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宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

宜普電源轉換公司(EPC)推出基於車規級氮化鎵(eGaN )技術的飛行時間(ToF)演示板,可在高達28 A並具1.2納秒脈寬的脈衝電流驅動雷射

EPC9144演示板內的車規級EPC2216氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可支援大電流納秒脈衝的應用,提供高速的大電流脈衝 – 電流可高達28 A、脈寬则可低至1.2納秒,從而使得飛行時間及flash雷射雷達系統更準確、更精確及更快速。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出15 V、28 A大電流脈衝雷射二極體驅動電路板(EPC9144)。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2051功率電晶體是一種100 V、25 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現37 A脈衝輸出電流。EPC2051是多種應用的理想元件,包括48 V功率轉換器、雷射雷達及LED照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體,其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A 以支援高效功率轉換。

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分類: 新聞稿

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

EPC Introduces 350 V eGaN Power Transistor − 20 Times Smaller Than Comparable Silicon

The EPC2050 offers power systems designers a 350 V, 65 mΩ, 26 A power transistor in an extremely small chip-scale package.  These new devices are ideal for applications such as multi-level converters, EV charging, solar power inverters, and motor drives.

EL SEGUNDO, Calif. — April 2018 — Efficient Power Conversion announces the EPC2050, a 350 V GaN transistor with a maximum RDS(on) of 65 mΩ and a 26 A pulsed output current. Applications include EV charging, solar power inverters, motor drives, and multi-level converter configurations, such as a 3-level, 400 V input to 48 V output LLC converter for telecom or server power supplies.

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同時對手機及筆記型電腦進行無線充電 – EPC公司推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電演示套件,可對應用提供高達33 W功率

同時對手機及筆記型電腦進行無線充電 – EPC公司推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電演示套件,可對應用提供高達33 W功率

具備卓越性能的氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小型化,成為高度共振式並與AirFuel標準相容的無線充電系統的理想元件,可提高效率。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出與AirFuel聯盟第四級別(Class 4)規格相容的無線充電套件(EPC9120)。該系統可對應用提供高達33 W功率而同時工作在6.78 MHz頻率(最低ISM頻段),旨在於高效無線充電應用中,簡化對所採用的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)進行評估。EPC9120採用具備高頻開關性能的EPC氮化鎵電晶體,使得無線充電系統可以在不同的工作條件下,實現80%至90%的效率。

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EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC eGaN技術在性能及成本上實現質的飛躍

EPC公司宣佈推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),對比前一代的產品,這些電晶體的尺寸減半,而且性能顯著提升。

全球增强型氮化鎵電晶體領袖廠商、致力於開發創新的矽基功率場效應電晶體(eGaN FET)及積體電路的宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出全新的EPC2045 (7 mΩ、100 V)及EPC2047(10 mΩ、200 V)電晶體,在提升產品性能的同時也可以降低成本。100 V的EPC2045應用於開放式服務器架構以實現48 V至負載的單級電源轉換、負載點(POL)轉換器、USB-C及 雷射雷達(LiDAR)等應用。200 V的EPC2047的應用例子包括無綫充電、多級AC/DC電源供電、機械人應用及太陽能微型逆變器

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宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距

宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距

eGaN®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能,從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

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宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體, 可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體, 可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體,進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%。

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宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 450 V增强型氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出面向高頻應用的 450 V增强型氮化鎵功率電晶體

宜普電源轉換公司爲功率系統設計師提供一款具備4奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(EPC2027 eGaN®)並面向高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出450 V並通常處於關斷狀態的增强型功率電晶體(EPC2027),可用於需要高頻開關的應用,從而實現更高的效率及功率密度。受惠於採用高壓並具備更快速開關特性的元件的應用包括超高頻直流-直流轉換器、醫療診斷儀器、太陽能功率逆變器及發光二極管照明等應用。

EPC2027元件具備450 V額定電壓、400 mΩ最高導通電阻(RDS(on))及4 A輸出電流。元件使用含焊條的鈍化晶片,從而可以實現高效散熱及易於組裝。EPC2027元件的尺寸是1.95 毫米 x 1.95 毫米以提高功率密度。

「由於離綫式適配器及逆變器愈來愈需要更小型、更輕型及具有更高的功率密度的設計,因此對具備更高壓及更快速開關特性的器件的需求與日俱增。採用450 V 的EPC2027電晶體的功率設計工程師可以提高他們的離綫式功率轉換系統的開關頻率,從而實現更高效及更小型的系統。」宜普電源轉換公司的共同創始人及首席執行長Alex Lidow說道。

開發板

EPC9044開發板包含採用半橋配置的EPC2027電晶體並含板載閘極驅動器、閘極驅動電源及旁路電容。這塊2英寸乘1.5 英寸的開發板使用了可實現最佳開關性能的佈局並包含所有重要元件,使得工程師容易對EPC2027氮化鎵場效應電晶體進行評估。

産品價格及即時供貨詳情

EPC2027氮化鎵場效應電晶體在批量爲一千片時的單價爲5.81美元,而EPC9044 開發板的單價爲137.75美元,可以立即透過Digi-Key公司訂購,網址爲 http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

關於氮化鎵場效應電晶體的設計信息及技術支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

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Winnie Wong ( [email protected])

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宜普電源轉換公司(EPC)推出專爲電訊、工業及醫療應用而設、具寬泛的輸入電壓範圍、20 A輸出電流並基於氮化鎵電晶體的降壓轉換器演示板

宜普電源轉換公司(EPC)推出專爲電訊、工業及醫療應用而設、具寬泛的輸入電壓範圍、20 A輸出電流並基於氮化鎵電晶體的降壓轉換器演示板

EPC9118演示板展示採用具高頻開關優勢、電源電壓在48 V或以上的氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)可易於實現更小型及具更高效率的電源轉換解决方案。

宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 --EPC9118演示板,可支持30 V至60 V輸入電壓並转至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它採用EPC2001 及EPC2015增强型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體(FET)及LTC3891降壓控制器。這個降壓轉換器設計是電訊、工業及醫療應用所需的配電解决方案的理想設計。

EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(包括氮化鎵場效應電晶體、驅動器、電感器及輸入/輸出電容),可實現的性能與氮化鎵場效應電晶體並配合一個傳統MOSFET控制器相同。EPC9118演示板是一塊2.5”的方塊,已包含使用經過優化的控制環路的全閉環降壓轉換器。

演示板雖然小型,它的峰值效率超過93%, 可在36 V輸入電壓轉至5 V時實現20 A輸出電流。爲了幫助設計工程師,該板容易設置並包含多個探孔,從而易於測量及取得簡單的波形圖及計算效率。

此外,宜普公司提供快速指南,內容包括設置步驟、電路的方框圖、性能曲綫圖及物料清單(BOM),可在網上下載。

EPC9118 演示板的單價爲237.19美元,可透過Digikey在網上購買:http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及支持

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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宜普電源轉換公司(EPC)的高性能氮化鎵功率電晶體 進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET並已有現貨供應

氮化鎵(eGaN®)功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

客戶要在Twitter取得這個推文,請在Twitter使用「http://bit.ly/EPCXLPR1407」及標簽「#GaNFET」。

宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))並可增强輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。

全新氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及相關開發板

宜普産品型號 電壓 最高導通電阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉衝電流峰值
Peak Pulsed
ID (A) (25°C,
脉衝電流導通時間
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半橋開發板
          標準 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150 閱讀全文
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宜普電源轉換公司推出採用高頻氮化鎵(eGaN)場效應電晶體 並工作在6.78 MHz頻率的高效無線電源傳送演示系統

由於氮化鎵場效應電晶體具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小,它是高度諧振並符合Rezence (A4WP)規格的無線電源傳送系統的理想器件,可提高該系統的效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用創新、高性能零電壓開關( ZVS) D類放大器拓撲、支援無線電源轉換應用的演示板:EPC9506EPC9507演示板。該板為放大器(發射)演示板,使用宜普公司具高頻開關性能的氮化鎵電晶體,使得無線電源系統可實現超過75%效率。

無線電源傳送

在過去幾年間,高度諧振無線電源傳送應用日漸受歡迎,尤其是替可攜式裝置充電的應用。最終應用多樣化並發展迅速,從替移動裝置充電應用、可延長壽命的醫療應用,以至以安全為首務的有害環境等應用都使用無線電源傳送的技術茁壯成長。

無線電源轉換系統要求電晶體必需高頻、纖薄型、在恒常變化的工作條件下堅固穩定及在一些情況下電晶體需要輕便,即整個設計需要高效及快速開關而不帶笨重的散熱器。此外,設計必需在寬範圍不同耦合及負載條件下工作。由於氮化鎵場效應電晶體具快速開關性能,因此是高度諧振功率轉換應用的理想器件。

放大器演示板(EPC9506/EPC9507)

EPC9506EPC9507演示板為高頻、符合A4WP標準、零電壓開關(ZVS)、電源模式的D類無線電源傳送放大器(發射)演示板,可傳送達35 W功率至一個直流負載並工作于達6.78 MHz頻率。EPC9506演示板採用40 V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014),而EPC9507演示板採用100 V氮化鎵場效應電晶體(EPC2007)。兩塊板都可以工作在半橋拓撲(給單終端配置)或全橋拓撲(給differential配置)並含柵極驅動器及震盪器,以確保演示板可於固定頻率下工作。

價格及供貨

EPC9506EPC9507演示板的售價分別為418.95美元,已經可以供貨,客戶可透過Digikey購買,網址為http://www.digikey.tw/Suppliers/tw/Efficient-Power-Conversion.page?lang=zht

展望未來:宜普公司的全新無線電源傳送系統演示套件採用ZVS D類放大器拓撲

單塊放大器(發射)演示板已經可以供貨。此外,宜普公司將推出一系列系統演示套件, 包括放大器(發射)演示板、一個符合A4WP 第三等級標準的發射線圈(傳送線圈),以及一個符合 A4WP 類型3標準的接收線圈並配備整流器及輸出濾波電容。

更多資訊

如果您對無線電源傳送感到興趣及欲取得進一步資訊,包括關於EPC9506EPC9507,及即將推出的系統演示套件,請與我們聯繫http://epc-co.com/epc/Contact/RequestMeeting.aspx,我們可以安排FAE到您公司講解。

更多關於氮化鎵場效應電晶體的應用及設計資料:

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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宜普電源轉換公司推出專為大電流及具高降壓比轉換器應用而設的開發板

EPC9016開發板內含40 V增強型氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET),是一種25 A最大輸出電流並採用並聯配置的電路設計,可提高電流能力達67%,其最優版圖技術可實現最優化效率。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9016採用半橋式配置的開發板,專為採用氮化鎵場效應電晶體的大電流、高降壓比、降壓中間匯流排轉換器(IBC)應用而設。與採用單一高側(控制)場效應電晶體相比,我們並聯了兩個低側(同步整流器)場效應電晶體使得傳導時間更長。

與矽MOSFET器件相比,氮化鎵場效應電晶體具備超卓的電流共用功能,為理想的可並聯工作的電晶體。這塊開發板在最優版圖 上進一步發揮採用超低電感封裝的氮化鎵場效應電晶體的性能。這種最優版圖技術提高了效率並同時降低電壓過沖及EMI。

EPC9016 開發板的最高電壓為40 V、最大輸出電流為25 A,使用半橋配置、配以EPC2015 氮化鎵電晶體及板載柵極驅動器(LM5113)。該半橋配置含單一頂部器件及兩個並聯的底部器件,建議用於具有高降壓比例的降壓轉換器應用包括負載點轉換器及給非隔離型通信基建使用的降壓轉換器應用。

EPC9016 開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,板上集成了所有關鍵元件及配以最優版圖以實現最優開關性能。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形及計算效率。

隨EPC9016開發板一起提供的還有一份供用戶參考和易於使用的 速查指南,內載有詳細資料。

EPC9016開發板的單價為130美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上直接購買,網址為 http://www.digikey.com/suppliers/us/efficient-power-conversion.page?&lang=en

氮化鎵場效應電晶體的設計資料及技術支援

宜普电源转换公司简介

宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,其目标应用包括 直流- 直流转换器无线电源传送包络跟踪、射频传送、太阳能微型逆变器、 光学遥感技术(LiDAR)D类音频放大器 等应用,器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览 我们的网站www.epc-co.com.cn 。

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eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。

媒体联络人

Winnie Wong ( [email protected])

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宜普電源轉換公司(EPC)領先業界的基於氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)的開發板在中國榮獲2013年度獎項

基於40V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014)的EPC9005開發板旨在幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統

宜普公司宣佈EPC9005開發板在中國榮獲兩個媒體頒發2013年度獎項,分別為今日電子雜誌頒發2013年度十大電源產品獎的“優化開發獎”及EDN China雜誌頒發2013年度中國創新獎的“優秀產品獎”。

“我們感到非常榮幸我司的產品得到今日電子雜誌及EDN China雜誌頒發業界年度獎項,表彰我們在技術創新方面所做出的努力。基於40 V氮化鎵場效應電晶體(EPC2014)的EPC9005開發板可幫助工程師于短時間內設計具備高頻開關性能的電源轉換系統。EPC9005開發板是一種已製作好及易於連接的開發板,並備有完善歸檔的技術支援資料,使工程師可輕鬆地利用氮化鎵場效應電晶體設計產品。在此我們再次感謝媒體朋友及工程師一直以來對我們的支持!”宜普公司首席執行長 Alex Lidow說。

EPC9005開發板是塊2英寸x1.5英寸單板,內含兩個EPC2014(40 V)氮化鎵場效應電晶體,並在半橋配置採用德州儀器公司的柵極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。板上集成了所有關鍵元件及版圖,以實現最優開關性能。此外,電路板上還備有多個探測點,以便測量簡單的波形和計算效率。

詳情請瀏覽我們的網站:

關於今日電子雜誌

今日電子雜誌/21iC中國電子網為業界領先的電力電子業界媒體,其第十一屆2013年度十大電源產品獎參選範圍包括所有電源類產品。評選規則包括評選參評產品在技術或應用方面取得顯著進步、具有開創性的設計或性價比顯著提高。優化開發獎表彰具有完備開發套件,讓工程師迅速掌握並進行二次開發的產品。2013年度頒獎典禮於9月12日在北京功率研討會上舉行。

關於EDN China創新獎

EDN創新獎始創於美國,旨在表彰每年度在IC設計及相關產品所取得的重大成果。到今年已經舉辦了23屆,目前它已經成為北美地區具有強大影響力的電子設計工程類獎項。EDN China於2005年將這一獎項引入了中國,並得到了熱烈的回應。經過專家和廣大設計工程師的評選,每年都會有一批優秀的產品及公司脫穎而出,在中國市場贏得美譽。EDN China於2013年11月12日在上海浦東假日酒店舉辦創新獎頒獎典禮,正式宣佈由讀者、網站會員以及專家評委所評選的2013年度“EDN China 創新獎”的評選結果。當天共有130位來自半導體及技術公司的高層以及資深博主出席頒獎活動及晚宴。

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰追蹤、射頻傳送、以太網供電、太陽能微型逆變器及D類音頻放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

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宜普電源轉換公司推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的八分之一磚直流-直流電源轉換器演示板

EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器的組合所能達到的優異性能。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC9102演示板,這是一個全功能的八分之一磚轉換器演示板。這塊電路板就是一個36V-60V輸入、12V輸出、375kHz相移全橋(PSFB)式八分之一磚轉換器,最大輸出電流為17A。該演示板內含100V EPC2001 eGaN FET及德州儀器專為驅動eGaN FET而設的半橋柵極驅動器(LM5113)。

LM5113是業界首款能夠最佳驅動增強型氮化鎵FET、並且能夠充分發揮這種FET優勢的驅動器。EPC9102演示板展示了當eGaN FET配合德州儀器LM5113 eGaN FET驅動器,可以實現eGaN FET的高開關頻率性能。

這種轉換器的結構符合標準八分之一磚的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。儘管這個尺寸比較小,但整個電路板在36V輸入電壓、10A輸出電流條件下,可以達到94.8%的峰值功效。

EPC9102演示電路的設計用於展示使用eGaN FET在375kHz工作時、 能夠實現得到的尺寸和性能、 而設計本身並沒有針對最大輸出功率進行優化。其工作頻率大約比同類商用的八分之一磚直流-直流電源轉換器高出50%至100%。

EPC9102演示板的尺寸特別是過大的尺寸,這是方便電源系統設計工程師連接相關的評估平臺。演示板上有許多探測點,便於測量簡單波形和計算效率。EPC9102演示板可用在低環境溫度和強制空冷條件下的基準評估。

隨EPC9102演示板一起提供的,還有一份供使用者參考和易於使用的快速入門指南: http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf

EPC9102演示板單價為306.25美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為: http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

EPC eGaN FET 及德州儀器的LM5113 設計工具指南

eGaN FET 設計資訊及支援

宜普公司简介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、無線電源傳送、波峰跟踪、乙太網供電、太陽能微型逆變器、能效照明及D類音頻放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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宜普電源轉換公司推出內含氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的降壓電源轉換演示板

EPC9101演示板使用具高頻開關優勢的eGaN功率電晶體,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高效率

EPC9101是一款全功能的降壓電源轉換器演示電路,實現8V-19V輸入、1.2V電壓、18A最大電流輸出及1MHz降壓轉換器,使用的元件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET,並配合德州儀器公司最近推出的的100V半橋柵極驅動器(LM5113)。LM5113是業界首款專為增強型氮化鎵場效應電晶體而設計的驅動器。EPC9101演示高開關頻率eGaN FET與這個匹配的驅動器,可減小降壓電源轉換器尺寸和提高其性能。

EPC9101的電源電路所佔尺寸僅為8mm x 16mm(約0.2平方英寸),如果雙面元件也計算在內,它的高度也僅約8mm。電路板的尺寸雖小,它的峰值效率可達88%,當輸出電壓為1.2V時可以輸出18A的電流。

為了有助設計工程師的工作,EPC9101易於使用以評估EPC2014和EPC2015 eGaN FET,以及LM5113柵極驅動器的性能。這塊電路板旨在低環境溫度和對流冷卻條件下進行基準性能評估。如果想評估其超出演示電路之額定電流能力,客戶可以額外採用散熱器和強制空氣冷卻措施。

德州儀器公司也提供類似全功能的降壓電源轉換演示板,型號為LM5113LLPEVB。這個電路板使用的是LM5113驅動器和100V EPC2001 eGaN FET器件。LM5113LLPEVB演示版是一個15V-60V輸入、10V/10A輸出的800kHz降壓轉換器。與EPC9101一樣,這個電路板演示了使用EPC2001 eGaN FET和LM5113柵極驅動器,可減小降壓轉換器尺寸和增強其性能。

隨EPC9101演示板一起提供的還有一份供客户參考和方便使用的快速入門指南:http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9101_qsg.pdf

EPC9101演示板單價為150美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為:http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

EPC eGaN FET 及 LM5113 設計工具指南

eGaN FET 設計資訊及支援

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com。

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