新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

Intrinsic Failure Mechanisms in GaN-on-Si Power Transistors

Intrinsic Failure Mechanisms in GaN-on-Si Power Transistors

Standard qualification testing for semiconductors typically involves stressing devices at-or-near the limits specified in their data sheets for a prolonged period of time, or for a certain number of cycles. The goal of qualification testing is to have zero failures out of a large group of parts tested. By testing parts to the point of failure, an understanding of the amount of margin between the data sheet limits can be developed, but more importantly, an understanding of the intrinsic failure mechanisms of the semiconductor can be found.

IEEE Power Electronics Magazine
December, 2020
Read article

閱讀全文
分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)的第十階段可靠性測試報告的亮點是 車規級氮化鎵元件超越AEC-Q101應力測試的認證標準

宜普電源轉換公司(EPC)的第十階段可靠性測試報告的亮點是 車規級氮化鎵元件超越AEC-Q101應力測試的認證標準

第一至第九階段可靠性測試報告後,EPC公司的第十階段可靠性測試報告進一步豐富知識庫。此報告對超過30,000個元件進行了超過1,800萬小時的應力測試後,沒有元件發生故障。在過去的兩年間,我們所付運的數百萬個元件沒有發生現場失效的情況。

宜普電源轉換公司(EPC)發佈第十階段可靠性測試報告,成功通過車規級AEC-Q101應力測試認證。AEC-Q101認證要求功率場效應電晶體符合最高的可靠性標準,不僅僅要求元件符合數據表內所載的條件而沒有發生故障,也同時要求在應力測試中,具有低漂移。請注意,EPC所採用的晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)也符合所有針對傳統封裝的測試標準,展示出該封裝具備卓越性能之同時沒有影響到元件的穩固性或可靠性。

閱讀全文
分類: 新聞稿

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因 – 閘極電壓應力測試

本系列的第四章中,我們探討了採用晶圓級晶片尺寸封裝的eGaN元件的熱機械可靠性。同樣重要的是,我們需要瞭解有閘極偏置時,元件有可能發生的故障模式。本章探討氮化鎵(GaN)場效應電晶體的閘極在偏置電壓時失效的物理原因。我們把eGaN FET的閘極控制電壓提升至特定的最大極限值和極限值以上,從而分析該元件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
閱讀全文

閱讀全文
分類: 技術文章

部落格(4):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

部落格(4):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

在本系列的第一、二及第三章中,我們詳細講解了關於EPC增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路(IC)的現場可靠性及它們被認證通過應力測試。在應用中,我們把元件置於預期的工作條件下並施加應力,其測試結果引證了氮化鎵元件的現場可靠性。同樣重要的是明白eGaN元件固有的物理特性,它如何在被施加應力後並超出預期工作條件時(例如數據表的參數及安全工作區(SOA))而失效。本章將進一步深入探討失效的物理原因 -- 採用晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)的eGaN元件的熱機械可靠性。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年9月7日
閱讀全文

閱讀全文
分類: 技術文章

部落格(3):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

部落格(3):eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因

在本系列的第一及第二章,我們詳細講解了關於EPC的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及積體電路(IC)的現場可靠性報告。具備優越的現場可靠性的eGaN元件展示出通過基於應力的認證測試可確保客戶的應用也可以非常可靠。本章將闡釋EPC元件在認證之前被置於及通過的各種應力測試。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
閱讀全文

閱讀全文
分類: 技術文章

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性

eGaN技術的可靠性及元件失效的物理原因–確證eGaN FET的現場可靠性

宜普電源轉換公司(EPC)的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)及積體電路正在驅動最終用戶應用的發展,包括LiDAR、無線充電、DC/DC電源轉換、射頻發射基站、衛星系統及音訊放大器等應用。

從現場可靠性數據可以確證eGaN® FET及積體電路於客戶應用的品質。在本章節,我們分享eGaN® FET的可靠性及現場數據的概述,包括在過去六年間我們對量產及已經付運的eGaN產品所收集的可靠性現場數據,以及分析超過170億小時受測元件的現場數據。最後所得的FIT比率(109小時內發生失效的元件)大約是0.24,這是目前最好的現場可靠性測試結果。

Plant Analog
作者:Chris Jakubiec
2016年5月1 日
閱讀文章

閱讀全文
分類: 技術文章
RSS