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宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

宜普電源轉換公司(EPC)推出100 V、尺寸比等效矽元件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現97%效率的氮化鎵(eGaN)功率電晶體

專為功率系統設計師而設的EPC2051功率電晶體是一種100 V、25 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體,可實現37 A脈衝輸出電流。EPC2051是多種應用的理想元件,包括48 V功率轉換器、雷射雷達及LED照明等應用。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體,其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A 以支援高效功率轉換。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)擴大面向無綫電源充電應用 的超小型及低成本eGaN FET產品系列

宜普電源轉換公司(EPC)擴大面向無綫電源充電應用 的超小型及低成本eGaN FET產品系列

EPC2037增强型氮化鎵功率電晶體(100 V、1 A、550 mΩ)由一個數字驅動器直接驅動,於採用D類及E類放大器拓撲的無綫充電應用中可以實現高頻開關及特別優越的性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw )推出增强型氮化鎵功率電晶體(eGaN®FET)系列的最新成員 -- EPC2037

EPC2037(100 VDS、1 A)非常小型(1.82 mm2)及在閘極上施加5 V電壓時的最大導通阻抗爲 550 mΩ。 由於它具備超高開關頻率、低導通阻抗值、異常低的QG值及採用超小型封裝,因此它在電源轉換系統具備高性能優勢。EPC2037由一個數字邏輯集成電路直接驅動,因此不需額外及高成本的驅動器集成電路。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出的單片式氮化鎵半橋功率電晶體推動負載點轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

宜普電源轉換公司(EPC)推出的單片式氮化鎵半橋功率電晶體推動負載點轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下,系統效率可超過97%;而在22 A、500 kHz開關頻率下,系統效率則接近97%。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙,使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率(尤其是元件在更高頻工作時)及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。

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分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司(EPC)推出第二代100V及30mΩ功率電晶體,進一步擴大其業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍

EPC2007採用符合RoHS (有害物質限制) 條例要求的無鉛封裝,以增強其高頻開關性能。

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com )宣佈推出第二代增強性能氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2007。EPC2007具有環保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例要求。

EPC2007 FET是一款面積為1.87平方毫米的100VDS及6V元件,當閘極電壓為6V 時, RDS (ON) 最大值是30mΩ。與前代EPC1007元件相比,新一代EPC2007元件具有明顯更高的性能優勢 — — 其性能在更低閘極電壓時得到全面增強,並且具有更好的抗快速開關瞬變性能。

與具有相同導通電阻的先進矽功率MOSFET相比,EPC2007體積小很多,而開關性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應用包括硬開關和高頻電路,例如隔離DC/DC電源、負載點轉換器及D類音頻放大器。

“我們最新推出的EPC2007產品進一步擴大業界領先的增強型氮化鎵(eGaN®) 場效應電晶體產品系列範圍。與矽基MOSFET相比,電源設計工程師可利用EPC2007提高電源轉換系統效率及縮小系統尺寸。” 共同創始人兼首席執行長Alex Lidow表示。

EPC2007在一千批量時其單價為1.31美元,客戶可以透過DigiKey公司在網上購買,網址為http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en

技術支援

EPC2007 eGaN FET應用手冊詳細列明其增強了的性能,網址為 http://epc-co.com/epc/documents/product-training/Characteristics_of_Second_Generation_eGaN_FETs.pdf

表1:EPC2007指標額定值總結

宜普公司簡介

宜普公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括伺服器、上網本、筆記型電腦、LED照明、手機、基站、微型逆變器及D類音頻放大器,元件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站www.epc-co.com.tw。

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

媒體連絡人:

Joe Engle ([email protected])
Winnie Wong ([email protected])

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