氮化鎵盯緊基於矽元件的數據中心的龐大市場潛力 Posted 2017年2月9日 分類: 技術文章 在深度學習盛行下，數據中心的功率密度再次備受關注，並且產生了全新的商業機遇，包括支援30 kW/rack 以上的設備內的專有雲端服務，以及為提高系統能效以解決功率密度問題的功率轉換公司提供機遇 。氮化鎵是電源轉換晶片的全新半導體材料，可替代矽元件、實現體積小很多、能效更高及開關速度快速很多的元件。 Data Center Knowledge 2017年2月 閱讀文章 標籤: 矽 資料中心 GaN 相關的熱門文章 EPC公司將在2021年APEC虛擬會議暨博覽會上，展示在多種應用中 使用eGaN FET和積體電路的高功率密度解决方案 Freebird Semiconductor Partners with EPC for Development of Radiation Hardened Gallium Nitride Power Conversion Systems for Satellite and Harsh Environment Applications 報仇助力半導體的能效較量 爲節能的半導體材料打了一支强心針 為何氮化鎵元件比矽元件"優勝6000倍"？