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基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

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分類: 新聞稿

Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

Radiated EMI Filter Design for an eGaN FET Based ZVS Class D Amplifier in 6.78MHz Wireless Power Transfer

In this installment, we present a method to design a suitable EMI filter that can reduce unwanted frequencies to levels within radiated EMI specifications, and do this without negatively impacting the performance of the wireless power coil. In addition, the overall radiated EMI design aspects will also be covered.

EEWeb - Wireless & RF Magazine
Michael de Rooij, Ph.D.
February, 1, 2016
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)擴大面向無綫電源充電應用 的超小型及低成本eGaN FET產品系列

宜普電源轉換公司(EPC)擴大面向無綫電源充電應用 的超小型及低成本eGaN FET產品系列

EPC2037增强型氮化鎵功率電晶體(100 V、1 A、550 mΩ)由一個數字驅動器直接驅動,於採用D類及E類放大器拓撲的無綫充電應用中可以實現高頻開關及特別優越的性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增强型氮化鎵功率電晶體(eGaN®FET)系列的最新成員 -- EPC2037

EPC2037(100 VDS、1 A)非常小型(1.82 mm2)及在閘極上施加5 V電壓時的最大導通阻抗爲 550 mΩ。 由於它具備超高開關頻率、低導通阻抗值、異常低的QG值及採用超小型封裝,因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。EPC2037由一個數字邏輯集成電路直接驅動,因此不需額外及高成本的驅動器集成電路。

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分類: 新聞稿
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