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宜普電源轉換公司推出具有寬間距的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)以小尺寸具備大電流承載能力

分類: 新聞稿
宜普電源轉換公司推出具有寬間距的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)以小尺寸具備大電流承載能力

全新氮化鎵(eGaN®)功率電晶體(EPC2029)進一步擴大宜普電源轉換公司的功率電晶體系列 – EPC2029 氮化鎵電晶體使用高效、具有寬間距的芯片規模封裝,可易於實現高産量並與成熟的製程及組裝生産綫兼容。

宜普電源轉換公司宣佈推出採用更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)-- 80 V、31 A並具有1 mm間距的焊球的EPC2029電晶體是這種全新産品系列的首個電晶體。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔,使得小尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)的元件可以具備大電流承載能力。

與具有相同的電阻的先進矽功率MOSFET元件相比,EPC2029的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍,是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想元件。

開發板

爲了簡化對這個高效的氮化鎵場效應電晶體EPC2029進行評估,EPC推出EPC9046開發板,使得工程師可以容易對EPC2029“在電路中”的性能進行評估。

EPC9046開發板採用半橋拓撲,配備板載栅極驅動器及採用EPC2029氮化鎵場效應功率電晶體。該板爲2英寸乘2 英寸的開發板,使用了兩個eGaN FET、德州儀器的LM5113栅極驅動器、電源及旁路電容。該開關板包含了所有重要元件並採用具備最佳開關性能的佈局,而且提供額外的電路板面積給工程師添加降壓輸出濾波器元件。此外,該板備有多個探孔使得用戶可易於測量簡單的波形及計算效率。

産品價格及實時供貨詳情

EPC2029功率電晶體在批量爲一千片時的單價爲6.03美元,而EPC9046開發板的單價爲137.75美元,可以立即透過Digi-Key公司購買。

關於氮化鎵場效應電晶體的設計信息及技術支援

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])