新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數位信號控制器(DSC)與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的結合,可實現最佳功率密度(730 W/in3),從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。

EPC公司宣佈推出1/16磚式、300 W DC/DC穩压器(EPC9143)。 EPC9143功率模組把Microchip dsPIC33CK數位信號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,實現25 A、48 V/12 V和96%效率的功率轉換。

閱讀全文
分類: 新聞稿

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

閱讀全文
分類: 新聞稿

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Over the past decade computers, displays, smart phones and other consumer electronics systems have become thinner while also becoming more powerful. As a result, the market continues to increase its demand for thinner power supply solutions with greater power density. This article examines the feasibility of adopting various non-isolated dc-dc stepdown topologies for an ultra-thin 48-V to 20-V, 250-W power solution.

How2Power
May, 2020
Read article

閱讀全文
分類: 技術文章

氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

氮化鎵與48 V應用 – 目前的發展及何去何從?

中壓氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的成本在三年前已經比等效額定功率MOSFET器件的成本更低。當時,EPC公司決心利用氮化鎵場效應電晶體的性能及成本效益優勢,積極研發及支持48 V輸入或輸出的應用。車用及電腦應用的48 V 轉換逐漸成為全新的架構,也成為了功率系統的全新標準。

Power Systems Design
2020年3月31日
閱讀全文

閱讀全文
分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新積體電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出80 V、12.5 A的功率級積體電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

閱讀全文
分類: 新聞稿

氮化鎵(GaN)技術的最新發展是什麼?

氮化鎵(GaN)技術的最新發展是什麼?

知名企業領袖 - 宜普電源轉換公司(EPC)首席執行官Alex Lidow於2009年在市場推出第一個氮化鎵電晶體。 經過了10年的氮化鎵產品銷售,DESIGN & ELEKTRONIK 雜誌編輯Ralf Higgelke與Alex會面並談論氮化鎵技術的最新發展。

DESIGN & ELEKTRONIK雜誌
2020年2月20日
閱讀全文

閱讀全文
分類: 技術文章

採用GaN技術的電源轉換

採用GaN技術的電源轉換

當矽技術已經到了性能極限,採用氮化鎵元件的全新設計使得氮化鎵技術得以繼續普及。氮化鎵元件的發展還是剛剛起步,它的性能將得以繼續提升、積體電路也將會更具優勢,以及將有更多全新的氮化鎵產品推出市場。

Electronics Weekly
2019年12月
閱讀文章

閱讀全文
分類: 技術文章

Go-ahead for GaN

Go-ahead for GaN

It’s getting harder to avoid using GaN power transistors and ICs, says Alex Lidow. There are many reasons to use GaN-on-Si power transistors such as eGaN FETs, in telecoms, vehicles, healthcare and computing. Smaller, faster, lower cost, and more integrated, GaN-on-Si devices have spent a decade gaining the confidence and trust of designers across the spectrum of power conversion applications.

Electronic Specifier
November 20, 2019
Read article

閱讀全文
分類: 技術文章

Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications

Executive Interview with Alex Lidow on Winning GaN Applications

Ahead of December’s Power Conference in Munich, Bodo Arlt took the opportunity to get an insight into Alex Lidow’s thoughts on where the GaN market is now and where he sees the potential applications for the future. Dr. Lidow is the CEO and Co-founder of Efficient Power Conversion (EPC).

Bodo’s Power Systems
November, 2019
Read article

閱讀全文

Marco Palma Joins Efficient Power Conversion (EPC) as Senior FAE Manager for Europe

Marco Palma Joins Efficient Power Conversion (EPC) as Senior FAE Manager for Europe

In support of a widening customer base in Europe, Efficient Power Conversion Corporation has expanded its technical leadership team to assist customers in the adoption of eGaN® FETs and Integrated circuits for applications including DC-DC, Lidar, motor control, and beyond.

EL SEGUNDO, Calif. — October, 2019 — To support its accelerating design activity, and to provide local technical support to EPC’s customers in Europe, Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Marco Palma, a seasoned expert, has joined the EPC technical leadership team as Senior FAE Manager for Europe. 

閱讀全文
分類: 新聞稿

數據中心的發展於2019年將進入突飛猛進的時代

數據中心的發展於2019年將進入突飛猛進的時代

根據預測,到2025年,我們的數據將會超過175 zettabyte。當發明了 5G並將最早於2020年在日本舉行的奧運採用、以及通過人工智慧(AI)及機器學習(ML)的發展,建立數據中心和其部署、以及提升目前較舊的數據中心的效能,將進入突飛猛進的時代。

我深信氮化鎵(GaN)功率電晶體是數據中心功率架構的最理想元件,因為需要小型化、高效及快速開關的元件。氮化鎵元件在具48 VIN的所有拓撲,都可以實現最高的效率。

EDN
2019年6月
閱讀文章

分類: 技術文章

氮化鎵正面攻擊矽功率MOSFET元件

氮化鎵正面攻擊矽功率MOSFET元件

目前的氮化鎵場效應電晶體在尺寸及性能方面以飛快的速度發展,而目前為業界樹立基準的氮化鎵元件的性能還可以提升多300倍。

最早採用氮化鎵元件的應用是利用氮化鎵的超快速開關速度,例如面向全自動駕駛車輛和無人機的雷射雷達系統、機械人,以及4G/LTE基站。氮化鎵元件的產量一直在增加,而其價格跟開關速度更慢、尺寸更大型和日益陳舊的MOSFET元件相約。因此,目前正是氮化鎵元件正面攻擊MOSET的時候!。

Bodo’s Power Systems
2019年6月
閱讀文章

分類: 技術文章

宜普電源轉換公司提供氮化鎵(eGaN)功率元件的晶圓

宜普電源轉換公司提供氮化鎵(eGaN)功率元件的晶圓

為了使得客戶易於集成功率系統,宜普電源轉換公司(EPC)為客戶提供領導業界的氮化鎵功率元件的晶圓。

EPC公司宣佈推出領導業界的增強型氮化鎵元件的晶圓,使得客戶易於集成功率系統。EPC公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路一直以來都是以單個並包含錫條或錫球的晶片級元件出售。

閱讀全文
分類: 新聞稿

Thermal design for a high density GaN-based power stage

Thermal design for a high density GaN-based power stage

eGaN FETs and ICs enable very high-density power converter design, owing to their compact size, ultra-fast switching, and low on-resistance. The limiting factor for output power in most high-density converters is junction temperature, which prompts the need for more effective thermal design. The chip-scale packaging of eGaN FETs and ICs offer six-sided cooling, with effective heat extraction from the bottom, top, and sides of the die. This article presents a high-performance thermal solution to extend the output current capability of eGaN-based converters.

EDN
Read article

分類: 技術文章

EPC: Ahead of the Pack

EPC: Ahead of the Pack

EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
Read article

分類: 技術文章

PCIM Europe – where power is at the core of innovation

PCIM Europe – where power is at the core of innovation

This year’s PCIM Europe was attended by a record number of visitors, over 12,000. Over half (54%) were from outside Germany. They came to see over 500 exhibitors and while the subject matter was diverse and wide-ranging, there were some themes that emerged. GaN and SiC jostled for attention at this year’s PCIM Europe. Showing the potential that GaN has already realised, Efficient Power Conversion (EPC) had a stand that was well-stocked with examples of the eGaN FET technology that the company introduced in 2009.

Electronic Specifier
Read article

分類: 技術文章

車規級80 V EPC2214 eGaN FET使得雷射雷達系統看得更清晰

車規級80 V EPC2214 eGaN FET使得雷射雷達系統看得更清晰

宜普電源轉換公司(EPC)進一步擴大車規級氮化鎵產品系列 -- 全新成員是面向具有高解析度的雷射雷達系統、80 V的EPC2214氮化鎵場效應電晶體,該元件成功通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101應力測試認證。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈再多一個車用氮化鎵(eGaN)元件(80 V的EPC2214)成功通過AEC Q101測試認證,可在車用及其他嚴峻環境支持多種全新應用。

閱讀全文
分類: 新聞稿

氮化鎵技術可以提升面向伺服器及汽車應用的48 V DC/DC 功率轉換的效率

氮化鎵技術可以提升面向伺服器及汽車應用的48 V DC/DC 功率轉換的效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出兩個全新100 V氮化鎵元件,可以支援伺服器及汽車應用的48 V轉換的要求。 我將在處理器、車用及能量存儲系統等方面探討48 V伺服器的功率轉換解決方案(可參考我的文章 “雙向DC/DC電源供電: 我們應該如何取向?”),未來將在EDN文章中看到。氮化鎵功率電晶體必需是這些不同架構的一部份 -- 我相信沒有其他更優越的元件可以替代氮化鎵元件了 。

Planet Analog
閱讀全文

分類: 技術文章

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

Efficient Power Conversion (EPC) Expands 100 V eGaN FET Family Offering Designers Best-in-Class Performance and Cost for 48 V DC-DC Conversion

EPC introduces 100 V, 3.8 milliohm EPC2053 eGaN® FET, joining the EPC2045, EPC2052, and EPC2051 to offer a comprehensive 100 V family of GaN transistors that are more efficient, smaller, and lower cost for high performance 48 V DC-DC conversion.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2019 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power FETs and ICs advances the performance capability while lowering the cost of off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2053 (3.8 mΩ, 100 V) eGaN FET.

閱讀全文
分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向48 V DC/DC電源轉換、馬達控制及雷射雷達應用的100 V氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向48 V DC/DC電源轉換、馬達控制及雷射雷達應用的100 V氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2052功率電晶體是一種100 V、13.5 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現74 A脈衝輸出電流。面向48 V-12 V DC/DC功率轉換器,這些新一代氮化鎵場效應電晶體工作在500 kHz頻率下,可實現超過97%的效率。如果工作在1 MHz時,則實現超過96%的效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2052氮化鎵場效應電晶體,其占板面積只是2.25平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為13.5 mΩ及脈衝輸出電流高達74 A 以支援高效功率轉換。

閱讀全文
分類: 新聞稿
RSS
12