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宜普電源轉換公司(EPC)的高性能氮化鎵功率電晶體 進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET並已有現貨供應

分類: 新聞稿

氮化鎵(eGaN®)功率電晶體繼續爲電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由於氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。

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宜普電源轉換公司宣佈推出六個新一代功率電晶體及相關的開發板。這些由30 V至200 V的産品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))並可增强輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣闊應用。

全新氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)及相關開發板

宜普産品型號 電壓 最高導通電阻
RDS(on) (mΩ)
(VGS = 5 V)
最小脉衝電流峰值
Peak Pulsed
ID (A) (25°C,
脉衝電流導通時間
Tpulse = 300 µs)
TJ (°C) 半橋開發板
          標準 低占空比
EPC2023 30 1.3 590 150 EPC9031 EPC9018
EPC2024 40 1.5 550 150