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EPC公司於PCIM Asia 2017與工程師進行技術交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應用中選擇於6.78 MHz工作的放大器拓撲結構

分類: 新聞稿
EPC公司於PCIM Asia 2017與工程師進行技術交流 -- 如何在高功率、高度共振式無線充電應用中選擇於6.78 MHz工作的放大器拓撲結構

宜普電源轉換公司(EPC)是矽基增強型氮化鎵場效應電晶體及積體電路的領先供應商,基於eGaN®FET與積體電路 的低成本解決方案是在發射端採用單個功率放大器,而在接收端無論是採用什麼標準,也可以實現無線充電。

我們誠摯邀請工程師蒞臨中國上海,出席於2017年6月28日(星期三)上午11時在上海世博展覽館B2層2號會議室舉行的PCIM Asia 2017研討會(電力轉換與智慧運動研討會)。屆時EPC公司的應用工程副總裁Michael de Rooij博士將分享在高功率、高度共振式無線充電應用中,如何選擇放大器的拓撲結構,從而滿足客戶在產品設計上的要求。

近年來,配備無線充電功能的消費產品推動了無線充電的快速發展。無線充電的普及要求元件可以在6.78 MHz和13.56 MHz的更高ISM頻段工作。共振式系統在該頻段允許高效率和高空間自由度,可同時對不同功率級的設備及對多個設備同時充電。在這些高頻率下,傳統的MOSFET技術已經接近其性能極限。作為矽基功率MOSFET的替代元件 -- 增強型eGaN® FET的開關轉換速度在亞納秒範圍內,可以在高頻、高壓下工作,因此是無線電源應用的理想元件。

EPC的解決方案是在高度共振式無線功率系統、工作在6.78 MHz頻率、採用差分模式Class E和ZVS Class D放大器拓撲結構、經過實驗驗證的比較,並且根據AirFuelTMClass 4標準,可對負載提供最大33 W的功率。實驗結果表明,在25°C環境溫度下,這兩種拓撲結構都使得放大器可以在整個功率負載範圍內實現超過85%的效率,而場效應電晶體(FET)並不會超過80%的額定電壓或超過100°C器件溫度。

EPC公司推出了第五代eGaN FET元件,包括EPC2046(200 V、RDS(on)最大值為25 mΩ、55 A 脈衝輸出電流))和EPC2047eGaN FET (10 mΩ、200 V),並備有開發板EPC9081。EPC2046 和 EPC2047都支援無線充電應用。

PCIM Asia 2017(轉換與智慧運動研討會)的詳情請訪問http://www.pcimasia-expo.com.cn/shanghai/zh-cn/visitors/welcome.html

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商,爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體,其目標應用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器光學遙感技術(LiDAR)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])