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採用eGaN FET設計的波峰追蹤電源支援20 MHz LTE頻寬

分類: 技術文章
採用eGaN FET設計的波峰追蹤電源支援20 MHz LTE頻寬

本篇文章闡述面向使用第四代移動通信技術(4G)LTE頻寬的無線通訊基站基礎設施並採用EPC8004高頻氮化鎵場效應電晶體設計的波峰追蹤電源。基於eGaN® FET並採用四相位拓撲的軟開關降壓轉換器可以準確地跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡信號,提供60 W以上的平均負載功率,而總效率可高達92%。這種設計的可擴展性能可以支援不同的功率級別,工程師只需選擇不同的EPC場效應電晶體設計不同的系統,從而可以滿足不同功率級別的要求。

Bodo’s Power Systems
張遠哲博士及 Michael de Rooij博士
2016年3月
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