The combination of the Renesas dual synchronous GaN buck controller and ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enables high power density and efficiency with the same BOM size and cost as silicon.

EL SEGUNDO, Calif.—  February, 2021 — EPC announces the availability of the EPC9157, a 300 W DC-DC demo board in the tiny 1/16^th brick size, measuring just 33 mm x 22.9 mm x 9mm (1.3 x 0.9 x 0.35 in). The EPC9157 demo board integrates the Renesas ISL81806 80 V dual synchronous buck controller with the latest-generation EPC2218 eGaN FETs from EPC to achieve greater than 95% efficiency for 48 V input to 12 V regulated output conversion at 25 A.  

The combination of MPS (Monolithic Power Systems) controllers with ultra-efficient eGaN^® FETs from EPC (Efficient Power Conversion) enable best-in-class power density of 1700 W/in³ in high efficiency, low cost LLC DC-DC Conversion

面向高功率密度和低成本的DC/DC轉換，EPC9151功率模組利用EPC2152 ePower™功率級實現性能更高和尺寸更小的解決方案。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC9151，这是一款300 W、雙向、超小尺寸的1/16磚型DC/DC降壓轉換器模組，其尺寸僅為33 mm x 22.9 mm (1.3”x 0.9”)。EPC9151採用Microchip公司的數位信號控制器（dsPIC33CK）和EPC公司的 ePower™ 功率級集成电路（EPC2152），於300 W、48 V/12 V的轉換器中，可以實現95％以上的效率，而且可以在這個可擴展的兩相設計中增加相數，使得功率可以更高。

宜普電源轉換公司（EPC）推出170 V、6.8毫歐的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaN^® FET），相比目前用於高性能48 V同步整流的元件，EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。

宜普電源轉換公司是增強型矽基氮化鎵（eGaN）功率場效應電晶體和積體電路的全球領先供應商，旨在提高產品性能而同時降低可發貨的氮化鎵電晶體的成本，推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應電晶體，是100 V ~ 200 V解決方案系列的最新產品，該系列適用於廣闊的功率級並備有不同價格的元件可供選擇，滿足市場對48 V ~ 56 V伺服器和數據中心產品，以及一系列用於高端運算的消費類電源應用（包括遊戲PC，LCD / LED電視和LED照明）不斷增長的需求。

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了６個影片，針對元件可靠性及基於氮化鎵場效應電晶體及積體電路的各種先進應用，包括面向人工智慧的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的雷射雷達系統，以及Ｄ類放音訊放大器。

宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的影片播客系列。剛剛上載的六個影片主要分享實用範例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智慧伺服器及超薄筆記型電腦的先進DC/DC轉換器、面向機械人、無人機及自動駕駛車輛的雷射雷達系統，以及實現有可能是具有最高音質的音訊系統。

根據預測，到2025年，我們的數據將會超過175 zettabyte。當發明了 5G並將最早於2020年在日本舉行的奧運採用、以及通過人工智慧（AI）及機器學習（ML）的發展，建立數據中心和其部署、以及提升目前較舊的數據中心的效能，將進入突飛猛進的時代。

我深信氮化鎵（GaN）功率電晶體是數據中心功率架構的最理想元件，因為需要小型化、高效及快速開關的元件。氮化鎵元件在具48 VIN的所有拓撲，都可以實現最高的效率。

EDN
2019年6月
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EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
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宜普電源轉換公司（EPC）推出兩個全新100 V氮化鎵元件，可以支援伺服器及汽車應用的48 V轉換的要求。 我將在處理器、車用及能量存儲系統等方面探討48 V伺服器的功率轉換解決方案（可參考我的文章 “雙向DC/DC電源供電: 我們應該如何取向？”），未來將在EDN文章中看到。氮化鎵功率電晶體必需是這些不同架構的一部份 -- 我相信沒有其他更優越的元件可以替代氮化鎵元件了 。

Planet Analog
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New converter topologies and power transistors promise to reduce the size and boost the efficiency of supplies that will run next-generation Artificial Intelligence (AI) platforms. In all the topologies with 48 V_IN, the highest efficiency comes with using GaN devices. This is due to their lower capacitance and smaller size. With recent pricing declines in GaN power transistors, the cost comparison with silicon-based converters now strongly favors GaN in all the leading-edge solutions.

Power Electronic Tips
March, 2019
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With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在48 V匯流排架構出現後，我們可採用全新、基於氮化鎵（GaN）電晶體的混合式轉換器，以實現超過95%峰值效率及225 W/in³ 功率密度。對於節能的數據中心來說，輕負載效率非常重要。基於氮化鎵電晶體的轉換器在轉換至20%負載時，可保持高於90%的效率。

PowerPulse
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EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用，在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率，及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2111）。透過整合兩個eGaN^®功率場效應電晶體形成單個元件，可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度，而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

During last week's PCIM Europe event in Nuremberg, Germany, direct 48V-to-1V power conversion architectures were a significant topic. “The use of GaN switches in 48V-to-1V direct dc-dc converters can improve system performance by 30%, compared with today’s best silicon-based designs,” commented Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion.

PowerPulse
May 31, 2017
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Max Smolaks歡迎於電源鏈(power chain)即將替代矽材料的全新氮化鎵材料。

在過去的35年裡，電源供電一直採用功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) –利用電壓受控的矽元件進行開關及利用電場允許或阻止電流的流通。

Data Center Dynamics
2017年4月19日
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在深度學習盛行下，數據中心的功率密度再次備受關注，並且產生了全新的商業機遇，包括支援30 kW/rack 以上的設備內的專有雲端服務，以及為提高系統能效以解決功率密度問題的功率轉換公司提供機遇 。氮化鎵是電源轉換晶片的全新半導體材料，可替代矽元件、實現體積小很多、能效更高及開關速度快速很多的元件。

Data Center Knowledge
2017年2月
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在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何帶領業界採用氮化鎵（GaN）技術，實現革命性的突破。

由於氮化鎵元件比矽元件高效，因此使數據中心節省大量能源，並且極具潛力可以推動電腦產業超越摩爾定律。

insideHPC
2016年7月20日
收聽訪問

資訊的數學基礎始於資訊理論之父Claude Shannon於1948的著作《通信的數學理論》。他把資訊通信簡化為1及0數位，實質上是二進位數字。該理論可以於現實世界中有雜訊的環境下，準確無誤地傳輸數據。Shannon在2016年4月30日本來是他的百年誕辰。

EDN Network
Steve Taranovich
2016年4月16日
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備受關注的議題諸如能源採集及無線電源傳輸將很大機會於下星期舉行的APEC會議亮相。與會者將關注並監控氮化鎵電晶體的發展。可是，持續提高數據中心的電能傳輸的效率將會是多家公司的“bread-and-butter”重要目標。

EE Times
半導體產業分析師、顧問Stephan Ohr
2016年3月16日
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The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors:
The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with higher efficiency and higher power density than possible with previous Si MOSFET based architectures.

Power Systems Design
David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
January, 25, 2016
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