新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

The EPC2050 offers power systems designers a 350 V, 65 mΩ, 26 A power transistor in an extremely small chip-scale package.  These new devices are ideal for applications such as multi-level converters, EV charging, solar power inverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2018 — Efficient Power Conversion announces the EPC2050, a 350 V GaN transistor with a maximum RDS(on) of 65 mΩ and a 26 A pulsed output current. Applications include EV charging, solar power inverters, motor drives, and multi-level converter configurations, such as a 3-level, 400 V input to 48 V output LLC converter for telecom or server power supplies.

閱讀全文
分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率電晶體

200 V、25 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可應用於無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向多種應用的EPC2046功率電晶體,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導通電阻(RDS(on))為25 mΩ、脈衝輸出電流為55 A。

閱讀全文
分類: 新聞稿

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),對比前一代的產品,這些電晶體的尺寸減半,而且性能顯著提升。

全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的EPC2045 (7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點(POL)轉換器、USB-C及 雷射雷達(LiDAR)等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器

閱讀全文
分類: 新聞稿
RSS