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IDT與EPC公司携手合作結合氮化鎵與矽技術以開發出更快速及高效的半導體元件

分類: 新聞稿
IDT與EPC公司携手合作結合氮化鎵與矽技術以開發出更快速及高效的半導體元件
Graphic: Business Wire

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT®) (美國納斯達克上市代號: IDTI)宣佈與宜普電源轉換公司(EPC)合作開發基於氮化鎵(GaN)技術的全新方案。氮化鎵被公認爲在速度及效率方面極具優勢的一種半導體材料。這合作謀求探索結合兩家公司的技術——EPC的eGaN®技術及IDT領先業界的解决方案。

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