the package more thermally efficient?
5. Can you sell the product at a lower price?
6. Can you make the package more reliable?

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分類: 技術文章

為什麼採用氮化鎵元件?

為什麼採用氮化鎵元件?

氮化鎵技術已經成熟至可以挑戰傳統的矽技術。從2010年起,商用的低壓矽基氮化鎵功率元件實現了很多全新應用。具備高速開關性能的氮化鎵元件也推動了全新市場的出現,例如雷射雷達、波峰追蹤及無線電源市場。這些全新應用有助供應鏈的開發、實現低製造成本及良好的元件可靠性記錄。這一切對於比較保守的DC/DC轉換器、AC/DC轉換器及車載應用的設計工程師來說,是很好的理據,是時候開始對氮化鎵元件進行評了。本文探討加快採納氮化鎵元件的各項因素。

Electronics Weekly
2019年1月
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分類: 技術文章

EPC擴大亞洲團隊,針對客戶解決方案釋放創新力量

EPC擴大亞洲團隊,針對客戶解決方案釋放創新力量

作為為支持DC/DC、雷射雷達(LiDAR)、無線電源應用等方面不斷擴大的客戶群進行擴展的一部分,宜普電源轉換公司(EPC)擴大了其在亞洲的團隊,增加的新成員將與整個亞太地區21個地區的客戶保持密切聯繫。

2018年11月28日— 為了支援在亞太地區正在加速的銷售增長,宜普電源轉換公司(EPC)宣佈擴大亞太地區的銷售和FAE團隊,以支援其不斷擴大的客戶群,積極獲取全新的業務發展及抓緊全新的市場商機。

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分類: 新聞稿

eGaN FET-Based Synchronous Rectification

eGaN FET-Based Synchronous Rectification

As GaN-on-Si becomes more common in DC-DC converter designs, questions often arise from experienced designers about the impact of the unique characteristics of GaN transistors when used as synchronous rectifiers (SRs). In particular, the third quadrant off-state characteristics, better known as “body diode” conduction in Si MOSFETs, which is activated during converter dead-time, is of interest. For this article, the focus will be on the similarities and differences of Si MOSFETs and eGaN® FETs when operated as a “body diode” and outline their relative advantages and disadvantages.

Bodo’s Power Systems
By David Reusch & John Glaser
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分類: 技術文章

Efficient Power Conversion (EPC) Announces MIGVAN as Sales, Marketing, and Technical Support Partner for Israel

Efficient Power Conversion (EPC) Announces MIGVAN as Sales, Marketing, and Technical Support Partner for Israel

MIGVAN now represents EPC’s Israel sales, marketing, and technical support to assist customers in adopting eGaN® FETs and ICs for leading-edge power conversion systems using gallium nitride

EL SEGUNDO, Calif.— October 2017 — To support its accelerating growth throughout Israel, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce the appointment of MIGVAN as its sales, marketing, and technical support representative.  MIGVAN Technologies & Engineering Ltd, founded in 1988, is devoted to promoting and selling advanced technology electronic components and subsystems to the Israeli electronics industry.

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分類: 新聞稿

一位科學家的自述:曾為世界節省15%的電量,如今找到矽的替代物

一位科學家的自述:曾為世界節省15%的電量,如今找到矽的替代物

這位在40年前成為博士的科學家曾為世界節省了15%電量,如今他正繼續自己的創新之旅,為人類找到了矽的全新替代材料。

我父親常常教導我:一個人的真正價值,是通過他對社會所作出的貢獻來衡量的。 1975年我進入研究生院學習,那時我的興趣在半導體領域,並且認為我對社會最大的貢獻,就是找到可以替代矽的半導體材料。我的研究生畢業課題從圍繞砷化鎵展開,但是直到在1977年獲得博士學位後,我才發現,作為一種半導體材料,砷化鎵受其基本材料特性所影響,它的應用前景非常有限,於是我轉而專注於研究如何製造出更好的矽基器件。

財富中文網 (Fortune China)
2017年6月15日
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分類: 技術文章

等同于CMOS的竞争对手 -- 氮化镓(GaN)技术引燃了改变市场的创新动力

從業界的觀點來看,只有可以爲人類提供效益及性能優勢的技術才能够生存。 主流技術CMOS就是一直爲業界提供無比的益處而得以長存。 當下的問題是CMOS技術將會變成夕陽産業嗎?新興的氮化鎵技術終於能够打破阻礙氮化鎵功率元件普及化的成本障礙。根據2015年DesignCon研討會的主講嘉賓所描述,氮化鎵技術可推動寬泛範圍的新興應用的發展,包括從無綫充電、全自動汽車以至更高效的移動通訊等應用。

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EETimes Asia
2015年2月

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分類: 技術文章
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