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宜普電源轉換公司的氮化鎵技術榮獲電子技術設計雜誌十周年創新技術優秀獎

分類: 新聞稿

作為矽MOSFET器件的替代技術,宜普電源轉換公司的增強型氮化鎵(eGaN®)功率電晶體技術榮獲業界著名雜誌頒發創新技術優秀獎

宜普電源轉換公司(www.epc-co.com.tw)榮獲EDN China(電子技術設計雜誌)頒發十周年創新獎 --影響未來的十大創新技術類別中的「創新技術優秀獎」。電子技術設計雜誌創新獎為業界共同樹立技術、產品及公司創新基準。該獎項通過全球電子設計工程師及經理網上投票(40%)、專家評審(30%)及編輯評選(30%)而得出結果。創新獎十周年頒獎典禮在六月二十六日於上海舉行。

宜普電源轉換公司首席執行官Alex Lidow稱「我們非常榮幸宜普公司的氮化鎵技術(eGaN)獲得業界著名雜誌頒發創新技術優秀獎,尤其是這項殊榮的部分結果是由全球工程師推舉而來。功率設計工程師認同增強型氮化鎵電晶體具快速開關、高效、小尺寸及極具成本效益等優勢,可引領業界繼續替代矽MOSFET器件的進程。」

關於電子技術設計雜誌及創新獎

電子技術設計雜誌(EDN China)十周年創新獎於二零一四年舉行,設有九個主要類別,共收到從全球超過七十家公司及一百二十八项產品提名。該雜誌於超過二十年前創刊,為業界第一本雜誌專注於電力電子的設計及作為技术交流的平臺。它擁有超過四十萬讀者註冊。關於該雜誌的詳情請瀏覽www.ednchina.com

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])

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標籤: 獎項