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車規級80 V EPC2214 eGaN FET使得雷射雷達系統看得更清晰

分類: 新聞稿
車規級80 V EPC2214 eGaN FET使得雷射雷達系統看得更清晰

宜普電源轉換公司(EPC)進一步擴大車規級氮化鎵產品系列 -- 全新成員是面向具有高解析度的雷射雷達系統、80 V的EPC2214氮化鎵場效應電晶體,該元件成功通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101應力測試認證。

宜普電源轉換公司(EPC)宣佈再多一個車用氮化鎵(eGaN)元件(80 V的EPC2214)成功通過AEC Q101測試認證,可在車用及其他嚴峻環境支持多種全新應用。

基於氮化鎵(eGaN®)技術的產品已進行量產超過9年,累計了數十億小時的實際汽車應用經驗,包括全自動駕駛車辆的雷射雷達及雷達系統、應用於資料中心電腦的48 V–12 V DC/DC轉換器、具有超高保真度的資訊娛樂系統及高強度的貨車頭燈等應用。這些全新元件已經通過嚴格的AEC Q101測試認證,隨後會推出更多面向嚴峻的車用環境的離散電晶體及積體電路。

EPC2214為80 V、20 mΩ氮化鎵場效應電晶體元件,超小佔板面積(1.8平方毫米),脈衝電流為47 A,非常適合在雷射雷達(lidar)系統發射雷射,因為FET觸發雷射信號、產生大電流、極短脈寬,從而實現更高的解析度,而更大脈衝電流使得雷射雷達系統可以看到更遠的景物。這兩個特性,加上小尺寸及低成本,使得eGaN FET除了支援嚴峻的車用雷射雷達系統外,也是雷達及超聲波感測器的理想元件。

要通過AEC Q101認證測試,EPC的氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)必需通過在嚴峻環境及不同偏壓的條件下的各種測試,包括偏壓濕度測試(H3TRB)、高溫反向偏壓(HTRB)、高溫閘極偏壓(HTGB)、溫度迴圈(TC)及其他多種不同的測試。要留意的是,EPC元件的晶片級封裝也通過採用傳統封裝的元件的所有相同測試標準,證明晶片級封裝具備卓越性能而元件同時保持堅固耐用及其高可靠性。這些eGaN元件在符合汽車品質管制系統標準IATF 16949的設備中生產。

EPC公司的首席執行長及共同創辦人Alex Lidow稱:「這個通過認證的車規級氮化鎵元件,是我們恒常化推出車用電晶體及積體電路產品路線圖的最新元件,旨在全力支持打造自動駕駛汽車的未來、節省汽油的使用量及提高駕駛的安全性。與目前車用、日益老化的矽基功率MOSFET相比,基於eGaN技術的產品的開關更快速、尺寸更小、效率更高、成本更低及更可靠。」

價格及供貨

EPC2214電晶體在2.5 Ku/reel 的單價為0.72美元,可以立即從Digikey公司(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)購買。

宜普電源轉換公司簡介

宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商,为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路,其目标应用包括直流-直流轉換器無線電源傳送波峰追蹤汽車應用領域功率逆變器三維成像與雷射雷達(Lidar)D類音訊放大器等應用,元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列,爲客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站,網址爲www.epc-co.com.tw

商標

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ([email protected])