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與MOSFET相比,基於eGaN FET的開發板展示出eGaN FET具備超快速的轉換速度特性,在自動駕駛車可實現優越的雷射雷達(LiDAR)系統性能

分類: 新聞稿
與MOSFET相比,基於eGaN FET的開發板展示出eGaN FET具備超快速的轉換速度特性,在自動駕駛車可實現優越的雷射雷達(LiDAR)系統性能

EPC9126開發板基於具備超快速的轉換速度特性的eGaN®FET,可通過大電流脈衝及低至5 ns的總脈寬來驅動雷射二極體,從而提高雷射雷達系統的偵測資料的質素,包括偵測資料的準確度、精准度及處理速度。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈推出EPC9126評估板。該板是基於100 V大電流脈衝雷射電源設计,可驅動雷射二極體。在自動駕駛車的雷射雷達系統在自動駕駛車的雷射雷達系統中,偵測目標物件的速度及準確性非常重要。EPC9126評估板展示eGaN FET具備快速轉換速度的特性,與等效MOSFET相比,eGaN FET可以高達快十倍的速度提供功率脈衝來驅動雷射二極體,從而提高LiDAR系統的整體性能。

EPC9126開發板旨在驅動雷射二極體,備有參考接地的氮化鎵場效應電晶體(EPC2016C)。該電晶體由德州儀器公司的UCC27611閘極驅動器驅動。EPC2016C的最高電壓為100 V,脈衝電流可高達75 A,總脈寬可以低至5 ns。如果使用者需要更大電流,EPC9126可以配備100 V、額定脈衝電流高達150 A的eGaN FET (EPC2001C)。

開發板為裝貼雷射二極體所需,提供多個可選並具備超低電感的連接,以及可利用電容器放電(裝運時配備),或由電源匯流排(power bus)直接驅動二極體。開發板並沒有包含雷射二極體,它需要由使用者提供,從而對不同的應用進行評估。

PCB的設計是把功率迴路電感減至最小而同時保持裝貼鐳射二極體的靈活性。板上備有多個無源探頭(passive probe),可測量電壓及放電電容器的電流,以及備有為50 Ω測量系統而設的輸入及感測器的SMA連接器。此外,使用者可以使用可選的高精度窄脈衝發生器。

最後,EPC9126可以在其他採用參考接地的eGaN FET的應用中發揮其效能,例如Class E或其他相同的電路。

價格及供貨詳情

基於100 V大電流脈衝雷射電源設計的EPC9126評估板的單價為181.25美元,可從Digikey公司購買(www.digikey.com.tw)。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])