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EPC: Ahead of the Pack

EPC: Ahead of the Pack

EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
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分類: 技術文章

Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors

Evaluation of measurement techniques for high speed GaN transistors

The increase in switching speed offered by GaN transistors requires good measurement technology, as well as good techniques to capture important details of high-speed waveforms. This article focuses on how to leverage the measurement equipment for the user’s requirement and measurement techniques to accurately evaluate high performance GaN transistors. The article also evaluates high bandwidth differential probes for use with non-ground-referenced waveforms.

EDN Network
By Suvankar Biswas , David Reusch & Michael de Rooij
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分類: 技術文章

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出專爲電訊、工業及醫療應用而設、具寬泛的輸入電壓範圍、20 A輸出電流並基於氮化鎵電晶體的降壓轉換器演示板

宜普電源轉換公司(EPC)推出專爲電訊、工業及醫療應用而設、具寬泛的輸入電壓範圍、20 A輸出電流並基於氮化鎵電晶體的降壓轉換器演示板

EPC9118演示板展示採用具高頻開關優勢、電源電壓在48 V或以上的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可易於實現更小型及具更高效率的電源轉換解决方案。

宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 --EPC9118演示板,可支持30 V至60 V輸入電壓並转至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它採用EPC2001 及EPC2015增强型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體(FET)及LTC3891降壓控制器。這個降壓轉換器設計是電訊、工業及醫療應用所需的配電解决方案的理想設計。

EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(包括氮化鎵場效應電晶體、驅動器、電感器及輸入/輸出電容),可實現的性能與氮化鎵場效應電晶體並配合一個傳統MOSFET控制器相同。EPC9118演示板是一塊2.5”的方塊,已包含使用經過優化的控制環路的全閉環降壓轉換器。

演示板雖然小型,它的峰值效率超過93%, 可在36 V輸入電壓轉至5 V時實現20 A輸出電流。爲了幫助設計工程師,該板容易設置並包含多個探孔,從而易於測量及取得簡單的波形圖及計算效率。

此外,宜普公司提供快速指南,內容包括設置步驟、電路的方框圖、性能曲綫圖及物料清單(BOM),可在網上下載。

EPC9118 演示板的單價爲237.19美元,可透過Digikey在網上購買:http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)、電源效率為96%的1MHz降壓轉換器演示板

EPC9107 演示板展示如何使用具備高開關頻率的氮化鎵功率電晶體以縮小尺寸及提高電源轉換效率

宜普公司在二零一三年五月宣佈推出全功能降壓電源轉換演示板(EPC9107)。該板展示輸入電壓為9V至28V、當電源電壓為3.3V時可提供15 A的電流的1 MHz降壓轉換 器,內含 EPC2015氮化鎵場效應電晶體,並配合德州儀器公司的100 V半橋柵極驅動器(LM5113)。當使用了這個專為驅動氮化鎵電晶體而設的驅動器,EPC9107 展示具有高開關頻率的氮化鎵場效應晶體可實現 縮小尺寸及提高性能等優勢。

EPC9107演示板的面積為3平方英寸,內含全閉環降壓轉換器,並具備經過優化的控制環路,而放置在僅半英寸x半英寸極緊湊的版圖上的全功率級,包含了氮化鎵 場效應電晶體、驅動器、電感及輸入/輸出電容,以展示使用氮化鎵場效應電晶體並在配備驅動氮化鎵器件的驅動器LM5113的條件下可實現的卓越性能。

演示板雖然細小,其最大電源效率超過96%,當電源電壓為3.3V時可以提供15A的電流。為幫助設計工程師, 我們設計這個易於安裝的演示板並具備多個探測點, 以便測量簡單的波形和計算效率。

隨EPC9107演示板一起提供的還有一份供使用者參考的速查指南 http://epc- co.com/epc/documents/guides/EPC9107_qsg.pdf, 配備安裝步驟、電路圖表、性能曲線及BOM等資料, 幫助使用者可以更容易使用演示板。

EPC9107演示板的單價為195.94美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、 無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected]

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分類: 新聞稿

The eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: Part 2 – Drivers, Layout

eGaN FETs differ from silicon MOSFETs in part because of their significantly faster switching speeds. In the second article of this series, we explore the different requirements for gate drive, layout, and thermal management.

By Johan Strydom PHD, Director of Application Engineering, EPC
Power Electronics Technology
January 1, 2011

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分類: 技術文章
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