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氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

就像生活要面對現實一樣,老年人離開舞臺而讓位給年輕人,矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及,正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展,電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是,在業界發展的新時代,隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限,其演進速度下降了很多。 同時,新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展,其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍,並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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分類: 技術文章

GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion

GaN Integrated Power Stage –  Redefining Power Conversion

Beyond just performance and cost improvement, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from its intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. GaN technology, as opposed to standard silicon IC technology, allows designers to implement monolithic power systems on a single chip in a more straightforward and cost-effective way.

Bodo’s Power Systems
May, 2020
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出ePower 功率級積體電路系列,重新定義功率轉換

宜普電源轉換公司(EPC)推出全新積體電路(IC)系列的首個產品,為高功率密度應用諸如DC/DC轉換、電機驅動及D類放大器,提供更高性能及更小型化的解決方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出80 V、12.5 A的功率級積體電路,專為48 V DC/DC轉換而設計,用於具有高功率密度的運算應用及針對電動車的電機驅動器。

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分類: 新聞稿
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