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宜普電源轉換公司(EPC)發佈第十一階段可靠性測試報告 - 從失效性測試看到氮化鎵器件的穩定性比矽功率MOSFET器件更具優勢

宜普電源轉換公司(EPC)發佈第十一階段可靠性測試報告 -  從失效性測試看到氮化鎵器件的穩定性比矽功率MOSFET器件更具優勢

第一至第十階段可靠性測試報告後,EPC公司的第十一階段可靠性測試報告進一步豐富知識庫。此報告對受測元件進行超過1230億元件-小時應力測試,並且展示氮化鎵元件的穩定性是矽功率元件所不能實現的。

EPC公司發佈第十一階段可靠性測試報告,與工程師分享受測元件如何實現優越的現場可靠性的策略 - 在廣闊測試條件下,採用失效性測試元件(test-to-fail)的反覆測試方法,從而知道如何構建更穩固的產品以達到應用所需,例如面向全自動駕駛車輛的雷射雷達LTE通信基站、汽車的車頭燈及衛星等應用。

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分類: 新聞稿

氮化鎵場效應電晶體的安全工作區域

雜誌:Bodo's Power Systems
作者:宜普公司產品品質及可靠性總監馬豔萍博士

摘要:
本文討論了相比功率MOSFET器件,氮化鎵場效應電晶體具有高電子密度和非常低的溫度系數,使它能夠在目前的高性能應用中具有明顯的優勢。 電子密度產生優異的RDS(ON),而正溫度系數防止在晶片內產生發熱點,致使氮化鎵場效應電晶體可以在安全工作區域工作時具有更卓越的性能而不會發生故障。

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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)在安全工作區域具備優異性能

氮化鎵場效應電晶體具有正溫度係數, 因而在安全工作區域的電壓及電流等條件的範圍下,它具有更卓越的性能而能夠解決矽MOSFET器件在性能上的限制。

宜普公司將發佈所有氮化鎵場效應電晶體在安全工作區域的資料。該器件具有正溫度系數, 因而在安全工作區域範圍內只有一個小區域受限於器件的平均溫度。

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分類: 新聞稿
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