Peregrine Semiconductor公司的全球最快速的GaN FET驅動器亮相 Posted 2016年7月12日 分類: 技術文章 基於氮化鎵材料的場效應電晶體正在顛覆功率轉換市場和替代矽基MOSFET。 與MOSFET相比，更快速的氮化鎵場效應電晶體（GaN FET）可以在最細小的體積內實現更高的開關速度。 氮化鎵元件的承諾是可以大大縮減電源供應器的體積及重量。為了實現最高的潛在性能， 這些具備高性能的氮化鎵電晶體需要最優化的閘極驅動器。 Peregrine Semiconductor 2016年7月12日 閱讀全文 標籤: 場效應電晶體驅動器 D類音訊放大器 DC/DC功率轉換 無線充電 相關的熱門文章 專業高音質並可實現96%效率 – 宜普公司推出內含氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）演示板，實現具備高質音訊性能並可以節省空間的設計 Panasonic breathes new life into Technics – features GaN for high speed switching 實現專業高音質及96%功率效率 -- 宜普公司的演示板採用氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET），實現具備卓越音頻性能並節省占位空間的設計 Driving eGaN™ FETs Both gate and Miller capacitances are significantly lower GaN — Still Crushing Silicon One Application at a Time