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宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體, 可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

分類: 新聞稿
宜普電源轉換公司(EPC)推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體, 可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率

宜普電源轉換公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半橋式電晶體,進一步擴展其獲獎的氮化鎵功率電晶體產品系列。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增強型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙,使電晶體的占板面積減少50%。這會提高效率(尤其是元件在更高頻工作時)及增加功率密度並同時減低終端使用者的功率轉換系統的組裝成本。半橋式元件是面向高頻直流/直流轉換應用的理想元件。

在典型降壓轉換器採用EPC2103元件,在48 V轉12 V、500 kHz頻率下開關及 20 A輸出電流下可實現超過97%的系統效率。而EPC2102氮化鎵半橋元件(60 V)是半橋產品系列的最新成員,在42 V轉14 V、500kHz頻率下開關及18 A輸出電流下可實現98%的系統效率。

以上產品都使用晶片規模封裝方式,可改善開關速度及散熱性能,其尺寸只是6.05 毫米 x 2.3 毫米,功率密度更高。

  EPC2102 EPC2103
 Voltage 60 V 80 V
 RDS(on) (typ.) 3.2 3.8 Ω
 QG (Total Gate Charge) 6.8 nC 6.5 nC
 Pulsed Drain Current (max) 215 A 195 A

開發板

EPC9038EPC9039 開發板的尺寸為2英寸乘2英寸 (50.8 毫米x 50.8 毫米),每塊開發板分別包含一個EPC2102EPC2103 集成半橋式元件。兩者皆採用德州儀器的閘極驅動器(LM5113)並含板載電源及旁路電容。開發板的佈局可實現最優開關性能並設有多個探孔使用戶可易於測量簡單的波形及計算效率。

產品價格及即時供貨詳情

EPC2102單片式半橋元件在批量為一千片時的單價為6.85美元。
EPC2103單片式半橋元件在批量為一千片時的單價為7.58美元。
EPC9038及EPC9039開發板的單價為137.75美元,可以立即透過 Digi-Key公司購買。

關於氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)的設計資訊及支援