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WiGaN: 利用氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)支持在高頻工作的硬開關轉換器應用

分類: 技術文章

本章展示在10 MHz频率開關、採用氮化鎵場效應電晶體的硬開關降壓轉換器的結果及提供轉換器功耗的細數。此外,我們將展示採用氮化鎵場效應電晶體的轉換器目前所取得無可匹敵的高頻性能及如果要推動器件工作在更高頻率時所面對的限制。

EEWeb
作者:Alex Lidow
2014年8月