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面向宇航應用的氮化鎵電晶體

面向宇航應用的氮化鎵電晶體

氮化鎵功率電晶體是面向嚴苛航太任務的功率和射頻應用的理想元件。 通過全新基於eGaN®元件的解決方案,EPC Space公司提供專門為商業衛星關鍵應用而設計的氮化鎵元件,可確保元件的耐輻射性能和對單粒子效應的免疫能力。 這些元件具有極高的電子遷移率、低溫度系數和非常低的導通阻抗。

EETimes
2020年7月
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分類: 技術文章

Thermal design for a high density GaN-based power stage

Thermal design for a high density GaN-based power stage

eGaN FETs and ICs enable very high-density power converter design, owing to their compact size, ultra-fast switching, and low on-resistance. The limiting factor for output power in most high-density converters is junction temperature, which prompts the need for more effective thermal design. The chip-scale packaging of eGaN FETs and ICs offer six-sided cooling, with effective heat extraction from the bottom, top, and sides of the die. This article presents a high-performance thermal solution to extend the output current capability of eGaN-based converters.

EDN
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2051功率電晶體是一種100 V、25 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現37 A脈衝輸出電流。EPC2051是多種應用的理想元件,包括48 V功率轉換器、雷射雷達及LED照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體,其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A 以支援高效功率轉換。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體,推動 12 V轉至1.8 V系統在5 MHz、14 A輸出電流下實現超過85%效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體,推動 12 V轉至1.8 V系統在5 MHz、14 A輸出電流下實現超過85%效率

EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用,在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率,及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體EPC2111)。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體形成單個元件,可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度,而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

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分類: 新聞稿

Getting from 48 V to load voltage

Getting from 48 V to load voltage

Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors:
The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with higher efficiency and higher power density than possible with previous Si MOSFET based architectures.

Power Systems Design
David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
January, 25, 2016
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分類: 技術文章

於無刷式直流伺服馬達,採用矽器件與採用氮化鎵場效應電晶體的功率逆變器的比較

由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院(Robotics and Mechatronics Institute )對改善感測器及功率電子的興趣很大,我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司(EPC)的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 :Bodo’s Power Systems
作者:德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期:2014年3月

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分類: 技術文章

高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素

在開關頻率10 MHz或以上,電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件,由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)提供無可匹敵的器件性能及封裝,因此可以在高頻時提高電源轉換效率。

Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月

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分類: 技術文章
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