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採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器積體電路可以提升低壓負載點轉換器的性能

採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器積體電路可以提升低壓負載點轉換器的性能

本文闡析面向12 V輸入電壓轉到1 V輸出電壓的負載點轉換器,如果採用與氮化鎵場效應電晶體匹配的驅動器,可以顯著提升性能。從文章中展示的uPI1966D設計範例可以看到,EPC公司的不對稱氮化鎵半橋場效應電晶體EPC2100與uPI半導體公司的雙通道同步驅動器積體電路是非常匹配的。

How2Power Today
2019年12月
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分類: 技術文章

宜普公司推出升級版的開發板,內含增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及德州儀器公司專為驅動氮化鎵器件而設的柵極驅動器

EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板,並備有完善歸檔的技術支援資料,使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出內含增強型氮化鎵場場效應電晶體的EPC9005開發板,展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應電晶體而優化的積體電路柵極驅動器可幫助工程師簡單地及以低成本從矽器件轉而採用氮化鎵技術。

EPC9005開發板是一種7 A最大輸出電流的半橋電路設計,內含兩個EPC2014(40V)氮化鎵場效應電晶體,並採用德州儀器公司專為氮化鎵器件而優化的柵極驅動器(LM5113)。LM5113採用2英寸x2英寸的BGA封裝,可以實現非常緊湊且配備驅動器及兩個氮化鎵場效應電晶體的電源電路。受益于EPC2014器件的應用包括高速直流-直流電源、負載點轉換器、無線充電及高頻電路。

推出這種開發板的目的是簡化評估氮化鎵場效應電晶體的過程,因為這種開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件,因此易於連接任何現有轉換器。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。隨開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的速查指南。

EPC9005開發板的單價為99.18美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的电源管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追踪、射頻傳送、以太網供電、微型逆變器、高效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體聯絡人

Winnie Wong ([email protected])

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分類: 新聞稿

全新閘極驅動器延伸德州儀器用以驅動氮化鎵場效應電晶體的積體電路產品系列

德州儀器公司發佈了一個全新應用於高密度電源轉換器、專門驅動MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的低側閘極驅動器(LM5114)。 這個驅動器適用于一系列低侧應用,包括同步整流器及經過功率因數較正的轉換器。加上在2011年推出的業界第一個100V半橋氮化鎵場效應電晶體驅動器(LM5113),這個產品系列提供了完整的隔離DC/DC電源轉換驅動器解決方案,專門驅動應用於電信、網路及資料中心的具大功率輸出特性之氮化鎵場效應電晶體及MOSFET。請瀏覽www.ti.com/gan 以取得詳情、樣片和評估板的資料。

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分類: 新聞稿

Dedicated Driver Squeezes Optimal Performance Out Of Enhancement-Mode GaN FETs

We know Efficient Power Conversion (EPC) has commercialized enhancement-mode GaN-on-Si FETs, or eGaN FETs as EPC calls them, for more than a year now. Concurrently, it has been working with partners to realize dedicated drivers for its eGaN FETs, which offer lower RDS(ON) at higher voltages, lower gate charge, and no reverse recovery loss (QRR)—all these properties from a smaller die size than silicon. In essence, by comparison to silicon MOSFETs, the eGaN FETs offer a dramatic reduction in figures of merit or FOM.

By Ashok Bindra
How2Power
June, 2011

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National Semiconductor Introduces Industry’s First 100V Half-bridge Gate Driver for Enhancement-mode Gallium-Nitride Power FETs

National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.

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分類: 新聞稿
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