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宜普電源轉換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實現大電流承載能力的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)系列

分類: 新聞稿
宜普電源轉換公司擴大具有寬間距、以小尺寸實現大電流承載能力的氮化鎵場效應電晶體(eGaN  FET)系列

宜普電源轉換公司(EPC)推出採用高性能、寬間距的晶片規模封裝的全新氮化鎵(eGaN®)功率電晶體,進一步擴大其功率電晶體系列、易於實現高產量並與成熟的製造工藝及組裝生產線相容。

宜普電源轉換公司宣佈推出3個採用具有更寬間距連接的佈局的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)。這些產品採用具有1 mm間距的焊球,進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔,使得元件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現大電流承載能力。

與具有相同的電阻的先進矽功率MOSFET元件相比,這些全新電晶體的尺寸小很多及其開關性能高出很多倍,是高頻DC/DC轉換器、DC/DC及AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器及D類音頻放大器等應用的理想元件。

元件型號 VDS RDS(on)
(典型值)
QG
(典型值)
ID
(脈衝)
價格
(1000片)
EPC2030 40 V 1.8 mOhm 18 nC 495 A $3.46
EPC2031 60 V 2.0 mOhm 17 nC 450 A $3.48
EPC2032 100 V 3.0 mOhm 14 nC 300 A $3.52

供貨詳情

以上3個產品皆可以立即透過Digi-Key公司購買。

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