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It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

It's Time to Rethink Power Semiconductor Packaging

When the issue invariably turns to the packaging of the power semiconductor – transistor, diode, or integrated circuit – the requests for improvement fall into six categories:

1. Can you make the package smaller?
2. Can you reduce the package inductance?
3. Can you make the product with lower conduction losses?
4. Can you make the package more thermally efficient?
5. Can you sell the product at a lower price?
6. Can you make the package more reliable?

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分類: 技術文章

採用晶片級封裝的氮化鎵(GaN)電晶體改善系統的熱性能

採用晶片級封裝的氮化鎵(GaN)電晶體改善系統的熱性能

隨著功率轉換器需要更高的功率密度,電晶體必須配合不斷在縮減的電路板面積。氮 化鎵(GaN)功率電晶體除了可以提高電源效率外,它們也必須具備更高的熱效率。在 這篇文章中,我們探討採用晶片級封裝的增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN ®FET) 的熱性能,並與最先進的Si MOSFET比較兩種元件的電氣性能和熱性能。

Bodo's China
2016年10月
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分類: 技術文章

Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

Improving Thermal Performance with Chip-Scale Packaged Gallium Nitride Transistors

With power converters demanding higher power density, transistors must be accommodated in an ever decreasing board space. Beyond gallium nitride based power transistors’ ability to improve electrical efficiency, they must also be more thermally efficient. This article evaluates the thermal performance of chip-scale packaged eGaN® FETs and compares their in-circuit electrical and thermal performance with state-of-the-art silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
David Reusch, Ph.D. and Alex Lidow, Ph.D.
June 1, 2016
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分類: 技術文章

高頻功率轉換器件的封裝的考慮因素

在開關頻率10 MHz或以上,電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件,由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)提供無可匹敵的器件性能及封裝,因此可以在高頻時提高電源轉換效率。

Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月

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分類: 技術文章

無封裝高電子遷移率電晶體可實現高效電源轉換

封裝的缺點是增加功率MOSFET器件的尺寸及成本,並增加阻抗和電感,從而降低器件的性能。宜普電源轉換公司Alex Lidow辯說最有效的解決方案是不用封裝,使 氮化鎵高電子遷移率電晶體與等效矽器件相比,具有相同成本的優勢。

雜誌:Compound Semiconductor
日期:2013年6月

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分類: 技術文章
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