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宜普電源轉換公司(EPC)的專家將於功率研討會展示爲業界設定性能基準的新一代氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)

分類: 新聞稿

宜普電源轉換公司將於中國大陸兩個業界研討會討論關於最新一代氮化鎵(eGaN)技術,分別爲第三届世界無綫供電行業峰會及第十九届IIC China功率管理及功率半導體研討會。

矽基增强型功率氮化鎵((eGaN®)場效應電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於兩個業界研討會以應用爲主題發表演講。

  • 於中國上海舉行的第三届世界無綫供電行業峰會
    宜普公司的專家將展示由於氮化鎵場效應電晶體(eGaN®FET)具備優越特性如具有低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸,因此作爲高度諧振幷符合Rezence(A4WP)標準的無綫電源傳送系統的理想器件,它可以提高該應用的效率。我們對採用MOSFET及氮化鎵場效應電晶體的轉換器在峰值功率、負載變化及負載調製性能等各方面進行比較。
  • 於中國深圳舉行的第十九届IIC China功率管理及功率半導體研討會
    最新一代氮化鎵場效應電晶體爲業界提高電源轉換的性能基準。由於全新第四代氮化鎵器件系列在主要開關品質因數方面取得重大增益,因此在性能上可進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將展示的應用範例包括取得93.5%效率的12 V轉至1.2 V、50 A的負載點(POL)轉換器, 以及取得超過98% 效率的48 V轉至12 V、30 A的非隔離型直流-直流中間總綫轉換器。

關於第三届世界無綫供電行業峰會

詳情請瀏覽http://www.wirelesspower-world.com/meeting/Sponsors/index.html

關於第十九届IIC China功率管理及功率半導體研討會

詳情請瀏覽http://www.iic-china.com/

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。

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商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])

標籤: 研討會