新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的 氮化鎵(GaN)功率電晶體及積體電路的播客系列

EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的 氮化鎵(GaN)功率電晶體及積體電路的播客系列

宜普電源轉換公司(EPC)依據《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》第三版教科書的增訂內容,更新了首7個、合共14個教程的視頻播客,與工程師分享採用氮化鎵場效應電晶體及積體電路的理論、設計基礎及應用,例如雷射雷達(光達)、DC/DC轉換及無線電源等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的“如何使用氮化鎵元件”的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據最新出版的《氮化鎵電晶體–高效功率轉換元件》.第三版教科書的內容製作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率系統設計工程師提供基礎技術知識及針對專有應用的工具套件,從而讓工程師學習如何採用氮化鎵電晶體及積體電路,設計出更高效的功率轉換系統。

閱讀全文
分類: 新聞稿

Practical Layout Techniques to Fully Extract the Benefits of eGaN FETs

Practical Layout Techniques to Fully Extract the Benefits of eGaN FETs

The trend for electronics is to continually push towards miniaturization while increasing performance. With silicon MOSFET technology fast approaching its theoretical limit, enhancement mode gallium nitride (eGaN®) FETs from EPC have emerged to offer a step change improvement in power FET switching performance, enabling next generation power density possibilities by decreasing size and boosting efficiency. This article will explore the recommended layout techniques required to fully extract the benefits of EPC’s eGaN FETs.

By: Ivan Chan & David Reusch, Ph.D.
EEWeb –Modern Printed Circuits
August, 2015
Read Article

閱讀全文
分類: 技術文章

如何使用氮化鎵器件: 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮

本專欄已經討論了氮化鎵場效應電晶體的優勢及與矽MOSFET器件相比, 它們具備可以實現更高效率及開關速度的潛力。 本章將討論使用氮化鎵場效應電晶體時,在驅動器及版圖方面的考慮,以提高性能。

EEWeb
八月份: 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮

閱讀全文
分類: 技術文章

氮化鎵器件與矽功率器件比拼第十三章第二部分:最優化的印刷電路板版圖

與基於傳統MOSFET的設計相比,基於氮化鎵場效應電晶體的負載點降壓轉換器能夠通過優化印刷電路板的版圖而減少寄生電阻,從而提高效率、加快開關速度及減少器件的過沖電壓。

詳情請瀏覽http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout

閱讀全文
分類: 技術文章

氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)與矽功率器件比拼第十三章、第一部分: 寄生電感對採用不同器件的轉換器在性能方面的影響

作者:宜普公司產品應用總監David Reusch博士

在不同的應用裡與矽MOSFET器件相比,增強型氮化鎵基電源器件如氮化鎵場效應電晶體展示了它可以實現更高效及更高開關頻率的性能。氮化鎵場效應電晶體具備改善了的開關品質因數,因此封裝及印刷電路板版圖的寄生電感對性能的影響非常重要。在本章及本部分我們將討論在負載點降壓轉換器的應用(工作於開關頻率為1 MHz、輸入電壓為12 V、輸出電壓為1.2 V及輸出電流達20 A的條件下),寄生電感對基於氮化鎵場效應電晶體及MOSFET器件的轉換器在性能方面的影響。

閱讀文章

閱讀全文
分類: 技術文章
RSS