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宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘

分類: 新聞稿
宜普電源轉換公司的全新eGaN功率電晶體突破了矽元件之前無可匹敵的成本/速度壁壘

全新eGaN®功率電晶體系列以MOSFET元件的價格實現更優越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普電源轉換公司宣佈推出EPC2035(60 V)及EPC2036 (100 V)eGaN功率電晶體,專爲在價格方面競爭而設計並且在性能上超越矽元件。 價格是封阻可替代矽MOSFET元件的氮化鎵(GaN)電晶體的普及化的最後一個壁壘,而價格已經下降。這些全新產品可以替代矽半導體及爲業界續寫摩爾定律的輝煌。

我們用作比較的功率MOSFET元件具有可比的最高導通電阻額定值((RDS(on))及相同的最高擊穿電壓額定值((VDS(max))。此外,以下的數據表比較了顯示開關速度的數據,包括QOSS、QGD及 QG,而較低的數值代表元件具備更優越的性能。

此外,與等效MOSFET元件相比,EPC2035EPC2036元件的電容小很多。我們也比較了氮化鎵及MOSFET元件的面積-- EPC2035/EPC2036的面積大約是等效MOSFET的四十分之一。

功率系統工程師首次可以採用氮化鎵元件設計出具備更低的價格、更優越的開關速度及更小的尺寸的最終産品。

開發板

爲了簡化對這個全新eGaN FET產品系列進行評估,EPC推出開發板,使得工程師可以容易對EPC2035及EPC2036在“電路中”的性能進行評估。開發板的尺寸是2”x1.5”,採用半橋拓撲並包含eGaN FET、板載閘極驅動器、電源及旁路電容。開發板包含所有重要元件並佈局爲可以實現最高的開關性能。

開發板型號 VIN VOUT IOUT 所采用的eGaN FET
EPC9049 40 60 4 A EPC2035
EPC9050 60 100 2.5 A EPC2036

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