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宜普電源轉換公司(EPC)推出具有最優越的同步整流性能和極具成本效益的170 V eGaN FET,搶佔高端伺服器和消費類電源應用市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出具有最優越的同步整流性能和極具成本效益的170 V eGaN FET,搶佔高端伺服器和消費類電源應用市場

宜普電源轉換公司(EPC)推出170 V、6.8毫歐的EPC2059氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET),相比目前用於高性能48 V同步整流的元件,EPC為設計工程師提供更小型化、更高效、更可靠且成本更低的元件。

宜普電源轉換公司是增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領先供應商,旨在提高產品性能而同時降低可發貨的氮化鎵電晶體的成本,推出EPC2059(6.8 mΩ、170 V)氮化鎵場效應電晶體,是100 V ~ 200 V解決方案系列的最新產品,該系列適用於廣闊的功率級並備有不同價格的元件可供選擇,滿足市場對48 V ~ 56 V伺服器和數據中心產品,以及一系列用於高端運算的消費類電源應用(包括遊戲PC,LCD / LED電視和LED照明)不斷增長的需求。

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分類: 新聞稿

eGaN FET實現具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解決方案, 用於超薄且高密度的計算應用

 eGaN FET實現具有98%效率、250 W、48 V DC/DC解決方案, 用於超薄且高密度的計算應用

基於宜普電源轉換公司(EPC)超高效eGaN® FET的兩種高功率密度DC/DC轉換器,推動超薄筆記型電腦、顯示器、高端遊戲系統和其他纖薄型消費電子產品實現高效解決方案

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出用於48 V DC/DC轉換的EPC9148EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模組,採用簡單且低成本的同步降壓配置,峰值效率高達98.2%,其元件的最大厚度為6.5 毫米。 EPC9148使用多電平拓撲結構,元件的最大厚度小於4 毫米,峰值效率為98%。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新積體電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出80 V、12.5 A的功率級積體電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

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分類: 新聞稿

氮化鎵(GaN)技術的最新發展是什麼?

氮化鎵(GaN)技術的最新發展是什麼?

知名企業領袖 - 宜普電源轉換公司(EPC)首席執行官Alex Lidow於2009年在市場推出第一個氮化鎵電晶體。 經過了10年的氮化鎵產品銷售,DESIGN & ELEKTRONIK 雜誌編輯Ralf Higgelke與Alex會面並談論氮化鎵技術的最新發展。

DESIGN & ELEKTRONIK雜誌
2020年2月20日
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分類: 技術文章

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

Qualifying and Quantifying GaN Devices for Power Applications

It’s okay to start using gallium-nitride (GaN) devices in your new designs. GaN transistors have become extremely popular in recent years. These wide-bandgap devices have been replacing LDMOS transistors in many power applications. For example, GaN devices are broadly being adopted for new RF power amplifiers used in cellular base stations, radar, satellites, and other high-frequency applications. In general, their ability to endure higher voltages and operate at frequencies well into the millimeter-wave (mmWave) range have them replacing traditional RF power transistors in most amplifier configurations.

Electronic Design
November, 2019
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分類: 技術文章

GaN in Space

GaN in Space

This article discussed an oft forgotten or little-noticed part of the spacecraft enabling travel into outer space---power management in the space vehicle. Wide bandgap semiconductors like gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), as well as diamond, are looking to be the most promising materials for future electronic components since the discovery of silicon. These technologies, depending upon their design, offer huge advantages in terms of power capability (DC and microwave), radiation insensitivity, high temperature and high frequency operation, optical properties and even low noise capability. Therefore, wide bandgap components are strategically important for the development of next generation space-borne systems. eGaN devices are quickly gaining momentum in the space industry and we will see many more applications for them by NASA and commercial contractors in future programs like Artemis and other programs in countries around the globe pursuing efforts into Space.

Power Systems Design
November, 2019
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分類: 技術文章

Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications

Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications

Ahead of December’s Power Conference in Munich, Bodo Arlt took the opportunity to get an insight into Alex Lidow’s thoughts on where the GaN market is now and where he sees the potential applications for the future. Dr. Lidow is the CEO and Co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).

Bodo’s Power Systems
November, 2019
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數據中心的發展於2019年將進入突飛猛進的時代

數據中心的發展於2019年將進入突飛猛進的時代

根據預測,到2025年,我們的數據將會超過175 zettabyte。當發明了 5G並將最早於2020年在日本舉行的奧運採用、以及通過人工智慧(AI)及機器學習(ML)的發展,建立數據中心和其部署、以及提升目前較舊的數據中心的效能,將進入突飛猛進的時代。

我深信氮化鎵(GaN)功率電晶體是數據中心功率架構的最理想元件,因為需要小型化、高效及快速開關的元件。氮化鎵元件在具48 VIN的所有拓撲,都可以實現最高的效率。

EDN
2019年6月
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分類: 技術文章

氮化鎵正面攻擊矽功率MOSFET元件

氮化鎵正面攻擊矽功率MOSFET元件

目前的氮化鎵場效應電晶體在尺寸及性能方面以飛快的速度發展,而目前為業界樹立基準的氮化鎵元件的性能還可以提升多300倍。

最早採用氮化鎵元件的應用是利用氮化鎵的超快速開關速度,例如面向全自動駕駛車輛和無人機的雷射雷達系統、機械人,以及4G/LTE基站。氮化鎵元件的產量一直在增加,而其價格跟開關速度更慢、尺寸更大型和日益陳舊的MOSFET元件相約。因此,目前正是氮化鎵元件正面攻擊MOSET的時候!。

Bodo’s Power Systems
2019年6月
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分類: 技術文章

氮化鎵技術可以提升面向伺服器及汽車應用的48 V DC/DC 功率轉換的效率

氮化鎵技術可以提升面向伺服器及汽車應用的48 V DC/DC 功率轉換的效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出兩個全新100 V氮化鎵元件,可以支援伺服器及汽車應用的48 V轉換的要求。 我將在處理器、車用及能量存儲系統等方面探討48 V伺服器的功率轉換解決方案(可參考我的文章 “雙向DC/DC電源供電: 我們應該如何取向?”),未來將在EDN文章中看到。氮化鎵功率電晶體必需是這些不同架構的一部份 -- 我相信沒有其他更優越的元件可以替代氮化鎵元件了 。

Planet Analog
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分類: 技術文章

氮化鎵的雷霆威力及演變

氮化鎵的雷霆威力及演變

從2010年開始,自矽基氮化鎵(GaN)電晶體商用化後,低壓氮化鎵電晶體推動了很多全新應用的發展。氮化鎵元件具備超快速開關,推動全新市場諸如雷射雷達、波峰追蹤及無線電源市場的出現。這些全新應用進一步實現更強大的供應鏈、低製造成本及元件前所未有的高可靠性。這些優勢使得比較保守的設計工程師在DC/DC轉換器、AC/DC轉換器及車載等各種應用開始對氮化鎵元件進行評估。在本文章系列,我們將討論多種發揮氮化鎵元件優勢的應用,實現最終產品差異化的競爭優勢。首先,我們會探討是甚麼因素加快了氮化鎵元件的普及。

Power Systems Design
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分類: 技術文章

EPC to Showcase High Power Density DC-DC Conversion for Computers and Cars, as well as Multiple High Frequency Applications Using eGaN FETs and Integrated Circuits at PCIM Europe 2018

EPC to Showcase High Power Density DC-DC Conversion for Computers and Cars, as well as Multiple High Frequency Applications Using eGaN FETs and Integrated Circuits at PCIM Europe 2018

Efficient Power Conversion (EPC) will exhibit live demonstrations at PCIM Europe 2018 showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for entire industries including computing, communications, and automotive.

EL SEGUNDO, Calif. — May 2018 — The EPC team will be delivering five technical presentations on gallium nitride (GaN) technology and applications at PCIM Europe 2018 in Nuremberg, Germany from June 5th through the 7th. In addition, in Hall 7, Stand 539, the company will exhibit its latest eGaN® FETs and ICs in customers’ end products that are enabled by eGaN technology.

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)於2018年WiPDA寬能隙功率半導體元件及應用論壇與工程師作技術交流

宜普電源轉換公司(EPC)於2018年WiPDA寬能隙功率半導體元件及應用論壇與工程師作技術交流

EPC公司的“2018年中國路演”繼續展開行程,於5月17至19日在西安舉行的首次亞太區WiPDA研討會中與工程師分享最新的氮化鎵技術發展。

宜普電源轉換公司“2018年中國路演”於3月14日在深圳舉行的首屆AirFuel無線充電大會暨開發者論壇出發,繼而由其首席執行官兼共同創辦人Alex Lidow於3月15日在上海由中國SEMI舉辦的功率及功率暨化合物半導體論壇作開幕專題演講。路演的下一站是於5月17-19日在西安舉行的首次亞太區WiPDA論壇,與工程師作技術交流並展示其最新的eGaN®元件。之後,我們將於6月26–28日在上海舉行的亞太區PCIM會議演講,與工程師分享採用氮化鎵元件的無線電源傳送應用和面向全自動汽車的雷射雷達系統。

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分類: 新聞稿

EPC at APEC 2018 by EE Online

EPC at APEC 2018 by EE Online

EPC CEO & Co-Founder, Alex Lidow gives Lee Teschler from EE World Online a tour of the EPC booth at APEC 2018 where EPC demonstrations included a high-power density 48 V – 12 V non-isolated converter capable of delivering over 700 W. In addition, a range of 3-D real-time LiDAR imaging sensors used in autonomous vehicles were displayed. Also, a single desktop implementing a high power resonant wireless charging solution capable of generating 300 W to wirelessly power a wide range of devices including cell phones, notebook computers, monitors, wireless speakers, smart watches, and table lamps.

View videos below.

How eGaN Transistor Technology Improves LiDAR Performance
Why Gate Drivers are Joining eGaN Transistors on the Same Chip
Graphics-Intensive Applications Benefit From Power-Dense eGaN® DC-DC Converters
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)的專家攜手與工程師發揮氮化鎵元件及積體電路的最高性能,不僅替代MOSFET元件,更為市場帶來創新設計

宜普電源轉換公司(EPC)的專家攜手與工程師發揮氮化鎵元件及積體電路的最高性能,不僅替代MOSFET元件,更為市場帶來創新設計

EPC公司在3月14至16日於中國深圳及上海各大論壇及展會亮相,展示氮化鎵技術的卓越性能如何為整個半導體業界帶來全新電源轉換設計思路,包括無線充電、DC/DC、雷射雷達及汽車等應用領域。

EPC公司的管理及技術團隊在中國深圳及上海於3月14至16日舉行的各大業界論壇及展會上,與工程師會面並作技術交流。EPC團隊分享了如何發揮氮化鎵場效應電晶體(GaN FET)及積體電路的最高性能、創新設計,從而為工程師及其客戶,打造共創共贏新局面。

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分類: 新聞稿

EPC Introduces Two eGaN ICs Combining Gate Drivers with High Frequency GaN FETs for Improved Efficiency, Reduced Size and Lower Cost

EPC Introduces Two eGaN ICs Combining Gate Drivers with High Frequency GaN FETs for Improved Efficiency, Reduced Size and Lower Cost

EPC2112 and EPC2115 GaN-based monolithic integrated solutions offer power systems designers the ability to increase efficiency in an extremely small size.

EL SEGUNDO, Calif. — March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) announces the EPC2112 and EPC2115 enhancement-mode monolithic GaN power transistor with integrated driver products. The EPC2112 is a 200 V, 40-mΩ eGaN® FET plus integrated gate driver. In comparison, the EPC2115 is an integrated circuit with dual 150 V, 70-mΩ eGaN FETs plus gate drivers. Both products are capable of operating up to 7 MHz and are available in low inductance, extremely small, 2.9 mm x 1.1 mm BGA surface-mount passivated die.

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分類: 新聞稿

EPC to Showcase Industry-Leading Performance in High Power Density DC-DC Conversion and Multiple High Frequency Applications Using eGaN Technology at APEC 2018

EPC to Showcase Industry-Leading Performance in High Power Density DC-DC Conversion and Multiple High Frequency Applications Using eGaN Technology at APEC 2018

EPC will exhibit live demonstrations showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for entire industries including computing, communications, and automotive.

EL SEGUNDO, Calif. — February 2018 — The EPC team will be delivering seven technical presentations on gallium nitride (GaN) technology and applications at APEC 2018 in San Antonio, Texas from March 4th through the 8th. In addition, the company will demonstrate its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are enabled by eGaN technology.

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分類: 新聞稿

Will GaN and the Tesla SpaceX car survive space radiation? Yes and no.

Will GaN and the Tesla SpaceX car survive space radiation? Yes and no.

Two space travel related stories hit my desktop this week; one that rapidly generated major international headlines and one that slid very quietly onto my email screen.

The headline-hitter was the successful launch of Elon Musk’s SpaceX rocket with its payload of a Tesla sports car, complete with a dummy driver at the wheel. The second was about Gallium Nitride technology that would be suitable for space applications.

Electro Pages
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分類: 技術文章

EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

EPC推出影片系列《GaN如何改變我們的生活方式》

宜普電源轉換公司(EPC)與工程師分享經過專業製作的6個影片,展示出在最終用戶端的應用,例如無線充電桌面、高性能雷射雷達、48 V–1.8 V DC/DC單級轉換,以及利用氮化鎵電晶體及積體電路實現準確控制的馬達驅動器等應用。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw)製作了6個精簡影片,展示出在最終用戶端採用eGaN® FET及積體電路的應用。這些影片描述氮化鎵技術正在改變我們的生活方式,並挑戰功率系統設計工程師如何在他們新一代的功率系統設計中,發揮高效氮化鎵場效應電晶體及積體電路的優勢。

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