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GaN ePower™ Ultrafast Switch with Integrated Gate Driver for Indirect Time-of-Flight Laser Drivers

GaN ePower™ Ultrafast Switch with Integrated Gate Driver for Indirect Time-of-Flight Laser Drivers

Gallium nitride FETs have continued to gain traction in many power electronic applications, but GaN technology is still in the early part of its life cycle. While there is much room to improve basic FET performance figures of merit an even more promising avenue is the development of GaN power ICs.

Bodo’s Power Systems
November, 2020
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分類: 技術文章

學習利用氮化鎵(GaN)技術設計最先進的人工智慧、機械人、無人機、 自動駕駛車輛及高音質音訊系統

學習利用氮化鎵(GaN)技術設計最先進的人工智慧、機械人、無人機、 自動駕駛車輛及高音質音訊系統

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列,上載了6個影片,針對元件可靠性及基於氮化鎵場效應電晶體及積體電路的各種先進應用,包括面向人工智慧的高功率密度運算應用,面向機械人、無人機及車載應用的雷射雷達系統,以及D類放音訊放大器。

宜普電源轉換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的影片播客系列。剛剛上載的六個影片主要分享實用範例,目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智慧伺服器及超薄筆記型電腦的先進DC/DC轉換器、面向機械人、無人機及自動駕駛車輛的雷射雷達系統,以及實現有可能是具有最高音質的音訊系統

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可支援大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大電流脈衝 – 電流可高達28 A、脈寬则可低至1.2納秒,從而使得飛行時間及flash雷射雷達系統更準確、更精確及更快速。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出15 V、28 A大電流脈衝雷射二極體驅動電路板(EPC9144)。

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分類: 新聞稿
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