新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

功率轉換領域:矽器件已經走到盡頭

分類: 技術文章

應用於功率轉換領域的矽器件的性能已接近其理論極限。氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)將取代大部分市值120億美元的矽功率MOSFET市場。目前已經有產品投產,其性能比矽器件的理論性能極限好5至10倍。

雜誌:Bodo’s Power Systems
作者:Alex Lidow
2014年5月