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GaN Power Modules Deliver Over 1400 W/in3 for 48 V – 12 V DC-DC and Up to 10 MHz for Point-of-Load Power Conversion

GaN Power Modules Deliver Over 1400 W/in3 for 48 V – 12 V DC-DC and Up to 10 MHz for Point-of-Load Power Conversion

Efficient Power Conversion’s EPC9204 and EPC9205 power modules demonstrate the efficiency enhancements and significant size reduction achieved in DC-DC power conversion using high frequency switching eGaN® power transistors and integrated circuits.

EL SEGUNDO, Calif.— March 2018 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) introduces two new GaN power modules for DC-DC conversion, increasing efficiency across the 48 V to point-of-load power architecture. The EPC9205 is a high-power density PCB-based power module for 48 V – 12 V conversions while the EPC9204 address the 20 V – point-of-load conversion with an ultra-thin profile PCB-based power module.

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分類: 新聞稿

基於氮化鎵元件的48 V - 12 V非隔離穩壓式轉換器開發板,其功率密度每立方英吋超過1250W及效率可高於96%

基於氮化鎵元件的48 V - 12 V非隔離穩壓式轉換器開發板,其功率密度每立方英吋超過1250W及效率可高於96%

宜普公司的EPC9130五相開發板展示出採用高頻開關eGaN®功率電晶體、極小型化及增強了效率的電源轉換方案。

宜普電源轉換公司(EPC)的EPC9130開發板是一款48 V轉換至12 V的非隔離穩壓式開發板、具用五個相位、每相具12 A、最大輸出電流為60安培,開發板的輸出功率可以超過700 W。該板具超高功率密度(每立方英寸大於1250 W),其效率高於96%。

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分類: 新聞稿

面向雷射雷達應用並採用EPC氮化鎵(eGaN)技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈衝電流

面向雷射雷達應用並採用EPC氮化鎵(eGaN)技術的150安培開發板可以驅動5 納秒脈寬的脈衝電流

EPC9126HC開發板採用具備超快速功率轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),由於可以驅動高達150 A及可低至5 ns脈寬的脈衝大電流,因此可以提高雷射雷達(LiDAR)系統所偵測的資料的質素,包括資料的準確性、精確度及製作速度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的100 V、150 A大電流脈衝雷射二極體的驅動演示電路板(EPC9126HC)。面向全自動汽車應用的雷射雷達系統需要製作三維地圖,因此,偵測四周的目標物件的速度及準確性變得非常重要。從EPC9126HC演示電路板可以看到,與等效MOSFET相比,具備快速轉換特性的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)所提供的脈衝功率可以快十倍的速度驅動雷射二極體,從而提升雷射雷達系統的整體性能。

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分類: 新聞稿

EPC Announces Development Board Operating Up To 10 MHz for High Efficiency at High Frequency Point-of-Load DC-DC Conversion

EPC Announces Development Board Operating Up To 10 MHz for High Efficiency at High Frequency Point-of-Load DC-DC Conversion

The EPC9086 high efficiency half-bridge development board can operate up to 10 MHz featuring a 30 V EPC2111 eGaN® half bridge in combination with the recently introduced high speed Peregrine Semiconductor PE29102 gate driver.

EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of The EPC9086 development board, a high efficiency half-bridge development board that can operate up to 10 MHz.  The EPC9086 board measures 2” x 2” and contains a 30 V, 15 A EPC2111 enhancement-mode gallium nitride half bridge in combination with the recently introduced PE29102 gate driver from Peregrine Semiconductor.

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分類: 新聞稿

EPC Announces a Full Range of Wireless Power Demonstration Kits That Can Be Used to Design Systems That Power Anything from Lamps to Laptops

EPC Announces a Full Range of Wireless Power Demonstration Kits That Can Be Used to Design Systems That Power Anything from Lamps to Laptops

Superior characteristics of eGaN® FETs and ICs, such as low output capacitance, low input capacitance, low parasitic inductances, and small size used in these demonstration kits show that GaN FETs and ICs are ideal for increasing efficiency in highly resonant, AirFuel™ Alliance compatible wireless power transfer systems.

EL SEGUNDO, Calif.—October 2017 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) today announces the availability of two new demonstration kits -- the EPC9127, a complete wireless power kit including a 10 W, class 2 amplifier, category 3 receiver device and the EPC9128, consisting of a 16 W, class 3 amplifier and two receiver devices (categories 3 and 4). These systems, coupled with previously announced EPC9120, 33 W class 4 and the EPC9121 multi-mode kit capable of operating to either an AirFuel Class 2 standard with a category 3 device or a Qi (A6)/PMA standard with a compatible receiving device provide a full range of wireless power demonstration kits to allow for complete, wide-spread implementation.

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分類: 新聞稿

EPC公司推出全新開發板EPC9083 - 面向無線充電及雷射雷達應用、採用200 V eGaN FET、60 W E類放大器拓撲,可以在高達15 MHz頻率下高效地工作

EPC公司推出全新開發板EPC9083 - 面向無線充電及雷射雷達應用、採用200 V eGaN FET、60 W E類放大器拓撲,可以在高達15 MHz頻率下高效地工作

宜普電源轉換公司(EPC)的全新EPC9083開發板可以幫助功率系統設計師容易並且快速地對E類放大器內、可在高達15 MHz頻率工作的200 V氮化鎵電晶體進行評估,應用包括無線充電、雷射雷達、電流模式D類放大器及推挽式轉換器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出高效、靈活及採用氮化鎵電晶體的差分模式開發板(EPC9083),可以在高達15 MHz頻率工作,包括無線充電應用的6.78 MHz頻率。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師以簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估,使得他們的產品可以快速量產。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率電晶體

200 V、25 mΩ氮化鎵功率電晶體(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可應用於無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向多種應用的EPC2046功率電晶體,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器及具低電感的馬達驅動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導通電阻(RDS(on))為25 mΩ、脈衝輸出電流為55 A。

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分類: 新聞稿

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

基於EPC的eGaN FET、採用高頻同步自舉拓撲結構及工作頻率可高達15 MHz的半橋式開發板

EPC公司的全新開發板可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器,展示出基於eGaN FET、採用同步自舉電路的閘極驅動器在高頻工作時可以減少損耗。

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9066EPC9067EPC9068開發板,可以被配置為一個降壓轉換器或ZVS D類放大器。這些開發板專為功率系統設計師而設,對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估方面提供了簡易方法,使得設計師的產品可以快速量產。三塊開發板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的閘極驅動器,從而在高達15 MHz的高頻工作條件下可以提高效率。該些開發板在降壓轉換器及D類放大器配置的最大輸出電流為2.7 A。在整個電流範圍都可以降低損耗。

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分類: 新聞稿

基於EPC eGaN FET 的100 W並可實現92%效率的開發板與工作頻率爲6.78 MHz的AirFuel無線充源標準相容

基於EPC eGaN FET 的100 W並可實現92%效率的開發板與工作頻率爲6.78 MHz的AirFuel無線充源標準相容

採用eGaN®FET、工作在6.78 MHz頻率並與AirFuel™無線電源標準相容的EPC9065開發板可以實現最高功率及最高效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出EPC9065開發板,可作為面向AirFuel™聯盟的Class 4及Class 5無線電源傳送應用的放大器功率級。 該板的配置採用零電壓開關(ZVS)差分模式D類放大器拓撲,而且不只限於6.78 MHz工作頻率(最低ISM頻帶)。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出具有50 A最大輸出電流、1 MHz開關頻率功能的開發板,專為負載點應用而設以縮小功率轉換系統的尺寸

宜普電源轉換公司(EPC)推出具有50 A最大輸出電流、1 MHz開關頻率功能的開發板,專為負載點應用而設以縮小功率轉換系統的尺寸

面向大電流、高頻的負載點應用的EPC9059開發板內含業界第一種單個半橋式增強型氮化鎵(eGaN®)積體電路,可實現更高功率密度。

宜普電源轉換公司(EPC)推出半橋式開發板(EPC9059),專為大電流、高頻的負載點(POL)應用而設,目的是利用氮化鎵積體電路(eGaN IC)的優勢,縮小功率轉換系統的尺寸。該板具有30 V最高元件電壓、50 A 最大輸出電流。在這應用中,兩個30 V的 eGaN IC(EPC2100)並聯工作並配備板載驅動器,從而可以實現更高的輸出電流。與矽基MOSFET相比,由於氮化鎵元件具有卓越的均流能力,因此更適合並聯操作。

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分類: 新聞稿

內含宜普電源轉換公司(EPC)的200 V氮化鎵場效應電晶體的開發板可實現高達30 MHz的效率

內含宜普電源轉換公司(EPC)的200 V氮化鎵場效應電晶體的開發板可實現高達30 MHz的效率

宜普電源轉換公司(EPC)的全新開發板幫助功率系統設計師容易並且快速地 對應用於E類放大器、電流模式D類放大器及push-pull轉換器的200 V氮化鎵電晶體進行評估,其工作效率可以高達30 MHz。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出高頻、基於氮化鎵電晶體並採用差分模式的開發板,可以在高達30 MHz下工作。 推出開發板的目的是幫助功率系統設計師利用簡易方法對氮化鎵電晶體的優越性能進行評估,使得他們的產品可以快速量產。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)擴大面向無綫電源充電應用 的超小型及低成本eGaN FET產品系列

宜普電源轉換公司(EPC)擴大面向無綫電源充電應用 的超小型及低成本eGaN FET產品系列

EPC2037增强型氮化鎵功率電晶體(100 V、1 A、550 mΩ)由一個數字驅動器直接驅動,於採用D類及E類放大器拓撲的無綫充電應用中可以實現高頻開關及特別優越的性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增强型氮化鎵功率電晶體(eGaN®FET)系列的最新成員 -- EPC2037

EPC2037(100 VDS、1 A)非常小型(1.82 mm2)及在閘極上施加5 V電壓時的最大導通阻抗爲 550 mΩ。 由於它具備超高開關頻率、低導通阻抗值、異常低的QG值及採用超小型封裝,因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。EPC2037由一個數字邏輯集成電路直接驅動,因此不需額外及高成本的驅動器集成電路。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想元件 -- 小尺寸、具備超快速開關性能並工作在2 MHz以上頻率的單片半橋式氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出面向D類音頻放大器的理想元件 -- 小尺寸、具備超快速開關性能並工作在2 MHz以上頻率的單片半橋式氮化鎵功率電晶體

氮化鎵功率電晶體 -- EPC2106爲功率系統設計師提供的解决方案可以在2 MHz以上頻率開關,從而不會干擾AM頻段及降低過濾成本,因此是具備低失真性能的D類音頻放大器的理想選擇。

宜普電源轉換公司宣佈推出單片半橋式增强型氮化鎵電晶體 -- EPC2106。通過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲一個集成電路可以去除互感及PCB板上元件之間所需的間隙空間,從而提高效率(尤其是在更高頻時)及提高功率密度而同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

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分類: 新聞稿

專爲符合A4WP Rezence 標準的無綫電源傳送應用而設的EPC eGaN功率積體電路在效率及成本方面樹立全新基準

專爲符合A4WP Rezence 標準的無綫電源傳送應用而設的EPC eGaN功率積體電路在效率及成本方面樹立全新基準

全新EPC2107EPC2108 eGaN®功率積體電路包含單片半橋式元件及集成式自舉功能,專爲符合無綫充電聯盟(A4WP)第二及第三級規範的解決方案而設。此外,爲了讓客戶容易對氮化鎵元件進行評估,我們也提供開發板及包含發射器及接收器的無綫電源傳送解决方案。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出內含整合式自舉功能的場效應電晶體的eGaN半橋功率積體電路 EPC2107(100 V)及EPC2108EPC2108 (60 V)。該積體電路去除了由閘極驅動器所引致的反向恢復損耗,也不需高側箝位。這是首次在eGaN功率電路中整合了一個自舉場效應電晶體。

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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘

宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘

全新eGaN®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率電晶體,專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵(GaN)電晶體的普及化的最後一個壁壘,而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

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分類: 新聞稿

實現專業高音質及96%功率效率 -- 宜普公司的演示板採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),實現具備卓越音頻性能並節省占位空間的設計

實現專業高音質及96%功率效率 -- 宜普公司的演示板採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET),實現具備卓越音頻性能並節省占位空間的設計

採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的EPC9106 D類音頻放大器參考設計展示出可以提升效率、縮减尺寸及省去散熱器之同時可以實現針對專業級消費者所要求的高音質。

宜普電源轉換公司(EPC)推出的150 W、8 Ω D類音頻放大器參考設計(EPC9106)採用 Bridge-Tied-Load (BTL)設計,包含四個接地的半橋輸出功率級電路,使得設計可以升級及擴展。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體 可推動28V轉1 V負載點轉換器在14 A輸出電流時實現超過87%效率

EPC2101單片半橋式氮化鎵功率電晶體爲功率系統設計師提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化鎵元件可推動28 V轉至1 V幷在500kHz頻率開關的全降壓型轉換器可以在14 A輸出電流時實現接近87%系統效率,以及在30 A輸出電流時可以實現超過82%效率。同時,與使用離散元件的解决方案相比,電晶體的占板面積减少50%。

宜普電源轉換公司宣佈推出60 V增强型單片半橋式氮化鎵電晶體(EPC2101)。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件,可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙,使得電晶體的占板面積减少50%。結果是增加效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2101 最理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。

EPC2101半橋式元件內,每個元件的額定電壓是60 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))的典型值是8.4 mΩ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一,使得具有高VIN/VOUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用芯片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米,功率密度更高。

開發板

EPC9037是一塊2英寸x1.5英寸的開發板,包含一個EPC2101集成半橋式元件,使用德州儀器公司的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的布局可實現最佳開關性能並設有多個探孔,使用戶容易測量簡單波形及計算效率。

價格及供貨詳情

購買1000件EPC2101單片半橋式元件的單價爲$6.92美元。EPC9037 開發板的單價爲$137.75美元。以上的産品已經有現貨供應,可透過Digikey公司(http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht購買。

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋元件 可推動48V轉12 V轉換器系統在20 A輸出電流時實現超過97%效率

EPC2105氮化鎵半橋元件爲系統設計師提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推動48 V轉至12 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在10 A輸出電流時實現高達接近98%效率,以及推動48 V轉至1 V幷在300kHz頻率下開關的全降壓型轉換器系統可以在14 A輸出電流時實現84%效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出80 V增强型單片式半橋氮化鎵電晶體(EPC2105)。透過整合兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件,可以除去互連電感及印刷電路板上的空隙、提高效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2105最理想應用於高頻直流-直流轉換及推動從48 V直接轉至1 V系統負載的高效單級轉換應用。

EPC2105整合式半橋元件內的每一個元件的額定電壓是80 V。上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))典型值是10 mΩ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2.3 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的四分之一,使得元件在具有高VIN/VOUT比的降壓轉換器中可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2105使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6.05 毫米x 2.3 毫米,功率密度更高。

開發板

EPC9041是一塊2英寸x1.5英寸的開發板,包含一個EPC2105整合式半橋元件,內含德州儀器栅極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最佳開關性能幷設有多個探孔,使用戶容易測量簡單波形及計算效率。

價格及供貨詳情

批量購買1000個EPC2105單片式半橋元件的單價爲$7.17美元。EPC9041開發板的單價爲$137.75美元。以上兩個産品已經有現貨供應,可透過Digikey公司(http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht)購買。

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 300 V氮化鎵功率電晶體

宜普公司爲功率系統設計師提供一種上升時間爲2奈秒(ns)幷面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的300 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2025)。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出300 V功率電晶體(EPC2025),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高效率及更高功率密度。受惠於更高開關速度的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療應用的診斷儀器、功率逆變器及照明應用的發光二極管等。

EPC2025元件具300 V的電壓額定值、150 mΩ最高導通電阻值(RDS(on))及4 A輸出電流。元件使用含焊條的鈍化晶片從而可高效散熱及容易組裝。元件的尺寸是1.95 mm x 1.95 mm以提高功率密度。

宜普電源轉換公司的共同創始人及首席執行長Alex Lidow稱「由於終端系統愈來愈需要更小型的直流-直流功率轉換器,尤其是用于便携式設備的轉換器,因此對具更快開關速度的功率轉換器的需求與日俱增。EPC2025電晶體允許功率工程師提高他們的功率轉換系統的開關頻率,從而實現更高效及更小型的系統。」

開發板

EPC9042開發板具300 V最高電壓額定值、採用半橋拓撲及板載驅動器、配合使用EPC2025場效應電晶體、板載栅極驅動器電源及旁路電容。這塊2英寸乘1.5 英寸的開發板可實現最優開關性能幷包含所有重要元件,使得工程師容易對EPC2025氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)進行評估。

産品價格及即時供貨詳情

EPC2025氮化鎵場效應電晶體在一千批量時的單價爲5.29美元,而EPC9042開發板的單價爲137.75美元,可立即透過Digi-Key公司訂購,網址爲 http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

關於氮化鎵場效應電晶體的設計信息及技術支援

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體推動 12 V轉至1.2 V負載點轉換器系統在25 A輸出電流下實現超過90%效率

EPC2100氮化鎵功率電晶體爲系統設計師提供具更高效率及功率密度的全降壓轉換器系統在500 kHz、12 V轉1.2 V、10 A時實現接近93%峰值效率,以及在25 A時效率可高于90.5%。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2100- 第一個可供商用的增强型單片式半橋氮化鎵電晶體。透過集成兩個eGaN功率場效應電晶體形成單一元件可以去除互連電感及印刷電路板上的空隙。這樣可以提高效率(尤其是在更高頻率時)及功率密度幷同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

EPC2100半橋元件內每一個元件的額定電壓是30 V。 上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))典型值是6 mΩ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是1.5 mΩ。 高側場效應電晶體的尺寸大約是低側器件的四分之一,具高VIN/VOUT比,在降壓轉換器可取得最優直流-直流轉換效率。EPC2100使用晶片尺寸封裝以改善開關速度及散熱性能。其尺寸只是6 毫米(mm) x 2.3 毫米,功率密度更高。

宜普電源轉換公司創始人兼首席執行長稱「現在設計師可利用氮化鎵技術所帶來的第一個範例 - 單片式eGaN 半橋元件系列,可節省空間、提高效率及降低系統成本。當功率轉換系統延伸至數MHz的領域,集成多個分立器件變得更爲重要以實現高系統效率及高功率密度。」

開發板

EPC9036開發板 的尺寸爲2英寸 乘 2英寸,包含一個EPC2100集成半橋元件,採用德州儀器的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的版圖設計可實現最優開關性能幷設有多個探孔使得用戶可易于測量簡單的波形及計算效率。

價格及供貨

EPC2100單片式半橋元件的價格在一千批量時的單價爲$5.81美元。

EPC9036開發板的單價爲$137.75美元。

以上産品已經可以供貨,可透過Digikey公司購買,網址爲http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計信息及支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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