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Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress

Testing Gallium Nitride Devices to Failure Under Extreme Voltage and Current Stress

Standard qualification testing for semiconductors typically involves stressing devices at-or-near the limits specified in their data sheets for a prolonged period of time, or for a certain number of cycles, with the goal of demonstrating zero failures. By testing parts to the point of failure, an understanding of the amount of margin beyond the data sheet limits can be developed, but more importantly, an understanding of the intrinsic failure mechanisms of the semiconductor can be found.

Bodo’s Power Systems
September, 2020
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分類: 技術文章

面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT,它的性能優於MOSFET

面向快速發展的關鍵應用的GaN HEMT,它的性能優於MOSFET

矽功率MOSFET未能跟上電力電子行業的發展變化,而效率、功率密度和更小的外型尺寸等因素是行業的主要需求。 矽MOSFET元件的性能已達到其理論極限,並且由於電路板的空間非常寶貴,因此功率系統設計人員必需找出替代方案。 氮化鎵(GaN)元件是一種高電子遷移率電晶體(HEMT),這種半導體正為新興應用不斷增值。

EETimes
2020年8月
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分類: 技術文章

宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

宜普電源轉換公司(EPC)的200 V 氮化鎵產品系列(eGaN FET)的性能提升一倍

新一代200 V 氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)是48 VOUT同步整流、D類音訊放大器、太陽能微型逆變器和功率優化器,以及多電平、高壓AC / DC轉換器的理想功率元件。

增強型矽基氮化鎵(eGaN)功率場效應電晶體和積體電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司(EPC)最新推出的兩款200 V eGaN FET(EPC2215EPC2207 ),性能更高而同時成本更低,目前已有供貨。採用這些領先氮化鎵元件的應用十分廣闊,包括D類音訊放大器、同步整流器、太陽能最大功率點追蹤器(MPPT)、DC/DC轉換器(硬開關和諧振式),以及多電平高壓轉換器。

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分類: 新聞稿

Podcast: Yes, We GaN: Gallium Nitride and Its Role in Power ICs

Podcast: Yes, We GaN: Gallium Nitride and Its Role in Power ICs

In this inaugural episode, guests are Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion Corp., and Dinesh Ramanathan, co-CEO of NexGen Power Systems. EPC and NexGen both have expertise with gallium nitride technology and GaN power devices. EETimes speaks with both about the technology and about the market for GaN power devices.

EETimes
August, 2020
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分類: 技術文章

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

GaN Reliability Testing Beyond AEC Proves Robustness for Automotive Lidar Applications

Gallium nitride (GaN) power devices have been in volume production since March 2010 and have established a remarkable field-reliability record. An automotive application using GaN power devices in high volume is lidar (light detection and ranging) for autonomous vehicles. Lidar technology provides information about a vehicle’s surroundings, thus requiring high accuracy and reliability to ensure safety and performance. This article will discuss a novel testing mechanism developed by Efficient Power Conversion (EPC) to test eGaN devices beyond the qualification requirements of the Automotive Electronics Council (AEC) for the specific use case of lidar.

eeNews Europe
July 30, 2020
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分類: 技術文章

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

氮化鎵元件緩解了矽元件的問題

就像生活要面對現實一樣,老年人離開舞臺而讓位給年輕人,矽元件也是需要向現實低頭。 隨著氮化鎵元件的問世和普及,正逐步淘汰舊有可靠的矽元件。 在過去的四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新與不斷增長的電力需求同步發展,電源管理的效率和成本一直以來得以穩步改善。 但是,在業界發展的新時代,隨著矽功率MOSFET元件接近其理論極限,其演進速度下降了很多。 同時,新材料氮化鎵的理論性能極限穩步發展,其性能極限比老化的MOSFET元件高出6,000倍,並且比目前市場上最好的氮化鎵產品高出300倍。

EEWeb
2020年7 月16日
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分類: 技術文章

EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

EPC和Microchip公司攜手開發用於高功率密度運算應用和資料中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的數位信號控制器(DSC)與宜普電源轉換公司(EPC)的超高效氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)的結合,可實現最佳功率密度(730 W/in3),從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。

EPC公司宣佈推出1/16磚式、300 W DC/DC穩压器(EPC9143)。 EPC9143功率模組把Microchip dsPIC33CK數位信號控制器(DSC)和最新一代eGaN FET(EPC2053)集成在一起,實現25 A、48 V/12 V和96%效率的功率轉換。

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分類: 新聞稿

虛擬圓桌會議 : 用於D類音訊放大器的氮化鎵元件與矽元件的比較(第2部份,共2部份)

虛擬圓桌會議 : 用於D類音訊放大器的氮化鎵元件與矽元件的比較(第2部份,共2部份)

在EEWorld “虛擬圓桌會議” 關於D類音訊的討論的第二部份中,我們的小組成員深入探討了新興氮化鎵元件(GaN)對D類設計的影響:矽元件在哪方面仍然佔主導地位? 在D類放大器中使用GaN的性能優勢是什麼? D類放大器中GaN與矽的未來預期趨勢如何?

參加這個虛擬圓桌會議包括Analog Devices公司音訊系統架構師Joshua LeMaire(JL)、 宜普電源轉換公司(EPC)戰略技術銷售副總裁Steve Colino(SC)和 英飛淩(Infineon )D類音訊應用工程主管Jens Tybo Jensen(JTJ)。

EEWorld Online
2020年7月
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分類: 技術文章

面向宇航應用的氮化鎵電晶體

面向宇航應用的氮化鎵電晶體

氮化鎵功率電晶體是面向嚴苛航太任務的功率和射頻應用的理想元件。 通過全新基於eGaN®元件的解決方案,EPC Space公司提供專門為商業衛星關鍵應用而設計的氮化鎵元件,可確保元件的耐輻射性能和對單粒子效應的免疫能力。 這些元件具有極高的電子遷移率、低溫度系數和非常低的導通阻抗。

EETimes
2020年7月
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分類: 技術文章

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

EPC to Showcase High Power Density eGaN FETs and ePower Stage IC in Customer Applications at PCIM Europe 2020 Digital Days

Efficient Power Conversion (EPC) will showcase the company’s latest ePower™ Stage IC family of products showing how GaN technology’s superior performance is transforming power delivery for computing, communications, robotics, and transportation at the PCIM Europe 2020 Digital Days.

EL SEGUNDO, Calif.— June 2020 — The EPC team will be delivering three technical presentations and participating in two panel discussions on gallium nitride (GaN) technology and applications at the upcoming PCIM Europe 2020 Digital Days, July 7 – 8. In addition, the company will participate in the event’s virtual exhibit, showing its latest eGaN FETs and ICs in customers’ end products that are rapidly adopting eGaN technology.

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分類: 新聞稿

EPC和VPT宣佈成立合資公司EPC Space 針對關鍵任務應用的抗輻射功率電子市場

EPC和VPT宣佈成立合資公司EPC Space 針對關鍵任務應用的抗輻射功率電子市場

針對關鍵航太應用及其他高可靠性應用環境,合資公司EPC Space為客戶提供先進、高可靠性的氮化鎵功率轉換解決方案,從而確保更可靠的操作和任務成功。

宜普電源轉換公司(EPC)與VPT公司(海科航空公司旗下公司、NYSE交易代號為HEI.A及HEI)宣佈成立合資公司EPC Space LLC,針對衛星及高可靠性應用,從事設計和製造抗輻射、採用封裝、通過測試和經認證合格的矽基氮化鎵電晶體和積體電路。

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分類: 新聞稿

矽片已死……離散功率元件快將消失

矽片已死……離散功率元件快將消失

在超過四十年中,隨著功率MOSFET元件的結構、技術和電路拓撲的創新,可滿足不斷增長的電力需求,因此改善了電源管理的效率和成本。 然而,在這新世紀的發展,隨著矽功率MOSFET元件已經接近其理論極限,其改進速度已大為減慢。 與此同時,一種全新材料 - 氮化鎵(GaN)- 正朝著新的理論性能領域的方向,穩步發展,其性能是老化的MOSFET元件的6,000倍,以及是目前市場的最優越GaN元件的300倍。

EETimes
2020年6月
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分類: 技術文章

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Designing An Ultra-Thin Stepdown Converter: Multiphase Vs. Multilevel

Over the past decade computers, displays, smart phones and other consumer electronics systems have become thinner while also becoming more powerful. As a result, the market continues to increase its demand for thinner power supply solutions with greater power density. This article examines the feasibility of adopting various non-isolated dc-dc stepdown topologies for an ultra-thin 48-V to 20-V, 250-W power solution.

How2Power
May, 2020
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分類: 技術文章

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Integrated GaN Power Stage for eMobility

Brushless DC (BLDC) motors are a popular choice and are finding increasing application in robotics, drones, electric bicycles, and electric scooters. All these applications are particularly sensitive to size, weight, cost, and efficiency. A monolithically integrated GaN power stage is demonstrated powering a 400 W capable BLDC motor with low switching losses and significant savings in size and weight.

Power Electronics Europe
May, 2020
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分類: 技術文章

GaN Integrated Power Stage – Redefining Power Conversion

GaN Integrated Power Stage –  Redefining Power Conversion

Beyond just performance and cost improvement, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from its intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. GaN technology, as opposed to standard silicon IC technology, allows designers to implement monolithic power systems on a single chip in a more straightforward and cost-effective way.

Bodo’s Power Systems
May, 2020
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分類: 技術文章

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Power Product News from ‘Virtual APEC’

Starting on page 13 of this story, EPC discusses with David Morrison the latest GaN developments meant for APEC. Alex Lidow, CEO and co-founder of EPC, discussed his company’s new power stage ICs, their development of GaN-based reference designs using a multi-level topology and various demos that were originally bound for APEC.

How2Power Today
April, 2020
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分類: 技術文章
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